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NTIS 바로가기반도체및디스플레이장비학회지 = Journal of the semiconductor & display equipment technology, v.7 no.4, 2008년, pp.19 - 22
김환동 (광운대학교 공과대학 화학공학과) , 최길호 (광운대학교 공과대학 화학공학과) , 윤도영 (광운대학교 공과대학 화학공학과)
Thin film has been an increasing important subject of intensive research, owing to the fact that these films possess desirable optical, electrical and electrochemical properties for uses in many semi-conducting nano-crystal applications, such as light-emitting diodes, lasers and solar cell applicati...
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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ZnSe란 무엇인가? | 최근에는 II-VI 및 III-V 족 반도체를 사용하여 발광 특성을 가지는 ZnO, ZnSe, CdSe, CdS, ZnSe 등과 같은 소자들을 사용한 LED의 기술 개발이 활발히 이루어 지고 있다. ZnSe (zinc selenide)는 II-VI 족 반도체로서 밴드갭이 2.7eV인 직접천이형 반도체의 청색발광특성을 가지고 있으며 디스플레이 산업에서 LED, 빛의 파장크기가 짧아 고밀도로 읽기 쓰기가 가능한 광저장기술 분야에서 레이져 소자, 박막형 솔라셀 등으로 각광받고 있다[1-3]. | |
ZnSe를 박막으로 제조하는 방법의 종류는 무엇인가? | ZnSe를 박막으로 제조하는방법으로는 화학증착(chemical vapor deposition), 유기금속화학증착(metal-organic chemical vapor deposition), 원자피복(sputtering) 또는 결정성장(epitaxy) 등과 같은 방법에 의해 제조된다[4-6]. 이러한 방법들은 400℃의 고온과 진공을 유지하여야 하며, 유해한 유기금속물에서 인체를 보하기 위해 많은 조작비용이 들게 된다. | |
ZnSe를 박막으로 제조하는방법 중 전기화학적 방법의 장점은 무엇인가? | 이러한 방법들은 400℃의 고온과 진공을 유지하여야 하며, 유해한 유기금속물에서 인체를 보하기 위해 많은 조작비용이 들게 된다. 전기화학적 방법은 저온에서 전착이 가능하며, 대면적화가 쉬우며, 평면뿐만 아니라 다양한 면에서의 형성이 가능하다는 장점이 있지만, 불순물에 오염되기 쉬우며 주위 환경에 쉽게 영향을 받으며, 또한ZnSe는 전착전위가 달라 전착하기 어려운 단점이 있다. Kröger 는 두 물질의 평형전위를 초과하지 않더라도 동시에 전착이 가능하다고 하였다. |
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