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NTIS 바로가기韓國眞空學會誌 = Journal of the Korean Vacuum Society, v.17 no.2, 2008년, pp.109 - 112
김수인 (국민대학교 나노전자물리학과) , 이창우 (국민대학교 나노전자물리학과)
The miniaturization of device size and submicron process causes serious problems in conventional metallization due to the solubility of silicon and metal at the interface, such as an increasing contact resistance in the contact hole and interdiffusion between metal and silicon. Moreover, the interac...
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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Cu의 단점은? | 이러한 상황에서 금속 배선 물질에 대한 연구가 진행 되었고 그 결과 Cu가 그 대안으로 인식되었다. 하지만 Cu는 저온에서도 Si기판과 반응하므로 인하여 접촉면의 저항이 급격히 증가하여 소자로써의 기능이 불가능하게 되는 단점이 있다. 따라서 이러한 Cu와 Si기판 사이의 반응을 효과적으로 방지할 확산방지막의 개발이 필수 요건이 되었다. | |
집적회로 소자의 집적도 증가는 무엇에 영향을 미치는가? | 이러한 반도체 소자 기술의 발전을 위해서는 소자 개발이 필수 요건이 되었다. 특히 집적회로 소자의 집적도 증가는 금속 배선의 선폭 감소와 배선 길이가 증가하게 되어 RC지연시간이 증가하게 되었다[1-5]. 이를 방지하기 위하여 배선 물질에 대한 연구가 진행되었고 Cu가 그 대안으로 인식되었다. | |
고집적화된 반도체 소자 기술 중 박막제조 공정의 금속 배선은 무엇이 발전해나가고 있는가? | 고집적화된 반도체 소자 기술은 나날이 발전하고 있다. 특히 금속 배선을 위한 박막제조 공정에서 배선 선폭은 감소하고 있으며, 그 길이는 더욱 증가하게 되었다. 이러한 상황에서 금속 배선 물질에 대한 연구가 진행 되었고 그 결과 Cu가 그 대안으로 인식되었다. |
J. Klema, R. Pyle and E. Domangue, Proceeding of 22nd Annual Int'l Reliability Symposium, (IEEE, New York, 1984), p.1
M.Wittmer, J.Vac. Sci. Tech. A 3, 1797 (1988)
C.C. Baker, J. Vac. Sci. Technol. A 20, 5 (2002)
C.W. Lee, J. Korean. Phys. Soc. 37, 324 (2000)
A.D. Feinerman, J. Electrochem. Soc. 137, 3683 (1990)
S. I. Kim and C. W. Lee, J. Korean Phys. Soc. 50(2), 489 (2007)
C. W. Lee, Y. T. Kim, J. Vac. Sci. Technol. B 24(6), 1432 (2006)
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