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논문 상세정보

극자외선 리소그래피용 마스크의 결함 검출

Defect Inspection of Extreme Ultra-Violet Lithography Mask

초록

본 논문은 극자외선 리소그래피용 마스크의 결함을 극자외선을 이용하여 검출하는 방법과 기존의 가시광선을 이용하여 결함을 검출해 내는 시스템과 비교하고, 인위적으로 만들어진 결함을 이용하여 극자외선이 결함에 조사되었을 때의 반사되는 패턴을 분석하였다. 포커스된 극자외선을 래스터 스캔 방식으로 조사하면서 반사되는 극자외선의 세기를 비교함으로서 결함을 발견해 내는 시스템을 구축하였고, 이를 이용하여 기존의 가시광선을 이용하는 결함 검출 장비와 상관 실험을 진행하여 반사된 빛의 세기로 예측한 결함의 크기가 두 검출 방법 사이에 강한 상관관계를 가짐을 확인하였다. 또한, 인광판을 이용하여 극자외선이 결함에 조사되어 반사되는 패턴을 영상화하여 크기별, 결함의 종류별로 다른 프린지 패턴을 가지는 것을 확인하였다.

Abstract

At-wavelength inspection system of extreme Ultra-violet lithography was developed and the inspection results were compared with the optical mask inspection system by cross correlation experiments. In at-wavelength EUV mask inspection system, a raster scan of focused euv light is used to illuminate euv light to mask blank and specularly and non-specularly reflected euv light are detected by photo diode and microchannel plate. The cross correlation results between at-wavelength inspection tool and optical inspection tool shows strong correlation. Far-field scattering fringe pattern from programmed phase and opqque defect, which were detected by phosphor plate and CCD camera shows that distinct diffraction fringes were observed with fringe spacing dependent on the defect size.

저자의 다른 논문

참고문헌 (6)

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