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NTIS 바로가기센서학회지 = Journal of the Korean Sensors Society, v.17 no.2, 2008년, pp.147 - 150
박소정 (한국전자통신연구원 IT융합부품연구소 IT-NT그룹 나노융합센서팀) , 곽준혁 (한국전자통신연구원 IT융합부품연구소 IT-NT그룹 나노융합센서팀) , 박종혁 (한국전자통신연구원 IT융합부품연구소 IT-NT그룹 나노융합센서팀) , 이홍열 (한국전자통신연구원 IT융합부품연구소 IT-NT그룹 나노융합센서팀) , 문승언 (한국전자통신연구원 IT융합부품연구소 IT-NT그룹 나노융합센서팀) , 박강호 (한국전자통신연구원 IT융합부품연구소 IT-NT그룹 나노융합센서팀) , 김종대 (한국전자통신연구원 IT융합부품연구소 IT-NT그룹 나노융합센서팀) , 김규태 (고려대학교)
Multiple ZnO nanorod device detecting 주제어
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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전극 물질로서 백금을 사용하는 이유는? | Si3N4 기판 위에 포토리소그라피(photo lithography) 공정을 이용하여 interdigital 모양의 전극을 제작하였고 전극 물질은 고온에서 안정적으로 작동하는 백금을 사용하였다. | |
반응하는 물질의 몰농도가 증가함에 따라 나노막대의 두께가 굵어지는 이유는? | 반응하는 물질의 몰농도가 증가함에 따라 평균 300 nm, 500 nm, 800 nm로 나노막대의 두께가 굵어지는 것을 확인할 수 있었다. 이는 몰농도가 높아질수록 같은 시간 동안 반응하는 물질의 양이 많아져서 ZnO 막대가 커지는 양상을 보여주는 것으로 작은 막대 모양이 뭉쳐서 큰 막대가 되어 가는 졸-겔 성장의 양상을 나타내는 것이라고 할 수 있다[7]. 그림 2는 그 중 가장 안정되고 빠른 응답속도를 보여준 0. | |
반도체식 가스센서 기술이 개인 휴대형 단말기에 장착될 수 있는 유용한 기술인 이유는? | 특히 체적에 대한 큰 표면적 비를 가지므로 작은 감지 면적으로도 고감도 특성이 기대되어 초소형 저전력 가스 센서의 구현에 유리하여 환경오염 문제와 웰빙 문화에 따른 가스 센서 응용 부분에 대해 많은 연구가 되고 있다[1, 2]. 여러 방식 중 반도체식 가스센서 기술은 구조가 간단하여 공정이 용이하고 크기가 작아 개인 휴대형 단말기에 장착될 수 있는 유용한 기술이다[3, 4]. |
W. Gopel and K.D. Schierbaum, 'SnO2 sensors: current status and future prospects', Sens. Actuators B, vol. 26, pp. 1-12, 1995
R.W.J. Scott, S.M. Yang, G. Chabanis, N. Coombs, D.E. Williams, and G.A. Ozin, 'Tin dioxide opals and inverted opals: near-ideal microstructures for gas sensors', Adv. Mater., vol. 13, pp. 1468-1472, 2001
J. Kong, N. R. Franklin, C. Zhou, M. G. Chapline, S. Peng, K. J. Cho, and H. J. Dai, 'Nanotube molecular wires as chemical sensors', Science, vol. 287, pp. 622-625, Jan. 2000
L.Vayssieres, K. Keis, S.-E. Lindquist, and A. Hagfeldt, 'Purpose-build anisotropic metal oxide material: 3D hightly oriented Microrod-array of ZnO', J. Phys. Chem. B, vol. 105, pp. 3350-3352, 2001
Q. Li, V. Kumar, Y. Li, H. Zhang, T. J. Marks, and R. P. H. Chang, 'Fabrication of ZnO nanorods and nanotubes in aqueous solutions', Chem. Mater., vol. 17, pp. 1001-1006, 2005
D. C. Look, J. W. Hemsky, and J. R. Sizelove, 'Residual native shallow donor in ZnO', Phys. Rev. Lett., vol. 82, pp. 2552-2555
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