$\require{mediawiki-texvc}$
  • 검색어에 아래의 연산자를 사용하시면 더 정확한 검색결과를 얻을 수 있습니다.
  • 검색연산자
검색연산자 기능 검색시 예
() 우선순위가 가장 높은 연산자 예1) (나노 (기계 | machine))
공백 두 개의 검색어(식)을 모두 포함하고 있는 문서 검색 예1) (나노 기계)
예2) 나노 장영실
| 두 개의 검색어(식) 중 하나 이상 포함하고 있는 문서 검색 예1) (줄기세포 | 면역)
예2) 줄기세포 | 장영실
! NOT 이후에 있는 검색어가 포함된 문서는 제외 예1) (황금 !백금)
예2) !image
* 검색어의 *란에 0개 이상의 임의의 문자가 포함된 문서 검색 예) semi*
"" 따옴표 내의 구문과 완전히 일치하는 문서만 검색 예) "Transform and Quantization"
쳇봇 이모티콘
안녕하세요!
ScienceON 챗봇입니다.
궁금한 것은 저에게 물어봐주세요.

논문 상세정보

Radiation Effects on the Power MOSFET for Space Applications

ETRI journal v.27 no.4 , 2005년, pp.449 - 452  
Abstract

The electrical characteristics of solid state devices such as the bipolar junction transistor (BJT), metal-oxide semiconductor field-effect transistor (MOSFET), and other active devices are altered by impinging photon radiation and temperature in the space environment. In this paper, the threshold voltage, the breakdown voltage, and the on-resistance for two kinds of MOSFETs (200 V and 100 V of $V_{DSS}$) are tested for ${\gamma}-irradiation$ and compared with the electrical specifications under the pre- and post-irradiation low dose rates of 4.97 and 9.55 rad/s as well as at a maximum total dose of 30 krad. In our experiment, the ${\gamma}-radiation$ facility using a low dose, available at Korea Atomic Energy Research Institute (KAERI), has been applied on two commercially available International Rectifier (IR) products, IRFP250 and IRF540.

저자의 다른 논문

참고문헌 (7)

  1. Ionizing Radiation Effects in MOS Devices and Circuits , Ma, T.P.;Dressendorfer, Paul V. , / v.,pp., 1989
  2. 200 V N-Channel MOSFET, IRFP250 Datasheet , International Rectifier , / v.,pp., 2001
  3. Microelectronics , Milman, Jacob;Grabel, Arvin , / v.,pp.138-1987, 0000
  4. On the Design of Field Limiting Ring for Improving Corner Breakdown Voltage , Lee, S.Y.;Lho, Y.H.;Kim, J.D. , Proc. PEMC ‘98 / v.,pp.41-44, 1998
  5. Analysis and Design of Analog Integrated Circuits , Gray, Paul R.;Meyer, Robert G. , / v.,pp., 1993
  6. Total Dose Effects in MOS Devices, Short Course III-47 , Schwank, Jim , IEEE Nuclear Space Radiation Effects Conf. / v.,pp., 2002
  7. A New SOI LDMOSFET Structure with a Trench in the Drift Region for a PDP Scan Driver IC , Son, Won-So;Kim, Sang-Gi;Sohn, Young-Ho;Choi, Sie-Young , ETRI J. / v.26,pp., 2004

이 논문을 인용한 문헌 (2)

  1. 2010. "" International journal of aeronautical and space sciences, 11(3): 201~205 
  2. 2011. "" 전기전자학회논문지 = Journal of IKEEE, 15(2): 143~148 

원문보기

원문 PDF 다운로드

  • ScienceON :
  • KCI :

원문 URL 링크

원문 PDF 파일 및 링크정보가 존재하지 않을 경우 KISTI DDS 시스템에서 제공하는 원문복사서비스를 사용할 수 있습니다. (원문복사서비스 안내 바로 가기)

상세조회 0건 원문조회 0건

DOI 인용 스타일