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논문 상세정보

Radiation Effects on the Power MOSFET for Space Applications

ETRI journal v.27 no.4 , 2005년, pp.449 - 452  

The electrical characteristics of solid state devices such as the bipolar junction transistor (BJT), metal-oxide semiconductor field-effect transistor (MOSFET), and other active devices are altered by impinging photon radiation and temperature in the space environment. In this paper, the threshold voltage, the breakdown voltage, and the on-resistance for two kinds of MOSFETs (200 V and 100 V of $V_{DSS}$) are tested for ${\gamma}-irradiation$ and compared with the electrical specifications under the pre- and post-irradiation low dose rates of 4.97 and 9.55 rad/s as well as at a maximum total dose of 30 krad. In our experiment, the ${\gamma}-radiation$ facility using a low dose, available at Korea Atomic Energy Research Institute (KAERI), has been applied on two commercially available International Rectifier (IR) products, IRFP250 and IRF540.

저자의 다른 논문

참고문헌 (7)

  1. Ionizing Radiation Effects in MOS Devices and Circuits , Ma, T.P.;Dressendorfer, Paul V. , / v.,pp., 1989
  2. 200 V N-Channel MOSFET, IRFP250 Datasheet , International Rectifier , / v.,pp., 2001
  3. Microelectronics , Milman, Jacob;Grabel, Arvin , / v.,pp.138-1987, 0000
  4. On the Design of Field Limiting Ring for Improving Corner Breakdown Voltage , Lee, S.Y.;Lho, Y.H.;Kim, J.D. , Proc. PEMC ‘98 / v.,pp.41-44, 1998
  5. Analysis and Design of Analog Integrated Circuits , Gray, Paul R.;Meyer, Robert G. , / v.,pp., 1993
  6. Total Dose Effects in MOS Devices, Short Course III-47 , Schwank, Jim , IEEE Nuclear Space Radiation Effects Conf. / v.,pp., 2002
  7. A New SOI LDMOSFET Structure with a Trench in the Drift Region for a PDP Scan Driver IC , Son, Won-So;Kim, Sang-Gi;Sohn, Young-Ho;Choi, Sie-Young , ETRI J. / v.26,pp., 2004

이 논문을 인용한 문헌 (2)

  1. 2010. "" International journal of aeronautical and space sciences, 11(3): 201~205 
  2. 2011. "" 전기전자학회논문지 = Journal of IKEEE, 15(2): 143~148 


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