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고출력 트랜지스터 패키지 설계를 위한 새로운 와이어 본딩 방식
A New Wire Bonding Technique for High Power Package Transistor 원문보기

전기학회논문지 = The Transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers, v.57 no.4, 2008년, pp.653 - 659  

임종식 (순천향대 전기통신공학과) ,  오성민 ((주) RFHIC) ,  박천선 (순천향대 전기통신공학과) ,  이용호 ((주) RFHIC) ,  안달 (순천향대 전기통신공학과)

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This paper describes the design of high power transistor packages using high power chip transistor dies, chip capacitors and a new wire bonding technique. Input impedance variation and output power performances according to wire inductance and resistance for internal matching are also discussed. A m...

주제어

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문제 정의

  • 변화와 출력 특성에 대하여 기술하였다. 또한 본 논문에서는 기존에 사용되는 와이어 본딩 방식인 징검다리 방식의 문제점을 지적하고[2], 그 문제점을 보완한 새로운 와이어본딩 방식인 입체교차 방식 와이어 본딩 방법을 제안하고 우수한 성능을 제시한다.
  • 본 논문에서는 고출력 트랜지스터 패키지 구성에 사용되는 새로운 와이어 본딩 방법을 제안하고자, 주어진 동일한 면적의 패키지 내에서도 종래의 방법에 비하여 와이어의 길이를 크게 키울 수 있는 입체교차 방식의 와이어 본딩 방법에 대하여 기술하였다. 입체교차 방식을 이용하여 GaN 고출력 트랜지스터 패키지를 설계했을 경우, 기존에 사용되던 징검다리 방식보다 입력 임피던스가 더 크게 증가하였다.
  • 하지만 트랜지스터 패키지의 한정된 면적으로 인하여 트랜지스터 다이의 입력단자에 연결된 와이어의 길이(L3)가 제한된다고 앞서 설명하였다. 본 논문에서는 기존의 SST 방식의 와이어 본딩 방법이 가지고 있었던 제한적인 인덕턴스 구현의 문제점을 해결하기 위하여 동일한 패키지 면적 안에서 와이어의 길이를 증가시키는 방법을 제안한다.
  • 본 논문에서는 이웃하는 와이어간의 상호결합에 의한 악영향을 살펴보기 위하여, 두께 1.2mil인 두 개의 gold 와이어에 대하여 4단자 회로 모델을 설정하고 이를 EM 시뮬레이션 하여, 와이어 상호간 거리가 100um 이상일 경우 상호결합이 거의 없음을 보였다.
  • 본 논문에서는 질화 갈륨 (gallium nitride, GaN) 고출력트랜지스터 소자를 이용한 패키지 설계에 있어서, 소자의 비선형 모델을 이용한 특성 시뮬레이션을 통하여 가장 적합한 패키지 내부 정합회로를 설계하고, 그에 따른 임피던스의 변화와 출력 특성에 대하여 기술하였다. 또한 본 논문에서는 기존에 사용되는 와이어 본딩 방식인 징검다리 방식의 문제점을 지적하고[2], 그 문제점을 보완한 새로운 와이어본딩 방식인 입체교차 방식 와이어 본딩 방법을 제안하고 우수한 성능을 제시한다.
  • 병렬로 연결되는 wire는 극히 미약하나마 상호간에 영향을 미치게 되는데 그 영향이 무시할 만한지 아니면 악영향을 끼치는지에 대한 분석이 필요하다. 본 연구에서는 wire의 간격에 따라서 상호결합이 어느 정도인지를 EM(electromagnetic) simulation을 통하여 분석해 보았다. 이를 위하여 Agilent사의 ADS(advanced design system) Momentum을 사용하였다.
  • 이를 위하여 Agilent사의 ADS(advanced design system) Momentum을 사용하였다. 이 분석에서는 wire 2개가 서로 상호간에 미치는 영향을 알아보고자 하였는데, 두께가 L2mil(30um)인 gold wire 에 대하여 길이를 1mm로 하고 상호간 간격을 조절하면서 상호결합을 확인해 보았다.
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참고문헌 (9)

  1. John L.B. Walker, High Power GaAs FET Amplifiers. ARTECH HOUSE, 1993 

  2. W. Nagy, S. Singhal, R. Borges, J.W. Johnson, J.D. Brown, R. Therrien, A. Chaudhari, A.W. Hanson, J. Riddle, S. Booth, P. Rajagopal, E. L. Piner, K.J. Linthicum, "150 W GaN-on-Si RF Power Transistor", 2005 IEEE MTT-S International, pp:483-486 

  3. Steve C. Cripps, RF Power Amplifiers For Wireless Communications. ARTECH HOUSE, 2006 

  4. Hidenori Shimawaki and Hironobu Miyamoto, "GaN-based FETs for Microwave High-Power Applications" 13th GAAS Symposium2005. pp:377-380 

  5. D.M. Keogh, J.C. LI, A.M. Conway, D. Qiao, S. Raychaudhuri, and P.M. Asbeck, "Anaylisys of GaN HBT Structures for High Power, High Efficiency Microwave Amplifiers" International Journal of High Speed Electronics and Systems, Vol. 14, No. 3 pp:831-836, 2004 

  6. Helge O. Granberg, "A Two-stage 1kW Solid-state Linear Amplifier", Motorola semiconductor application note(AN758). 

  7. Singhal, S., Brown, J.D., Borges, R., Piner, E., Nagy, W., & Vescan, A. "Gallium Nitride on silicon HEMTs for wireless infrastructure applications, thermal design and performance" European Microwave Week, 2002 

  8. Markus Mayer & Holger Arthaber, "RF Power Amplifier Design", Vienna University of Technology, 2001 

  9. "150-W, 2.11-2.17 GHz Balanced Compact Amplifier For IMT-2000 Base-Station Application Using The FLL1500IU-2C GaAs FET Device", FUJITSU APPLICATION NOTE(No 008) 

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