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제안 방법
- 는 것에 따라 스파터 입자의 충격을 완화시켜, 화합물박막의 성막을 실온에서 가능하게 한 경사대향타겟형 DC 마그네트론 스파터 장치 (DC magnetron sputtering) 를 사용하고, 타겟에 In2C>3(90wt%) 와 SnChQOwt.%) 의 소결체, 글라스기판을 사용하여 ITO 박막을 실온에서 성막 시켰다. 이때 기판온도의 상승을 억제하기 위하여 히터를 사용흐}지 않고, 타겟과 기판까지의 거리를 300mm로 일정하게 하고 기판을 4.
- + SnOaQOwt.%)의 소결체를 타겟으로 사용하여 글라스 기판에 ITO 박막을 성막시켰으며, ITO 박막의 기계적 특성에 대한 작업압력의 영향을 조사하였으며 다음과 같은 결론을 얻을 수 있었다.
- 기판표면에 도달하는 스파터된 입자의 운동에너지와 밀접한 관계가 있는 작업압력 (P㈣:Work pressure)과 성막된 ITO 박막의 결정성의 관계를 조사하기 위하여 X선 회절을 측정하였다. Fig.
- 3><l(rPa의 범위에서 계통적으로 변화시켰으며 기판온도의 상승을 방지하지 위하여 히터를 사용하지 않고, 실온에서 성막 하였다. 또한 증착속도에 의한 가판온도의 상승을 피하기 위하여 타겟의 전류를 낮게 억제하고 방전 시간을 30분으로 하였다. 성막중의 챔버 내의 온도는 거의 일정했다.
- 이상의 성막조건을 Table 1에 나타내었다. 시험 편으로 글라스 기판 7개를 제작하였고, 실험결과의 평균치를 이용하여 특성치를 산출하였다.
- 기판을 에틸알코올로 5분간 초음파세척한 후 챔버 내에 있는 치구에 글라스 기판을 설치하였다. 우선 챔버 안을 43x10% 까지 배기한 후 타겟 표면을 순도 99.99%의 Ar 가스를 이용하여 10분간 스파터 세척을 하였다. 그 후 타겟 전방의 셔터를 열어 순도 99.
- %) 의 소결체, 글라스기판을 사용하여 ITO 박막을 실온에서 성막 시켰다. 이때 기판온도의 상승을 억제하기 위하여 히터를 사용흐}지 않고, 타겟과 기판까지의 거리를 300mm로 일정하게 하고 기판을 4.5rpm으로 회전시켜 성막 시켰으며 작의 범위에서 변화업압력(Work pressu爬)을 시켜 ITO 박막의 결정성 분석과 기계적 특성에 미치는 작업 압력의 영향을 조사하였다.
대상 데이터
- ITO 박막은 Fig. 1의 경사대향타겟형 DC 마그네트론 스파터 장치를 사용하여 성막 시켰다. 타겟으로는 300x62x5mm의 In2Q3(90wt%)+SnQ2(10wt.
- %)의 . 소결체를 사용하였으며 40 의 크기를 가지는 글라스를 사용하였다. 기판을 에틸알코올로 5분간 초음파세척한 후 챔버 내에 있는 치구에 글라스 기판을 설치하였다.
- 1의 경사대향타겟형 DC 마그네트론 스파터 장치를 사용하여 성막 시켰다. 타겟으로는 300x62x5mm의 In2Q3(90wt%)+SnQ2(10wt.%)의 . 소결체를 사용하였으며 40 의 크기를 가지는 글라스를 사용하였다.
이론/모형
- HO박막재의 기계적 특성 경도와 탄성계수를 평가하기 위하여 연속 강성측정 (Continuous stiffness measurement, CSM) 방식의 나노인덴터 (Nano indenter XP, MIS)를 사용하였다. 인덴테이션의 최대변위를 160nm로 정하였으며, 탄성계수 및 경도는 시험횟수를 8회 실시한 후 평균값을 취하였다.
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