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무선 LAN용 고효율 E급 증폭기 설계
Design of a High Efficiency Class E Amplifier for Wireless LAN 원문보기

電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. TC, 통신, v.43 no.8 = no.350, 2006년, pp.91 - 96  

박찬혁 (인천대학교 전자공학과) ,  구경헌 (인천대학교 전자공학과)

초록
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스위칭모드로 동작하는 증폭기는 수 MHz 대역이상의 주파수에서 고효율의 특성을 가지고 있다고 알려져 있으며, 이러한 스위칭모드 증폭기 중 I급 증폭기는 이론적으로 스위칭 동작을 통해 100%의 효율을 얻을 수 있다. 본 논문에서는 회로 시뮬레이터를 이용한 하모닉 밸런스 해석을 통해 E급 증폭기를 설계하였다. 설계된 증폭기는 pHEMT 및 마이크로스트립선로로 구현하였으며, 제작된 E급 증폭기는 2.4GHz에서 출력전력이 17.6dBm일 때 66%의 전력부가효율을 가진다. 이 증폭기는 -3dBm의 입력 무선랜 신호를 인가하였을 때 출력스펙트럼 측정 결과가 무선랜 스펙트럼 마스크 표준규격을 만족한다. 즉, $P_{ldB}$의 출력스펙트럼은 요구 스펙트럼 마스크를 만족하지 못하며 9dB back off을 하였을 때 요구 스팩트럼을 만족하는 결과를 나타내었다.

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

High efficiency switching mode circuits such as class I amplifiers have been well known in the MHz frequency range. The class E amplifier is a type of switching mode amplifier offering very high efficiency approaching 100%. In this paper, the class E amplifier has been designed by using the harmonic...

주제어

AI 본문요약
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문제 정의

  • 본 논문에서는 IEEE 802.11g 표준안에 근거한 54Mbps의 데이터 전송속도를 갖는 2.4GHz OFDM 무선 LAN 시스템을 모델링하였다. 최초 생성된 신호는 64-QAM 변조방식으로 mapping 되며 IFFT 처리후 guard interval과 wave shaping 단계를 거쳐 I/Q modulator에 인가되어 RF 송신부로 보내어진다.
  • 본 논문에서는 무선 랜에 응용하기 위한 고효율, 저전압 동작 특성을 갖는 E 급 증폭기를 설계하고 출력스펙트럼 특성을 분석 제시하고자 하였다. 본 논문의 II장에서는 E급 전력증폭기의 기본적인 개념과 특징, in장과 IV장에서는 설계 및 시뮬레이션, 측정 결과에 대해 서술하고 마지막으로 결론을 V장에 기술하였다.
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참고문헌 (9)

  1. F. H. Raab, 'Idealized operation of the class E tuned power amplifier,' IEEE Trans. Circuits Syst., vol. CAS-25, pp. 725-735, Dec. 1977 

  2. N. O. Sokal and A. D. Sokal, 'Class E -a new class of high-efficiency tuned single ended switching power amplifiers,' IEEE J. Solid-State Circuits, vol. SC-10, pp. 168-176, Jun. 1975 

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  5. A. J. Wilkinson and J. K. A. Everard, 'Transmission line load-network topology for class-E power amplifiers,' IEEE Trans. MTT, vol. 49, pp. 1202-1212, Jun. 2001 

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  7. F.Wang, A. Ojo, D. Kimball, P. Asbeck, and L. Larson, 'Envelope tracking power amplifier with pre-distortion linearization for WLAN 802.11g,' IEEE MTT-S Int. Microwave Symp. Dig., vol. 3, pp. 1543-1546, Jun. 2004 

  8. N.Borges de Carvalho and J.C. Pedro, 'Twotone IMD asymmetry in microwave power amplifiers,' in IEEE MTT-S Int Microwave Symp. Dig., Boston, MA, pp. 445-448, 2000 

  9. J. Vuolevi, T. Rahkonen, and J. Manninen, 'Measurement technique for characterizing memory effects in RF power amplifiers,' IEEE Trans. Microwave Theory Tech, vol. 49, no. 8, pp. 1383-1389, Aug. 2001 

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