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성능/효과
- 비정질상 실리콘은 phsical vapor deposition (PVD) 방법에 의해 구리나 티 타늄 기 판상에 증착되며 이때 기 판 종류나 기판의 표면 상태에 따라 전기화학적인 특성이 달라진다. 또한 티타늄, 니켈 바나듐, 몰리브덴 등의 완중증(buffer layer)을 실리콘 박막상에 다중층(multi layer)으로 증착함으로써 싸이클 특성을 개선할 수 있으며 열처리 방법에 의해 실리콘과 완충 층간의 계면에 새로운 합금형태의 화합물을 형성시켜 전지의 안정성을 향상시킬 수 있다.
후속연구
- Sn/SnSb 합금 형태의 음극활물질은 전체 적 으로 전기 화학적 으로반응하기 때문에 방전용량은 높으나 싸이클 특성은 TCO 에 비해 다소낮아지는 특성을 나타내고 있다. 그러나 앞으로 이러한 합금 형태의 활물질개발과 더불어 전해액 조성의 최적화, SEI 형성과정, 적합한 전극 porosity, 3차원 전극 집 전체의 개발 등의 연구가 병행되면 차세대 전지의 음극활물질로 적용 가능성이 유망할 것으로 전망된다.
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