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차세대 비휘발성 메모리 소자를 위한 상변화 메모리 (Phase Change Memory) 기술의 특징 및 발전 방향 원문보기

電子工學會誌 = The journal of Korea Institute of Electronics Engineers, v.33 no.5 = no.264, 2006년, pp.56 - 64  

조만호 (한국 표준과학 연구원 전략기술연구부 첨단산업측정그룹)

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  • 24㎛ CMOS 공정을 이용하여 MOSFET를 이용한 소자를 만들었으며 고속동작' endurance, data retention 등의 측정을 통해 차세대 메모리로의 가능성을 확인하였다. 또한 기억소자의 구조를 edge contact type으로 만들었으며 30ns 펄스를 이용하여 set 전류 0.13 mA, reset 전류 0.2 mA의 GeSbTe 물질의 전기적 특성을 측정하였다. 이후 2003년 7 월에는 PRAM의 테스트소자를 만들었다고 발표하였다.
  • 이는 우주 공간에서 사용가능한 메모리에 대한 실험으로 radiation-hardened CMOS 공정을 이용하여 chalcogenide 기반의 메모리 소자를 제작하여 실험하였다. 여기서는 한 개의 트랜지스터와 한 개의 chalcogenide 기억 소자를 결합하는 lEansistor-lResistor의 구성으로 제작하였다. 이 소자는 set 전류가 0.
  • BAE systems는 공동연구를 통해 OUM 의 우주방사선이나 전자파에 의한 영향에 대해 연구, 발표하였다. 이는 우주 공간에서 사용가능한 메모리에 대한 실험으로 radiation-hardened CMOS 공정을 이용하여 chalcogenide 기반의 메모리 소자를 제작하여 실험하였다. 여기서는 한 개의 트랜지스터와 한 개의 chalcogenide 기억 소자를 결합하는 lEansistor-lResistor의 구성으로 제작하였다.
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