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[국내논문] 증착조건과 진공열처리 온도에 따른 ITO/PES 박막의 특성 연구
Properties of ITO on PES film in dependence on the coating conditions and vacuum annealing temperatures 원문보기

한국재료학회지 = Korean journal of materials research, v.17 no.4, 2007년, pp.227 - 231  

이재영 (울산대학교 첨단소재공학부) ,  박지혜 (울산대학교 첨단소재공학부) ,  김유성 (울산대학교 첨단소재공학부) ,  천희곤 (울산대학교 첨단소재공학부) ,  유용주 (울산대학교 첨단소재공학부) ,  김대일 (울산대학교 첨단소재공학부)

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Transparent conducting indium tin oxide (ITO) films were deposited onto the Polyethersulfone (PES) substrate by using a magnetron sputter type negative metal ion source. In order to investigate the influence of cesium (Cs) partial pressure during deposition and annealing temperature on the optoelect...

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제안 방법

  • 있다. 4, 5) ITO 박막을 포함한 투명 전도막들은 구조적, 전기적, 광학적인 성질에 대하여 많은 연구가 진행되었지만 열적인 성질에 대한 연구는 상대적으로 적으며 특히 Flexible 디스플레이 제품에 대한 관심이 커지면서 열 충격에 취약한 Polymer 기판위에 증착 된 ITO 박막의 열적 특성에 대한 연구가 필요하게 되었다 본 연구에서는 최근 새로운 직접 이온 빔 증착 기술로 개발되어진 마그네트론 스퍼터형 금속 음이온 소스 (Magnetron sputter type negative metal ion source; MSNIS) 장치를 이용하여 저온에서 Polyethersulfone (PES)기판위에 ITO 박막을 증착하였으며 증착된 박막을 진공 분위기내에서 후속 열처리를 실시하여 증착조건 특히 세슘의 분압 변화와 증착 후 진공열처리 조건이 ITO/PES 박막의 물성에 미치는 영향을 고찰하였다. 전기전도도 및 광 투과도는 홀효과 측정법과 UV-Vis spectroscopy 를 이용하여 측정하였으며 열처리 전후의 결정화 상태 및 표면 형상은 X- RAY Diffraction (XRD) 및 atomic force microscope (AFM) 를 이용하여 분석하였다
  • 시편증착 이전에 최적의 세슘 분압을 구하기 위하여 세슘의 분압을 1.0 X 10-3 Pa에서 2.5 X 10-3 Pa 까지 변화하며 증착된 ITO 박막의 투과도와 비저항(Electrical resistivity)을 측정하였다. 증착 중, 반응성 산소와 불활성 아르곤 기체의 유입량은 선행 연구과정을 통해 최적화된 2sccm 과 20sccm으로 일정하게 유지하였다.
  • 기판온도는 K 형 열전대를 이용하여 측정하였으며 기판온도는 70oC로 일정하게 유지하였다. 증착 후 100oC, 130oC, 150oC, 그리고 170℃ 에서 20분간 3 X 10-1 Pa 의 진공 조건에서 기판히터를 이용하여 열처리하였다. 세슘분압과 후속 진공열처리에 따른 ITO 박막의 비저항의 변화는 Hall효과 측정 (HMS 3000, Ecopia Co.
  • spectrophotometer를 이용하였다. 열처리에 따른 박막의 결정화는 X선 회절 분석(PANalytical Co.) 장치를 이용하였다. X선 소스는 니켈필터를 통과시켜 얻은 CuKα 파장은 1.
  • 540598A 이었고 필라멘트 전류는 30 mA, scanning 속도는 2 o/min, 가속전압은 40 kV이었다. 표면열처리에 따른 박막의 두께와 평균 거칠기는 원자간력현미경(Atomic force microscope; AFMe 로 측정하였다.
  • 이온화가 감소되는 경향을 보인다. 이온화 감소는 박막의 밀도를 감소시킬 수 있기 때문에 궁극적으로 ITO 박막의 전기적 광학적 특성이 저하될 것으로 사료되어 본 연구에서는 이상적인 세슘의 분압을 1.5 X 10-3 Pa 로 정하였다
  • 본 연구에서는 마그네트론 스퍼터형 금속 음이온 소스를 이용하여 PES기판위에 ITO박막을 증착하고 세슘 부분압 변화와 후속 열처리 공정에 따른 전기 광학적 물성의 변화를 고찰하였다

대상 데이터

  • 본 연구에 적용된 ITO/PES 박막은 Fig. 1에 나타난 MSNIS 장치로 고순도의 ITO 타겟(99.99%, In2O3 (90%)-SnO2 (10%))을 스퍼터링 하여 제작하였다. 챔버상부에 설치된 ITO 타겟(25 X 10 cm2) 으로부터 PES 기판(10 X 10 cm2) 기판까지의 거 리는 10 cm 로 일정 하게 유지하였다.
  • 5 W/cm2 이 었으며 증착 시간을 조절하여 박막의 두께를 100 nm로 일정 하게 유지하였다. 기판온도는 K 형 열전대를 이용하여 측정하였으며 기판온도는 70oC로 일정하게 유지하였다. 증착 후 100oC, 130oC, 150oC, 그리고 170℃ 에서 20분간 3 X 10-1 Pa 의 진공 조건에서 기판히터를 이용하여 열처리하였다.

이론/모형

  • 4, 5) ITO 박막을 포함한 투명 전도막들은 구조적, 전기적, 광학적인 성질에 대하여 많은 연구가 진행되었지만 열적인 성질에 대한 연구는 상대적으로 적으며 특히 Flexible 디스플레이 제품에 대한 관심이 커지면서 열 충격에 취약한 Polymer 기판위에 증착 된 ITO 박막의 열적 특성에 대한 연구가 필요하게 되었다 본 연구에서는 최근 새로운 직접 이온 빔 증착 기술로 개발되어진 마그네트론 스퍼터형 금속 음이온 소스 (Magnetron sputter type negative metal ion source; MSNIS) 장치를 이용하여 저온에서 Polyethersulfone (PES)기판위에 ITO 박막을 증착하였으며 증착된 박막을 진공 분위기내에서 후속 열처리를 실시하여 증착조건 특히 세슘의 분압 변화와 증착 후 진공열처리 조건이 ITO/PES 박막의 물성에 미치는 영향을 고찰하였다. 전기전도도 및 광 투과도는 홀효과 측정법과 UV-Vis spectroscopy 를 이용하여 측정하였으며 열처리 전후의 결정화 상태 및 표면 형상은 X- RAY Diffraction (XRD) 및 atomic force microscope (AFM) 를 이용하여 분석하였다
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참고문헌 (14)

  1. K. Chopre, S. Major and D. Pandya, Thin Solid Films, 102, 1 (1983) 

  2. G. Sanon, R. Rup and A. Mansingh, Thin Solid Films, 190, 287 (1990) 

  3. I. Hamberg and C. Granqvist, J. Appl. Phys., 60, R123 (1986) 

  4. D. Morgen, Y. Aliyu and A. Salehi, Thin Solid Films, 312, 268 (1998) 

  5. A. Kulkarni, K. Schulz, T. Lim and M. Khan, Thin Solid Films, 308, 1 (1997) 

  6. D. Kim, Vacuum, 81, 279 (2006) 

  7. D. Kim and S. Kim, J. Vac. Sci. Technol., A20(4), 1314 (2002) 

  8. N. Paik, Appl. Surf. Sci., 226, 412 (2004) 

  9. L. Lin, F. Lai, Y. Qu and R. Gai, Mat. Sci. Eng. B. 138, 166 (2007) 

  10. D. Kim, M. Park, H. Lee and G. Lee, Appl. Surf. Sci., 253, 409 (2006) 

  11. H. Fallah and M.Ghasemi, Mat. Res. Bull. 42, 487 (2007) 

  12. G. Haacke, J. Appl. Phys., 47, 4086 (1976) 

  13. M. Bender, W. Seelig, C, Daube and J. Stollenwerk, Thin Solid Films, 326, 67 (1998) 

  14. A. Dawar and J. Joshi, J. Mater. Sci. 19, 1 (1984) 

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