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제안 방법
- EUV 파장의 빛을 이용하여 EUV 리소그래피용 마스크 기판의 결함을 검출해 내는 시스템을 만들어 실제로 결함을 검출해 내는 실험을 진행하였다. 포커스된 EUV 빛을 래스터 스캔 방식으로 조사하여 반사되는 빛과 스캐터링되는 빛의 세기를 측정함으로서 결함을 검출해내는 시스템으로 결함 검출 능력은 결함의 높이 기준으로 2nm 수준까지 검출이 가능하였다.
- 이때 반사되는.JnighL field 반사광과 scattered된 dark field 반사광을 각각 photo diode와 micro channel plate를 이용하여 angular integration된 값을 비교하여 defect를 검출하게 된다. 하지만 integration된 값은 defect를 검출하는 면에서는 좋은 정보를 제공하지만, defect의 특성, 예를 들면 크기, 형태, 재질 등에 대한정보는 전형 제공하지 못하는 단점이 있다.
- 5呻 크기의 defect를 phase defect의 형태와 opaque defect의 형태로 제작하였다. phase defect의 경우 Mo/Si 다층 박막을 입히기 전에 기판에 0.25iim depth로 식각한 후 다층박막을 도포하여 제작하였고, opaque defect의 경우는 다층박막을 도포한 후 0.15um 두께의 A1 을 도포하여 여러가지 크기의 programmed defect array를 제작하였다.
- 또한 다른 양산용 검출 기법들과의 상호 상관실험 (cross correlation experiment)를 통하여 기술 개발의 초기 단계에서 많은 정보를 제공할 수 있을 것이다. 광학 파장을 이용하는 검출 장비와 EUV 파장을 이용하는 검출 장비 사이의 상호 상관 실험 (cross correlation experiment)을 진행하기 위하여 우선 다층박막이 입혀진 마스크 blank의 native defect를 광학 검출 장비로 검사하고 다시 EUV 검출 장비를 이용하여 검출하여 상관관계를 조사한다. 상호간의 defect map을 비교하는 과정을 통하여 광학 검출 장치로는 발견되지 못하는 defect를 발견할 수도 있을 것이다.
- 그림 2의 장치를 이용하여 foucsed EUV 빛이 defect 에 조사되었을 때의 dark field fringe pattern을 분석함으로서 defect의 크기별 종류별 특성 분석을 시도하였다. 먼저 0.
- 기존의 가시광선을 이용하여 dark field scattering을 검출하여 defect를 검출해 내는 두 회사의 장비들과 EUV 광선을 이용하는 at-wavelength 검사 장비의 결함 검출 능력을 비교하였다. 6인치 웨이퍼 위에 60nm 크기의 Au sphere를 랜덤하게 뿌리고, 그 위에 80층의 Mo/Si 겹층으로 도포된 마스크 기판을 실험에 이용하였다.
- 6인치 웨이퍼 위에 60nm 크기의 Au sphere를 랜덤하게 뿌리고, 그 위에 80층의 Mo/Si 겹층으로 도포된 마스크 기판을 실험에 이용하였다. 먼저 Mo/Si 다층박막을 도포하기 전에 가시광선을 이용하는 장비를 이용하여 Si 웨이퍼 위에 뿌려진 60nm 크기의 Au sphere를 검출한 후 Mo/Si 다층박막을 도포한 후 at-wavelength(actinic) 검출 장비를 이용하여 검사를 진행한 후, 다시 두 회사의 가시광선을 이용하는 장비를 이용하여 검출 실험을 진행하였다.
- 검출해 내는 실험을 진행하였다. 포커스된 EUV 빛을 래스터 스캔 방식으로 조사하여 반사되는 빛과 스캐터링되는 빛의 세기를 측정함으로서 결함을 검출해내는 시스템으로 결함 검출 능력은 결함의 높이 기준으로 2nm 수준까지 검출이 가능하였다.
대상 데이터
- 검출 능력을 비교하였다. 6인치 웨이퍼 위에 60nm 크기의 Au sphere를 랜덤하게 뿌리고, 그 위에 80층의 Mo/Si 겹층으로 도포된 마스크 기판을 실험에 이용하였다. 먼저 Mo/Si 다층박막을 도포하기 전에 가시광선을 이용하는 장비를 이용하여 Si 웨이퍼 위에 뿌려진 60nm 크기의 Au sphere를 검출한 후 Mo/Si 다층박막을 도포한 후 at-wavelength(actinic) 검출 장비를 이용하여 검사를 진행한 후, 다시 두 회사의 가시광선을 이용하는 장비를 이용하여 검출 실험을 진행하였다.
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