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문제 정의
- 대하여 살펴보았다. 또한 단결정, 다결정 또는 비정질의 반도체 박막으로 제작되는 반도체 디바이스의 구조 및 동작 원리와 특성을 서술하고, 더불어 국내외 기술 동향 및 새로운 반도체 물질과 디바이스의 개발 방향에 대하여 함께 언급하고자 한다.
- 방사선 검출 및 영상 구현을 위하여 사용되는 다양한 반도체 물질과 이를 이용한 반도체 디바이스에 대해 살펴보았다. 재료 측면에서는 방사선의 흡수율이 높고 내방 사선 특성이 우수한 CdTe, CdZnTe, GaAs, Se, PBI2 등의 무거운 원자량의 물질에 대한 연구가 활발히 진행되고 있지만, 이들이 실용화되기 위해서는 결함이 적고 넓은 면적에 균일한 막을 형성하는 공정 기술이 선결되어야 할 것이다.
- 본 원고에서는 X-선 검출용 반도체 디바이스를 중심으로 방사선 검출에 사용되는 반도체 재료들의 특성에 대하여 살펴보았다. 또한 단결정, 다결정 또는 비정질의 반도체 박막으로 제작되는 반도체 디바이스의 구조 및 동작 원리와 특성을 서술하고, 더불어 국내외 기술 동향 및 새로운 반도체 물질과 디바이스의 개발 방향에 대하여 함께 언급하고자 한다.
- 이상과 같이 디지털 방사선 사진 장치는 반도체 물질의 종류, 방사선을 전기적 신호로 전환하는 방식, 전기적 신호를 읽는 방식영상검출 소자의자의 구성에 따른 분류에 따라 다양한 형태의 반도체 디바이스에 대한 개발이 이루어지고 있으며, 대표적인 방사선 사진 장치용 반도체 디바이스의 구성과 동작 원리를 살펴보고자 한다.
가설 설정
- . 가스 디텍터나 방사선 섬광 체 (scintillator) 에 비하여 전자-전공 쌍의 형성 에너지가 낮다.
- . 빠른 전하 이동도로 인하여 반응속도가 빠르다.
- . 전기적 신호의 증폭 및 디지털화가 용이하다. 그러나 방사선 검출용 반도체 디텍터의 제작에 있어 몇 가지 장애가 있다.
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