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유효면적과 평균속도를 고려한 TFT의 해석적 Drain 전류 모델
Analytical Model of TFT Drain Current based on Effective Area and Average Velocity 원문보기

전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.21 no.3, 2008년, pp.197 - 202  

정태희 (건국대학교 전기공학과) ,  원창섭 (건국대학교 전기공학과) ,  류세환 (건국대학교 전기공학과) ,  한득영 (건국대학교 전기공학과) ,  안형근 (건국대학교 전기공학과)

Abstract ▼ AI-Helper 아이콘AI-Helper

In this paper, we proposed an analytical model for TFT which has series of the polycrystalline structures. An average speed is defined as carrier speed by the electric field. The effective square is suggested as the area of grain without depletion for the changed grain size. First, physical paramete...

주제어

#TFT   #Mobility   #Analytical model   #Grain boundary   #Drain current  

AI 본문요약
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문제 정의

  • 본 논문에서는 Poisson 방정식을 이용하여 전계에 의한 일차원적인 캐리어의 평균 속도를 모델링하여 grain boundary에서의 포획(trap)어】 의한 전류변화를 이동도변화의 시뮬레이션 결과로써 확인하였다. 더불어 공핍이 일어나지 않는 면적을 유효면적(Effective square)이라 정의하였으며, 유효면적을 모델링하여 전류에 기여하는 캐리어의 양의 변화를 시뮬레이션으로 확인하였다
  • 본 논문에서는 TFT의 이동도 해석하기 위해서 거리에 따른 평균속도의 개념을 도입하여 모델링하였다. 먼저 본 논문에서 제안한 이동도 식은 grain 내에서 완전한 공핍이 일어나지 않는 범위내에서 이동도 변화의 특징을 잘 나타낼 수 있으므로 임의의 도핑농도와 grain size이상의 범위에서 적용될 수 있다.

가설 설정

  • 본 논문에서는 grain boundary내에서의 공핍이상대적 중요하며 특히 gate전압 변화에 따른 공핍층의 변화가 grain boundary에서의 포획 (trap)에의해 좌우되고 grain 내에서는 포획(trap)이 발생하지 않으며, grain 크기는 충분히 커서 공핍층의변화를 수용할 수 있다는 가정을 둔다.
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참고문헌 (10)

  1. M. D. Jacunski, M. S. Shur, and M. Hack, "Threshold voltage, field effect mobility, and gate-to-channel capacitance in polysilicon TFT'S", IEEE Trans, Electron Device, Vol. 43, No. 9, p. 1433, 1996 

    상세보기 crossref

  2. J. R. Ayres, "Characterization of trapping states in poly-crystalline-silicon thin-film transistor by deep-level transient spectroscopy", J, Appl. Phys., Vol. 74, p. 1787, 1993 

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  3. 윤영준, 정순신, 김태형, 박재우, 최종선, "Semi - empirical 정전용량 모델을 이용한 대면적 고화질 TFT-LCD 의 화소 특성 시뮬레이션", 전기전자재료학회논문지, 12권, 10호, p. 920, 1999 

  4. T. T. Sukada, "TFT-LCD", OPA Amsterdam B. V., 1996 

  5. G. A. Armstrong, S. D. Brotherton, and J. R. Ayres, "Modeling of laser-annealed polysilicon TFT Characteristics", IEEE Electron Devices Lett., Vol. 18, p. 315, 1997 

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  6. W. Yangyuan and T. I. Kamins, "Polysilicon thin film and its application in VLSI", science press, 1988 

  7. R. F. Pierret, "Semiconductor device fundamentals", Addison Wesley, p. 619, 1996 

  8. S. M. Sze, "Physics of semiconductor devices", 2nd ed., John Wiley & Sons, 1981 

  9. D. A. Neamen, "Semiconductor physics & devices", 2nd ed., McGRAW-HILL, 1999 

  10. M. Ohring, "Materials science of thin films depsition and structure", 2nd ed., Academic Press, 2002 

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