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[국내논문] III-V 화합물 반도체 InSb의 전기화학적 제조
Electrochemical Formation of III-V Compound Semiconductor InSb 원문보기

전기화학회지 = Journal of the Korean Electrochemical Society, v.8 no.3, 2005년, pp.135 - 138  

이정오 (한국과학기술연구원 재료연구부) ,  이종욱 (한국과학기술연구원 재료연구부) ,  이관희 (한국과학기술연구원 재료연구부) ,  정원용 (한국과학기술연구원 재료연구부) ,  이종엽 (㈜우리정도)

초록
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본 연구에서는 구연산 수용액 전해질을 제조하여 전기도금 방식에 의해 III-V족 화합물 반도체 InSb를 전기화학적으로 합성하였다. 본 연구에서 제조된 InSb는 기존문헌에서 보고된 바와 달리 EPMA분석결과 In과 Sb의 조성비가 52:48로 화학양론을 정확하게 만족시키고 있고, XPS분석결과 전해질내의 구연산의 농도가 1.2M, pH가 4일 때 444.1 eV에서 InSb 화합물의 피크를 관찰하였으며 구연산의 농도가 1.2M보다 낮거나 pH가 4보다 낮을 때는 InSb화합물과 금속상태의 In이 혼재되어 있는 것을 확인하였다. 또한 XRD를 통하여 InSb(111)의 우선결정방위를 갖는다는 것을 확인하였고, I-V 특성 곡선 측정을 통해 rnSb가 고유한 반도체 특성을 보임을 확인하였다.

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

We investigated the electrochemical formation of a stoichiometric III-V compound semiconductor of InSb from an aqueous citric solution. Under an? optimized electrochemical condition, not like other research results, the electrodeposited InSb are satisfied exactly with the stoichiometry. Furthermore ...

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참고문헌 (11)

  1. T. Miyazaki, M. Kunugi, Y. Kitamura, and S. Adachi, 'Epitaxial growth of InSb films by r.f magnetron sputtering', Thin Solid Films, 287, 51 (1996) 

  2. M. C. Debnath, T. Zhang, C. Roberts, L. F. Cohen, and R. A. Stradling, 'High-mobility InSb films on GaAs (001) substrate grown by the two-step growth process', J. Cryst. Growth, 267, 17 (2004) 

  3. T. Nakamura, M. Katagiri, Y. Aratono, I. Kanno, S. Hishiki, O. Sugiura, and Y. Murase, 'Cryogenic neutron detector by InSb semiconductor detector with high-density helium-3 gas converter', Nucl. Instrum. Meth. A, 520, 76 (2004) 

  4. O. A. Mironov, M. Myronov, S. Durov, O. Drachenko, and J. Leotin, 'Microminiature Hall probes based on n-InSb(Sn)/i-GaAs heterostructure for pulsed magnetic field applications', Physica B, 346-347, 548 (2004) 

  5. A. Okamoto, H. Geka, I. Shibasaki, and K. Yoshida, 'Transport properties of InSb and lnAs thin films on GaAs substrates', J. Cryst. Growth, 278, 604 (2005) 

  6. T. Zhang, M. Debnath, S. K. Clowes, W. R. Branford, A. Bennett, C. Roberts, L. F. Cohen, and R. A. Stradling, 'lnSb epilayers on GaAs(100) for spintronic and magneto-resistive sensor applications', Physica E, 20, 216 (2004) 

  7. V. Senthilkumar, M. Thamilselvan, K. PremNazeer, S. K. Narayandass, D. Mangalaraj, B. Karunagaran, K. Kim, and J. Yi, 'Characterization of p-type In-Sb thin films prepared by vacuum evaporation', Vacuum, in press 

  8. J. Ortega and H. Herrero, 'Preparation of InX(XP, As, Sb) Thin Films by Electrochemical Methods', J. Electrochem. Soc., 136, 3388 (1989) 

  9. J. McChesney, J. Haigh, I. M. Dharrnadasa, and D. J. Mowthorpe, 'Electrochemical growth of GaSb and InSb for applications in infra-red detector and optical communication systems', Opt. Mater., 6, 63 (1996) 

  10. T. Fulop, C. Bekele, U. Landau, J. Angus, and K. Kash, 'Electrodeposition of polycrystalline InSb from aqueous electrolytes', Thin Solid Films, 449, 1 (2004) 

  11. 이관희, 정원용, 이종엽, '전기도금에 의한 화학양론을 만족하는 III-V족 화합물 반도체 InSb의 제조방법', 대한민국 발명특허, 2004-0083711 

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