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대신호 등가회로 모델을 이용한 850nm Oxide VCSEL의 저전류 동작 특성 연구
A Study on Low-Current-Operation of 850nm Oxide VCSELs Using a Large-Signal Circuit Model 원문보기

電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체, v.43 no.10 = no.352, 2006년, pp.10 - 21  

장민우 (삼성전자 메모리 사업부) ,  김상배 (아주대학교 전자공학과)

초록
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850nm oxide VCSEL의 저전류 동작 가능성을 확인하기 위하여 off 전류와 on 전류를 최대한 낮춘 상태에서 VCSEL의 특성을 살펴보았다. Oxide VCSEL의 모델링을 위해 비율 방정식을 이용하여 대신호 등가회로를 만들었고, 실험 결과와 시뮬레이션 결과의 비교를 통해 각각의 계수와 특성변수를 추출하였다. 동특성에 큰 영향을 주는 커패시턴스 성분은 C-V 미터로 측정, 분석하였다. 완성된 대신호 등가회로 모델을 이용하여 커패시턴스 성분, 그리고 on 전류와 off 전류가 turn-on 특성과 turn-off 특성, eye-diagram에 미치는 영향을 분석하였다. 그 결과 지금까지는 무시해왔던 요소인 depletion 커패시턴스가 turn-on 특성에 큰 영향을 미치고, eye-diagram에도 큰 영향을 준다는 사실을 확인하였다. 그러므로 VCSEL의 고속 동작과 저전류 동작을 동시에 구현하기 위해서는 depletion 커패시턴스를 감소시키는 공정이 필요하다.

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

We have studied the characteristics of oxide VCSELS when their off-current and on-current are kept small in order to find out the possibility of low current operation. A large signal equivalent circuit model has been used. By comparing measured data and simulation results, the parameters of the larg...

주제어

AI 본문요약
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문제 정의

  • 상품으로 생산되는 oxide VCSEL을 저전류로 동작시킬 때 나타날 수 있는 문제점에 대하여 알아보았다. 가장 심각한 문제는 turn-on 지연과 timing noise였고, 레이저 다이오드의 커패시턴스와 on/off 전류에 의해 결정된다.
  • 이 연구에서는 비율 방정식을 이용하여 VCSEL의 등가회로 모델을 보이고, 이를 이용하여 저전류 동작에 영향을 미치는 요소들을 살펴보았다. 특히 depletion 커패시턴스의 영향에 주목하였다.

가설 설정

  • 변화하게 된다. 이에 따라 선형 저항과 비선형 저항의 합으로 주어지는 것으로 가정하였다.
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참고문헌 (11)

  1. Carl Wilmsen, Henryk Temkin, and Larry A. Coldren, Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers, (Cambridge Univ, 1999) 

  2. G. E. Giudice, D. V. Kuksenkov, and H. Temkin, 'Measurement of Differential Carrier Lifetime in Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers,' IEEE Photonics Technology Letters, Vol. 10, no. 1, pp.920-922, July. 1998 

  3. P. V. Mena, J. J. Morikuni, S.-M. Kang, A. V. Harton, and K W. Wyatt, 'A Simple Rate-Equation-Based Thermal VCSEL Model,' IEEE Journal of Lightwave Technology, Vol. 17, no. 5, pp. 865-872, May. 1999 

  4. 김상배,'레이저 다이오드의 비이상적인 전류-전압 미분특성에 관한 연구,' 전자공학회 논문지,제 28 권 A편,제 10호, 830-839쪽,1991년 10월 

  5. K. Konnerth and C. Lanza, 'Delay Between Current Pulse and Light Emission of A Gallium ?Arsenide Injection Laser,' Appl. Phys. Lett, Vol. 4, no. 7, pp 120-121, April 1964 

  6. R. W. Dixon and W. B. Joyce, 'Generalized Expressions for the Turn-on Delay in Semiconductor lasers,' J. Appl. Phys. Vol. 50(7), pp. 4591-4595, March 1979 

  7. Stephane Barland, Piemicol.a Spinicelli, Giovanni Giacomelli, and Francesco Mann, 'Measurement of the Working Parameters of an Air-Post Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser,' IEEE Journal qf Quantum Electronics. Vol. 41, no. 10 pp 1235-1243, October 2005 

  8. L. Zei, K. Petermann, R. Jager, and K. J. Ebeling, 'Operation Range of VCSEL Interconnect Links with 'Below-Threshold'-Biasing,' IEEE Journal of Lightwave Technology, Vol. 18, no. 4 pp 477-481, April 2000 

  9. J. Dellunde, M. C. Torrent, J. M. Sancho, and K. A. Shore, 'Statistics of Transvers Mode Turn-On Dynamics in VCSEL's,' IEEE Journal of Quantum Electronics, Vol. 33, no. 7 pp 477-481, July 1997 

  10. J. J. Morikuni, P. V. Mena, A V. Harton, K W. Wyatt and S.-M. Rang, 'Spatially Independent VCSEL Models for the Simulation of Diffusive Turn-Off Transients,' IEEE Journal of Lightwaver Technology, Vol. 17, no. 1 pp 95-102, January 1999 

  11. 김태용, 김상배, '전달 행렬 방법을 이용한 850 nm 수직 공진기 레이저 구조의 최적 설계,' 전자공학회 논문지, 제 41권, SD편, 제 1호, 835-846쪽, 2004년 1월 

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