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$SiC_f/SiC$ 복합체의 제조 및 응용 원문보기

세라미스트 = Ceramist, v.10 no.4, 2007년, pp.31 - 37  

박지연 (한국원자력연구원 원자력재료연구센터)

초록
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[ $SiC_f/SiC$ ] 복합체는 고온에서 우수한 특성을 지니므로 고온 구조용 재료로 적용 가능성이 증대되고 있다. 우수한 SiC 섬유의 개발과 함께 복합체를 제조하는 공정의 기술적인 진보도 이루어졌지만 경제성 측면에서는 아직도 일반산업에 널리 이용되기에는 제약이 있다. 그러나 효율성과 안정성을 증진시키기 위하여 시스템의 운전조건이 고온의 극한환경까지도 고려되는 현 상황에서 $SiC_f/SiC$ 복합체의 중요성은 증대되고 있다. 향후 경제성이 향상된 공정개발, 고온 물성 및 성능 자료의 확보, 시스템 및 재료 설계를 위한 코드와 모델 개발 등이 진행되면, 가까운 미래에 에너지 산업, 항공 우주산업 등을 시작으로 그 적용 영역이 확대될 수 있으리라 기대된다.

AI 본문요약
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* AI 자동 식별 결과로 적합하지 않은 문장이 있을 수 있으니, 이용에 유의하시기 바랍니다.

문제 정의

  • 본고에서는 SiCf/SiC 복합체의 제조기술 및 이와 관련된 문제점을 고찰하고 Cr 혹은 SiCrSiC 복합체의 응용에 대하여 정 리하고자 한다.
  • 따라서 침착효율이 낮아 치밀화 속도가 느리며 섬유의 bundle 또는 섬유층 사이에 존재하는 큰 기공이 잔류 기공으로 남아 복합체의 열적, 기계적 특성을 저해하는 요인이 된다. 이러한 문제점을 해결하기 위하여 기지상의 증착 공정 전에 bundle 간이나 섬유층 간에 휘스커를 성장시킴으로써 기지상의 증착이 일어나는 표면적을 증가시켜 치밀화를 증진시키고 잔류기공의 양과 크기를 줄이고자 하였다. 이 방법을 whisker growing assisted CVI (WA-CVI)이라고 명명하였다.
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