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NTIS 바로가기ETRI journal, v.27 no.1, 2005년, pp.95 - 101
Shin, Dong-Soo (Department of Applied Physics, Hanyang University)
Waveguide structures of the stand-alone electroabsorption (EA) modulator and the electroabsorption modulated laser (EML) are investigated using the 3D beam propagation method. The EA waveguide structures with InP-based passivation layers show saturation in the extinction ratio (ER) due to the stray ...
Loi, K.K., Sakamoto, I., Mei, X.B., Tu, C.W., Chang, W.S.C.. High-efficiency 1.3 μm InAsP-GaInP MQW electroabsorption waveguide modulators for microwave fiber-optic links. IEEE photonics technology letters : a publication of the IEEE Laser and Electro-optics Society, vol.8, no.5, 626-628.
Ougazzaden, A., Devaux, F.. Strained InGaAsP/InGaAsP/InAsP multi-quantum well structure for polarization insensitive electroabsorption modulator with high power saturation. Applied physics letters, vol.69, no.27, 4131-4132.
Moodie, D.G., Harlow, M.J., Guy, M.J., Perrin, S.D., Ford, C.W., Robertson, M.J.. Discrete electroabsorption modulators with enhanced modulation depth. Journal of lightwave technology : a joint IEEE/OSA publication, vol.14, no.9, 2035-2043.
Ellis, A.D., Tatham, M.C., Davies, D.A.O., Nessett, D., Moodie, D.G., Sherlock, G.. 40 Gbit/s transmission over 202 km of standard fibre using midspan spectral inversion. Electronics letters, vol.31, no.4, 299-301.
Rolland, C., Mak, G., Bardyszewski, W., Yevick, D.. Improved extinction ratio of waveguide electroabsorption optical modulators induced by an InGaAs absorbing layer. Journal of lightwave technology : a joint IEEE/OSA publication, vol.10, no.12, 1907-1911.
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