최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기반도체및디스플레이장비학회지 = Journal of the semiconductor & display equipment technology, v.7 no.3, 2008년, pp.51 - 54
남형진 (선문대학교 전자공학부) , 이규항 (선문대학교 전자공학부) , 조남인 (선문대학교 전자공학부)
In this study, we investigated variations in undoped ZnO thin film properties with working pressure,
* AI 자동 식별 결과로 적합하지 않은 문장이 있을 수 있으니, 이용에 유의하시기 바랍니다.
핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
---|---|---|
ZnO의 장점은 무엇인가? | Oxide semiconductor 중에서 많은 각광을 받고 있는 물질이 ZnO이다. ZnO는 비정질 유리나 플라스틱 등과 같은 여러 가지 대면적 기판 위에 상대적으로 저온에서 magnetron sputtering 또는 metal-organic chemical vapor deposition(MOCVD)등의 방법[4,5]으로 증착할 수 있을 뿐만 아니라 3.37eV[6]의 넓은 direct band gap 때문에 가시광선에서의 노출로 인해 기능이 저하되지도 않고 투명 TFT의 채널 영역으로 사용될 수 있다. 하지만 ZnO는 박막 내에 존재하는 oxygen vacancy(Vo), zinc interstitial(Zni), zinc anti-site(Zno), oxygen inter-stitial(Oi), zinc vacancy(VZn) 등의 native defects에 의해 증착 시 n-형 특성을 갖는 것으로 보고된다[7]. | |
기존의 실리콘 기반 기술의 문제점은 무엇으로 상당 부분 극복이 되는가? | 또한 bias stress에 의한 문턱전압 변화 현상을 개선하기 위해 별도의 보정회로가 필요하여 개구율과 비용적인 측면에서 한계를 극복하기 어렵다. 이러한 문제들은 excimer laser annealing(ELA)에 의한 다결정 Si TFT를 사용하는 경우 상당 부분 극복이 되나 laser annealing에 의한 결정화 단계에서 결정의 균일성이 떨어진다는 단점이 있다. | |
기존의 실리콘 기반 기술은 어떤 한계가 있는가? | 최근 들어 투명하고 flexible한 차세대 디스플레이에 대한 관심이 한층 증가하고 있으며 차세대 디스플레이용 소자 제작을 위해 oxide semi-conductor를 사용한 thin film transistor(TFT)[1-3]에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 기존의 실리콘 기반 기술의 경우 비정질 Si의 낮은 이동도 때문에 차세대 디스플레이로 각광받는 organic light emitting diode(OLED)를 동작시키기 위한 스위칭 소자 제작에 한계가 있기 때문이다. 또한 bias stress에 의한 문턱전압 변화 현상을 개선하기 위해 별도의 보정회로가 필요하여 개구율과 비용적인 측면에서 한계를 극복하기 어렵다. 이러한 문제들은 excimer laser annealing(ELA)에 의한 다결정 Si TFT를 사용하는 경우 상당 부분 극복이 되나 laser annealing에 의한 결정화 단계에서 결정의 균일성이 떨어진다는 단점이 있다. |
*원문 PDF 파일 및 링크정보가 존재하지 않을 경우 KISTI DDS 시스템에서 제공하는 원문복사서비스를 사용할 수 있습니다.
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.