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활성제 첨가에 따른 ZnGa2O4 형광체의 발광특성
Luminescence Characteristics of ZnGa2O4 Phosphors with the Doped Activator 원문보기

전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.19 no.5, 2006년, pp.432 - 436  

홍범주 (경원대학교 전기정보공학과) ,  최형욱 (경원대학교 전기정보공학과)

Abstract ▼ AI-Helper 아이콘AI-Helper

The $ZnGa_2O_4$ and Mn, Cr-doped $ZnGa_2O_4$ Phosphors were synthesized through conventional solid state reactions. The XRD patterns show that the $ZnGa_2O_4$ has a (3 1 1) main peak and a spinel phase. The emission wavelength of $ZnGa_2O_4$ showed main pe...

주제어

# $ZnGa_2O_4$   #Phosphor   #Solid state reaction   #Cathodoluminescence(CL)  

AI 본문요약
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제안 방법

  • diffract。-meter(XRD)를 사용하였고, 시편의 형상은 주사전자현미경(Scanning Electron Microscope, SEM)을 사용하여 조사하였으며, cathodoluminescence (CL) 측정 장비가 장착된 FEI 사의 environmental scanning electron microscope (ESEM)을 이용하여 300nm부터 800 nm까지 의 발광 특성을 측정하였다.
  • )3 . 9压0를 첨가하여 ZnGa2O4:Mn, ZnGa2O4:Cr 형광체를 각각 제작하여 형광체 제조시 활성제의 첨가량이 ZnGa2O4 스피넬 상의 형성 및 발광 특성에 미치는 영향을 조사하였다.
  • ZnGa2O4 형광체를 제작하기 위하여 ZnO(99.99 %, Aldrich)와 Ga2O3(99.99 %, Aldrich), 파우더를 1:1의 비율 (mole ratio)로 혼합한 후 폴리 프로필렌 용기에 에탄올과 ZrO2 ball을 이용하여 24시간 동안 습식혼합 및 분쇄하였다. 이 혼합물을 100 ℃ 의 건조 오븐을 통하여 완전 건조시키고 결합제와 혼합하여 15 0의 금속 molder에 넣고 1 ton/cnf의압력을 가하여 disc모양으로 성형하였다.
  • 고상 반응을 이용하여 ZnGazO4 형광체를 제작하였고, 다양한 활성제 첨가를 통하여 발광파장의 변화를 고찰하였고 다음과 같은 결론을 도출하였다.
  • 따라서 본 논문에서는 고상법을 이용하여 ZnGa2O4 형광체를 제작하였고, 또한 제작된 ZnGa2O4 형광체에 MnO2 및 Cr(NO3)3 . 9压0를 첨가하여 ZnGa2O4:Mn, ZnGa2O4:Cr 형광체를 각각 제작하여 형광체 제조시 활성제의 첨가량이 ZnGa2O4 스피넬 상의 형성 및 발광 특성에 미치는 영향을 조사하였다.
  • 결합제가 제거된 시편은 상승온도 5 ℃/min로 소결온도(1000 ℃-1400 ℃)까지 승온한후 5시간 동안■유지하고 furnace에서 냉각하는 조건으로 소결하여 ZnGa2O4 형광체를 제작하였다. 또한 발광특성의 변화를 고찰하기 위하여 MnO2 와 Cr(NC)3)3 , 9田0를 다양한 몰비 (mole ratio) 로첨가하여 위와 같은 과정을 통하여 ZnGa2O4:Mn, ZnGa2O4: Cr 형광체를 각각 제작하였다.
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참고문헌 (9)

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    상세보기 crossref

  3. I. J.Hsieh, K. T. Chu, C. F. Yu, and M. S. Feng, 'Cathodoluminescent characteristics of $ZnGa_2O_4$ phosphor grown by radio frequency magnetron sputtering', J. Appl. Phys., Vol. 76, No.6, p. 3735, 1994 

  4. 김용천, 홍범주, 권상직, 김경환, 최형욱, ' $ZnGa_2O_4$ 형광체 박막의 제작 및 특성', 한국전기전자재료학회 2004추계학술대회논문집, p. 539, 2004 

  5. H. I. Kang, J. S. Kim, M. Lee, J. H. Bahng, J. C. Choi, H. L. Park, G. C. Kim, T. W. Kim, Y.H. Hwang, S.I. Mho, S. H. Eom, Y. S. Yu, H. J. Song, and W. T. Kim, 'Tunable color emission of $ZnGa_2O_4:Si^{4+}$ phosphors with enhanced brightness due to donor formation', Solid State Commun., Vol. 122, No. 12, p. 633, 2002 

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  7. T. Abritta and F. H. Blak, ':Luminescence study of $ZnGa_2O_4:Co^{24n}$ ', J. Lumin., Vol. 48-49, No. 2, p. 558, 1991 

  8. C. F. Yu and P. Lin, 'Manganese-activated luminescence in $ZnGa_2O_4$ ', J. Appl. Phys., Vol. 79, No. 9, p. 7191, 1996 

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  9. T. Ohtake, N. Sonoyama, and T. Sakata, 'Electrochemical luminescence of $ZnGa_2O_4$ semiconductor electrodes activated with Cr and Co', Chemical Physics Letters, Vol. 308, No. 6, p. 517, 2000 

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