[논문]Copper Phthalocyanine Field-effect Transistor Analysis using an Maxwell-wagner Model

Lee, Ho-Shik; Yang, Seung-Ho; Park, Yong-Pil; Lim, Eun-Ju; Iwamoto, Mitsumasa

doi:10.4313/teem.2007.8.3.139

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[국내논문] Copper Phthalocyanine Field-effect Transistor Analysis using an Maxwell-wagner Model 원문보기

Transactions on electrical and electronic materials, v.8 no.3, 2007년, pp.139 - 142

Lee, Ho-Shik (Department of Hospital Biomedical Engineering, Dongshin University) , Yang, Seung-Ho (Department of Hospital Biomedical Engineering, Dongshin University) , Park, Yong-Pil (Department of Hospital Biomedical Engineering, Dongshin University) , Lim, Eun-Ju (Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology) , Iwamoto, Mitsumasa (Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology)

Abstract ▼ AI-Helper

Organic field-effect transistor (FET) based on a copper Phthalocyanine (CuPc) material as an active layer and a $SiO_2$ as a gate insulator were fabricated and analyzed. We measured the typical FET characteristics of CuPc in air. The electrical characteristics of the CuPc FET device were analyzed by a Maxwell-Wagner model. The Maxwell-Wagner model employed in analyzing double-layer dielectric system was helpful to explain the C-V and I-V characteristics of the FET device. In order to further clarity the channel formation of the CuPc FET, optical second harmonic generation (SHG) measurement was also employed. Interestingly, SHG modulation was not observed for the CuPc FET. This result indicates that the accumulation of charge from bulk CuPc makes a significant contribution.

주제어

AI 본문요약
AI-Helper

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제안 방법

In order to further clarify the origin of charge carriers, the SHG experiment was employed. Figure 3 shows the setup for the SHG measurement.
The I-V and C-V characteristics measurements were carried out in an evaporation chamber without breaking of vacuum by using a source-meter (Keithley type-2400) and LCR meter (Hioki type-3522-50).

이론/모형

and was used without purification. The CuPc was deposited by thermal evaporation method. During the deposition, the rate was about 0.

참고문헌 (7)

E. Lim, T. Manaka, R. Tamura, and M. Iwamoto, 'Maxwell-wagner model analysis for the capacitance-voltage characteristics of pentacene field effect transistor', Jpn. J. Appl. Phy., Vol. 45, p. 3712,2006

상세보기
T. Manaka, E. Lim, R. Tamura, and M. Iwamoto, 'Modulation in optical second harmonic generation signal from channel of pentacene field effect transistors during device operation', Appl. Phys. Lett., Vol. 87, No. 222107,2006

상세보기
T. Manaka, E. Lim, R. Tamura, and M. Iwamoto, 'Control of the nano electrostatic phenomena at a pentacene/metal interface for improvement of the organic FET devices', Thin Solid Films, Vol. 499, p. 386,2006

상세보기
E. Lim, R. Tamura, T. Manaka, and M. Iwamoto, 'Analysis of pentacene FET characteristics based on Maxwell-wagner model', J. of Kor. Phys. Soc., Vol. 48, p. 1418, 2006

상세보기
C. R. Kagan and P. Andry, 'Thin-film Transistors', Marcel Dekker, Inc, New York, 2003
Z.-Y. Cui, N.-S. Kim, H.-G. Lee, and K.-W. Kim, 'Effect of channel length in LDMMOSFET on the switching characteristics of CMOS inverter', Trans. EEM, Vol. 8, No.1, p. 21, 2007

원문보기 상세보기
H.-N. Lee, Y.-G. Lee, I.-H. Ko, S.-K. Kang, S.-E. Lee, and T.-S. Oh, 'Passivation layers for organic thin-film transistors', Trans. EEM, Vol. 8, No.1, p. 36, 2007

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