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기판의 종류에 따른 SAW 필터용 AlN 박막의 특성
Characteristics of AlN thin films for SAW filters based on substrates 원문보기

센서학회지 = Journal of the Korean Sensors Society, v.16 no.3, 2007년, pp.240 - 245  

고봉철 (현대자동차) ,  남창우 (울산대학교 전기전자정보시스템공학부)

Abstract ▼ AI-Helper 아이콘AI-Helper

AlN thin film for SAW filter application was deposited on (100) silicon, sapphire, $Si_{3}N_{4}$/Si, and $Al_{2}O_{3}$/Si substrates by reactive magnetron sputtering method, respectively. The structural characteristics were dependent on the structure of substrates. Scanning Ele...

주제어

#AlN thin film   #SAW filter $Al_{2}O_{3}$ buffer layer   #reactive magnetron sputter  

참고문헌 (14)

  1. M. Feldnann and J. Henaff, 'Surface acoustic waves for signal processing', Artech House Acoustics Library, 1989 

  2. 김진상, 정용철, 강종윤, 김달영, 남창우, 윤석진, '위 ？상변화를 이용한 표면탄성파 가스센서', 센서학회지, 제14권, 제3호, pp. 186-190, 2005 

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  3. 유범근, 박용욱, 강종윤, 윤석진, 최두진, 김진상, '가스 크로마토그래피를 부착한 표면탄성파 가스센서', 센서학회지, 제16권, 제1호, pp. 39-43, 2007 

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  4. W. C. shih, M. S. Wu, M. Shimizu, and T. Shiosaki, 'The effect of an $SiO_2$ buffer layer on the SAW properties of ZnO/ $SiO_2$ /GaAs structure', IEEE Trans. Ultrason. Ferroelec. Freq. Contr., vol. 40, no. 6, pp. 642-647, 1993 

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  5. J.-W. Soh, W.-J. Lee, J.-H. Park, and S.-W. Lee, 'SAW characteristics of AIN films deposited on various substrates using ECR plasma enhanced CVD and reactive RF sputtering', in Proc., IEEE Ultrason. Symp., pp. 299-302, 1996 

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  7. M. H. Lee, S. M. Chang, C. K. Park, J. B. Lee, and J. S. Park, 'Characterization of ZnOIDLC/Si SAW devices using FCVA-produced DLC films', in Proc., IEEE Freq. contr. Symp., pp. 70-73, 2002 

  8. J. P. Jung, J. B. Lee, J. S. Kim, and J. S. Park, 'Fabrication and characterization of high frequency SAW device with IDT/ZnO/AlN/Si configuration: role of AIN buffer', Thin Solid Films, xx (2003), xxx-xxx (article in press: Available online 14 November 2003.) 

  9. N. Ohshima, A. Wakahara, M. Yonezu, A. Yoshida, Y.C Jung, and H. Miura, 'GaN epitaxial growth on a Si(Ill) substrate using $\gamma$ - $Al_2$ $O_3$ as an intermediate layer', J. of the Korean Physical Soc., vol. 34, pp. S359-S363, 1999 

  10. V. Mortet, M. Nesladek, J. D'haen, G. Vanhoyland, O. Elmazria, M. B. Assouar, P. Alnot, and M. D'olieslaeger, 'Deposition of aluminum nitride film by magnetron sputtering for diamond-based surface acoustic wave applications', Phys. Stat. sol. (a) 193, no. 3, pp. 482-488, 2002 

    상세보기 crossref

  11. 나동명, 김영복, 박진성, 'DC Magnetron Sputter로 제조된 Pt 박막의 특성', 센서학회지, 제16권, 제2호, pp. 159-164, 2007 

    원문보기 상세보기 crossref

  12. F. S. Hickemell and H. M. Liaw, 'The structural and acoustic properties of sputtered aluminum nitride on silicon', in Proc., IEEE Ultrason. Symp., pp. 543546, 1995 

  13. H. M. Liaw, W. Cronic, and F.S. Hickernell, 'The SAW characteristics of sputtered aluminum nitride on silicon', IEEE Ultrason. Symp., pp. 267-271 1993 

  14. T. Pastureaud, A. Soufyane, S. Camou, S. Ballandras, D. schenck, F. semond, J. Desbois, and V. Laude, 'AIN and GaN layers deposited on sapphire or silicon substrates : theory and experiment', in Proc., IEEE Ultrason. Symp., pp. 293-297, 2000 

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