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[국내논문] 산소분압비에 따른 ZnO 박막의 성장특성
Growth Properties of Sputtered ZnO Thin Films Affected by Oxygen Partial Pressure Ratio 원문보기

韓國眞空學會誌 = Journal of the Korean Vacuum Society, v.17 no.3, 2008년, pp.204 - 210  

강만일 (공주대학교 물리학과) ,  김문원 (공주대학교 물리학과) ,  김용기 (공주대학교 물리학과) ,  류지욱 (공주대학교 물리학과) ,  장한오 ((주)알티에스)

초록
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산소분압비에 따른 ZnO 박막의 성장특성을 알아보기 위해 RF 스퍼터링 시스템을 이용하여 $0%{\sim}30%$의 산소분압비로 박막을 제작하였다. 위상변조방식의 분광타원계를 이용하여 $1.5{\sim}3.8eV$ 범위에 걸쳐 타원상수를 측정하였고, TL 분산관계식을 이용하여 최적맞춤한 결과 박막과 표면기칠기층의 두께, void 비율을 알 수 있었고, ZnO 알갱이의 크기는 산소분압비의 증가에 따라 그 크기가 작아짐을 알 수 있었다. 산소분압비에 따른 ZnO 박막의 밴드 갭은 산소유입량의 증가에 따라 증가하여 ZnO 박막의 광흡수 특성이 산소분압비에 크게 의존함을 알았고, 산소분압비의 증가는 결정의 불완전성을 증가시키는 것으로 나타났다.

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

ZnO thin films were grown on a glass by RF sputtering system with RF power 100W and oxygen partial pressure of $0%{/sim}30%$. Elliptic constants were measured by using a phase modulated spectroscopic ellipsometer and analyzed with the Tauc-Lorentz dispersion formula and best fit method in...

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AI 본문요약
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문제 정의

  • 본 연구에서는 산소분압비에 따른 ZnO 박막의 성장 특성 및 성장에 따른 광학적 특성의 변화를 조사하기 위해 RF 스퍼터링 방법으로 ZnO 박막을 제작하였다. 제작된 박막은 위상변조방식의 분광타원계[11,12]를 이용하여 박막의 두께, 표면거칠기 및 광학적 특성을 조사하였고, 그 결과에 대해 논의하였다.
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질의응답

핵심어 질문 논문에서 추출한 답변
ZnO은 어떤 반도체인가? ZnO는 화학적 기계적 안정성이 높고, 가격이 비교적 저렴할 뿐만 아니라 투명 전도체이기 때문에 투명 전도 산화물(transparent conductive oxide; TCO)로 쓰이고 있는 ITO(indium tin oxide)나 SnO2를 대체할 물질로 주목 받고 있다[1]. ZnO는 wurtzite 결정구조를 가지고 있으며, 상온에서 3.37eV의 직접 전이 밴드 갭을 갖는 Ⅱ-Ⅵ족 화합물 반도체이다. 또한 ZnO는 가시광 영역에서의 투과성이 좋으며, 높은 굴절률, 큰 압전상수 및 비선형 전기광학 계수를 가지고 있어 Piezoelectric transducer, 집적화된 광도파로, 산화 또는 환원 가스검출센서, 발광 다이오드와 태양전지의 투명 전도막 등 그 이용 범위가 매우 다양하다[2,3].
ZnO 박막의 제조방법 중 이중 스퍼터링법의 특징은 무엇인가? ZnO 박막의 제조방법으로는 대표적인 것이 스퍼터링(sputtering)법과 CVD(chemical vapor deposition)법이다. 이중 스퍼터링법은 상압 CVD법에 비해 증착 온도가 낮고, 타겟의 조성과 박막의 조성이 거의 일치한다는 장점 때문에 c축 배향성을 갖는 ZnO 박막의 제작에 사용되고 있다[8-10].
ZnO는 무엇을 대체할 물질로 주목받고 있는가? ZnO는 화학적 기계적 안정성이 높고, 가격이 비교적 저렴할 뿐만 아니라 투명 전도체이기 때문에 투명 전도 산화물(transparent conductive oxide; TCO)로 쓰이고 있는 ITO(indium tin oxide)나 SnO2를 대체할 물질로 주목 받고 있다[1]. ZnO는 wurtzite 결정구조를 가지고 있으며, 상온에서 3.
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참고문헌 (14)

  1. F. K. Sahn, Z. F. Liu, G. X. Liu, B. C. Shin and Y. S. Yu, J. Kor. Phys. Soc. 44, 1215 (2004) 

  2. T. Minami, Thin Solid Films 63, 366 (2000) 

  3. F. C. M. Van de Pol, Am. Ceram. Soc. Bull. 69, 1959 (1990) 

  4. F. S. Hickernell, J. Appl. Phys. 44, 1061 (1973) 

  5. S. Ono, O. Yamazaki, K. Ohji, K. Wasa, and S. Hayakawa, Appl. Phys. Lett. 33, 217 (1978) 

  6. T. Minami, H. Nanto, S. Takata, J. Appl. Phys. 23, L 280 (1984) 

  7. R. R. Potter, C. Eberspacher, L. B. Fabik, 18th IEEE Photovoltaic Specialist Conf., 1659 (1985) 

  8. G. S. Kino and W. S. Wagers, J. Appl. Phys. 44, 1480 (1973) 

  9. H. G. Son, D. H. Hwang and S. H. Cho, J. Korean Vacuum Society 16, 267 (2007) 

  10. M. H. Jun, H. H. Jun, K. C. Kim, J. S. Lee, D. H. Kim, W. P. Choi and S. J. Hwangpo, J. Korean Vacuum Society 16, 453 (2007) 

  11. I. S. An, Ellipsometry (Hanyang University Press, 2000) 

  12. S. Y. Kim, Ellipsometry (Ajou University Press, 2000) 

  13. D. E. Aspnes, and J. B. Theeten, Phys. Rev. B 20, 3292 (1979) 

  14. M. Fox, Optical Properties of Solids (Oxford University Press, 2001) 

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