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디스플레이 Backplane TFT 응용을 위한 차세대 산화물 반도체 응용기술 원문보기

電子工學會誌 = The journal of Korea Institute of Electronics Engineers, v.35 no.8 = no.291, 2008년, pp.60 - 70  

이상렬 (한국과학기술연구원) ,  송용원 (한국과학기술연구원 에너지재료연구단) ,  장성필 (한국과학기술연구원)

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문제 정의

  • E ''J後ger 그룹에 의한 Indium- Zinc-Oxide(IZO) 기반의 TFT가 보고된 바 있으며, Indium의 대체할 Material로써 Tin(Sn) 을 사용한 Zinc-Tin-Oxide(ZTO) 에 대한 TFT 의 특성과 Passivation에 의한 TFT의 특성 변화에 대한 연구결과를 발표하였지만, 매우 Conductive한 특성을 갖는 Sn을 control 하는 것 또한 해결해야 할 과제중의 하나이다. 또한 주목할 만한 결과중의 하나로써, 기존에 TCO 로써 이용되어지던 ITO를 Channel로 사용하고, Gate-insulator를 Ferroelectric을 사용함으로써, TFT 특성을 보고하였는데, 이는 Conducting Material 의 또 다른 발전 가능성을 제시한 연구결과라고 볼 수 있다.
  • 이 두 가지는 서로 긴밀한 상호보완적 관계에 있으면서 결코 한 연구기관이나 한 기업체에서 진행할 수 없는 광범위한 연구 인프라 및 정보교류를 필요로 하고 있다. 작년 6월 프랑스의 Strasbourg 에서 개최된 저명한 국제학회인 E-MRS에서 저자가 Organizer를 하면서 옆에 앉아 있던 동경 공대의 호소노교수가 삼성과 LG등 한국 굴지의 기업에서 IGZO 산화물 반도체를 가지고 디스플레이에 적용한 TFT를 개발하여 결과를 발표하는 것을 보고 본인에게 물어 보며 놀라고 기뻐하는 것을 보았다. 바로 일년도 채안 된 이야기이다.
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