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탄소나노튜브의 합성기술 동향 및 전망 원문보기

전기전자재료 = Bulletin of the Korean institute of electrical and electronic material engineers, v.20 no.6, 2007년, pp.27 - 38  

곽정춘 (세종대 나노신소재공학부) ,  이내성 (세종대 나노신소재공학부)

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문제 정의

  • 5 mm의 높이까지 성장시켰다. 또한 이 방법은 재생 가능하고 다른 생산기술과 접목했을 경우 대량으로 고순도의 SWCNT를 합성할 수 있는 가능성을 제시하였다(그림 14).
  • CN叮를 발견한 후여 러 가지 합성 법들이 개발되 었으며, 대표적인 예로 전기 방전법(Electric Arc Discharge), 레이저 증발법 (Laser Evaporation), 화학기 상 증착법 등을 들 수 있다. 논문에서는 지금까지 개발된 CNT의 여러 합성 방법들에 대한 원리와 특징들을 소개하고자 한다.
  • 본격 적 인 양산 가능성을 검 증하게 되었다. Mitsui 물산 ; 의 자회사인 CNRI는 120톤의 파이 럿 플랜트를 건설하 ; 여 시험운전을 시작하였다.
  • 합성 기술이다. 앞에서 언급한 CVD 법으로도 정렬된 : CW를얻을 수있으나여기서는정렬된 CN叮를합성 : 하는 새로운 방식의 기 술로서 플라즈마 화학기 상증착 ; 법 (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition, ; PECVD)을 소개하고자 한다. PECVD는 CNT< 수직 ; 성장시키는 기술로서 향후의 성장 가능성이 높은 분야 : 이다.

가설 설정

  • : 불포화 탄화수소원료를 사용하면포화 탄화수소를 사 ; 용할 때 보다 분해속도가 빨라져 수율이 높아지는 반면 ■ 에 포화 탄화수소를 사용하면 CNT의 벽 의 개수가 줄 I : 어들고 결정성 이 좋아진다. 따라서 C2H2/ C2H4 QHg : 와 같이 탄소 함량이 많은 불포화 탄화수소는 ; MWCNT을 합성할 때 이용되고, CH4나 CO 등은 : SWCNT 합성 에 주로 사용된다.
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