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탄소나노튜브 밀도의 변화에 따른 전자방출 안정성 연구
Electron emission stability from CNTs with various densities 원문보기

韓國眞空學會誌 = Journal of the Korean Vacuum Society, v.14 no.4, 2005년, pp.258 - 262  

임성훈 (경희대학교 정보디스플레이학과 및 차세대디스플레이센터) ,  윤현식 (경희대학교 정보디스플레이학과 및 차세대디스플레이센터) ,  유제황 (경희대학교 정보디스플레이학과 및 차세대디스플레이센터) ,  문종현 (경희대학교 정보디스플레이학과 및 차세대디스플레이센터) ,  박규창 (경희대학교 정보디스플레이학과 및 차세대디스플레이센터) ,  장진 (경희대학교 정보디스플레이학과 및 차세대디스플레이센터) ,  문병연 (경운대학교 안경광학과)

초록
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본 연구는 실리콘 질화막 박막을 덮개층으로 사용하여 탄소나노튜브를 성장하고, 성장된 나노튜브의 전자방출특성을 조사하였다. 탄소 나노튜브는 triode PE-CVD 장치에 의해 성장되었으며, 탄소나노튜브의 밀도는 실리콘 질화막의 두께에 따라 크게 변하였다. 탄소 나노튜브의 밀도가 $10^{4}$/$cm^{2}$에서 전자방출 특성이 가장 우수하였으며, 이때 전자방출특성은 문턱전계 1.2 V/$\mu$m, 전류밀도는 3.6 V/$\mu$n의 전기장에서 0.17 mA/$cm^{2}$으로 측정 되었다. 또한, 진공 챔버에서 질소($N_{2}$) 분위기 하에서 전자방출 안정성을 조사하였으며, 탄소나노튜브의 밀도가 감소함에 따라 전자방출 안정성이 향상되었고, 탄소나노튜브의 밀도가 $10^{4}$/$cm^{2}$ 인 경우 $1\times10^{-4}$ A/$cm^{2}$ 이상의 전류가 흐르는 특성을 보였으며, 이 경우 $1\times$$10^{-5}$ Torr의 압력하에서 방출 전류의 안정도는 최소인 $2\%$를 유지하였다.

Abstract ▼ AI-Helper 아이콘AI-Helper

We report on the field emission properties from vertically aligned carbon nanotubes (CNTs) produced by a triode PECVD with a SiNx capping layer on metal catalyst. It is found that the CNTs density can be controlled by the capping layer thickness and decreases with increasing SiNx thickness. The CNT ...

주제어

#탄소나노튜브   #삼중전극 화학기상반응장치   #실리콘질화막 보호층   #탄소나노튜브 밀도 전자방출 안정성  

참고문헌 (15)

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