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제안 방법
- �-Ti 등의등의 4가지 시편을 #120~#2000으로 기계적 연마를 한 후, 1/m까지 미세연마하였다. 이러한 시편을 5M NaOH로 알칼리 처리를 한 후, 600℃에서 열처리하여 주사 전자현미경으로 표면을 관찰하였다. 또한 이러한 재료들의 생체적합성에 필수적인 아파타이트의 형성 능력을 검토하기 위하여 SBF에서 1~10일간 침 적 후에 관찰하였다.
- 이러한 시편을 5M NaOH로 알칼리 처리를 한 후, 600℃에서 열처리하여 주사 전자현미경으로 표면을 관찰하였다. 또한 이러한 재료들의 생체적합성에 필수적인 아파타이트의 형성 능력을 검토하기 위하여 SBF에서 1~10일간 침 적 후에 관찰하였다.
- 생체환경 하에서의 부식 특성에 따른 HAp생성능력을 관찰하기 위하여 SBF용액을 사용하여 polarization curve test (PCT)를 실시하여 시편에 따른 부식전 위에 대하여 연구하였다.
- 시편 표면에 생성되는 아파타이트를 조사하기 위하여, 먼저 5M NaOH처리와 600℃에서 열처리한 시편을 폴리스틸렌 병속의 30ml의 SBF에 침적시켰다, 이 시편을 36.5℃의 인큐베이터에서 1司0일간 보관하였타, 표면의 아파타이트 생성을 조사하기 위하여 SBF에 침척한 시편을 1, 3, 5, 7, 10일 순으로 꺼내어 층류수로 잘 씻은 다음 건조시켰다. 그런 다음 주사쳔자 현미켱 (SEM, Scanning Electron Microscope, JEOL-5200)을 사용하여 관찰하였다.
- 5℃의 인큐베이터에서 1司0일간 보관하였타, 표면의 아파타이트 생성을 조사하기 위하여 SBF에 침척한 시편을 1, 3, 5, 7, 10일 순으로 꺼내어 층류수로 잘 씻은 다음 건조시켰다. 그런 다음 주사쳔자 현미켱 (SEM, Scanning Electron Microscope, JEOL-5200)을 사용하여 관찰하였다.
- 시편 제작 시 형성된 산화막을 제거하기 위하여 #2000의 SiC 연마지로 기계적 연마하였다. 피복된 Cu를 용접한 후 epoxy resin으로 마운팅하여 각시 편의 노출 면적 (=2.52/이같도록 제작한 후 시편의 노출된 부분을 까지 미세연마한 후 건조하였다.
- 그리고 NaOH 처리 후 600℃로 열처리를 한 이유는 600℃에서 열처리한 시편을 36.5。(2의 SBF에 침적한 경우 72시간 만에 표면 아파타이트가 관찰되었으나, 800℃ 에서 열처리하여 SBF에 침적한 경우는 168시간 만에 표면 아파타이트가 관찰되었다는 보고와 700℃ 이상의 온도에서는 sodium titanate의 결정이 발견되었기 때문에, 본 실험에서는 apatite 형성 시간이 적게 소요되는 600℃ 로 열처리하였다.
- 5wt.%Fe- Ti의 표면을 EDAX로 조사하였다.(Fig.
- 5wt.%Fe-Ti 표면 양상과 SBF에 1일~10일까지 침적시킨 후 의 아파타이트 형성을 비교 조 사하였다.
- 6H2O, 1 mol/dm3 HC1, CaCl2, NazSQ의 시약 순서대로 상기폴리에틸렌 비이커의 증류수 속에 교반시키면서 넣었다. 최종적으로 비이커 속의 용액의 pH가 36.5℃에서 7.4가 되도록 tris-buffer solution (tris(hydroxymethyl) aminomethane, (CJEOHBCNH?, Nalacai, Japan)과 1N-HC1 용액을 사용하여 조절하였다. 최종적으로 증류수를 채워 전체 용량이 1 17\ 되도록 맞춘 후 사용하였다.
대상 데이터
- 5wt.�-Ti 등의등의 4가지 시편을 #120~#2000으로 기계적 연마를 한 후, 1/m까지 미세연마하였다. 이러한 시편을 5M NaOH로 알칼리 처리를 한 후, 600℃에서 열처리하여 주사 전자현미경으로 표면을 관찰하였다.
- 5wt.%Fe-Ti(Daido Steel Co. Ltd, Japan, 705℃에서 1시간 30분 등 온 조건에서 어닐링 열처리)합금을 사용하였으며, 그에 대한 조성표를 Table 1에 나타내었다. 이런 시편 틀을 #120과 #2000의 SiC 연마지로 연마한 후, 1 冲까지 미세연마를 하였다.
- Ltd, Japan, 705℃에서 1시간 30분 등 온 조건에서 어닐링 열처리)합금을 사용하였으며, 그에 대한 조성표를 Table 1에 나타내었다. 이런 시편 틀을 #120과 #2000의 SiC 연마지로 연마한 후, 1 冲까지 미세연마를 하였다. 그런 후 폴리에틸렌 병에 ethanol을 30 ml 넣고 10분간 초음파 세척한 다음 40℃ 건조기에셔건조하였다.
- 시편 제작 시 형성된 산화막을 제거하기 위하여 #2000의 SiC 연마지로 기계적 연마하였다. 피복된 Cu를 용접한 후 epoxy resin으로 마운팅하여 각시 편의 노출 면적 (=2.
이론/모형
- Polarization curve 측정은 ASTM G61-86에 따라 수행되어졌으며, -500mV에서 500mV의 구간에서 5 mV/s의 스캔 속도로 potentiostat를 이용하여 측정하였다?)시편의 충분한 반응을 위하여 500 ml의 SBF에서 측정하였으며, 측정이 끝난 후 새것으로 교체 후 측정하였다.
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