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Sol-Gel법에서 Pb의 농도가 PbZrO3 박막 결정에 미치는 영향
The Effect of Pb Mol Ratio in PbZrO3 Thin Films made by Sol-Gel Method 원문보기

전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.21 no.6, 2008년, pp.552 - 555  

배세환 (동아대학교 물리학과) ,  진병문 (동의대학교 물리학과) ,  김성대 (동명대학교 전기전자공학과)

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

The purpose of this study was to find a best condition of fabricating lead zirconate thin film by sol-gel method, especially to find mol ratio and post annealing temperature. Lead zirconate thin film was made by spin coating method. The ratios of Pb and Zr of precursors were 1:0.8, 1:1.0, and 1:1.2....

주제어

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제안 방법

  • Sol-gel 법으로 0.4M PbZrO3 전구체를 만들기 위하여 lead acetate trihydrate(Aldrich 99+%)와 zirconium butoxide (Aldrich 80 wt%)> 2-methoxyethan이 에 용해시킨 후 일반적인 전구체 형성을 하여 가수분해를 위한 H2O 와 HNO3, Ethylen-glycole 등을 첨가하는 반면에 본 실험에서는 formamide 4 vol%를 첨가하여 가수분해를 하지 않고 PbZrO3 전구체 용액을 만들었다[13].
  • 결정이 형성된 박막이 반강유전체의 특성을 나타내고 있는지를 알아보기 위하여 이력곡선을 그려보았다. 그림 3은 Zr보다 Pb의 양을 많이 넣어 만든 시료의 특성이다.
  • 이 과정을 매 도포 때마다 반복 실행하였고, 필요로 하는 두께의 박막을 얻기까지 5회 실시하였다. 박막의 평균두께는 1회 coating에 400 A이다, 이렇게 만들어진 박막의 반강유전성올 알아보기 위하여 전극으로써 금(Au)을 가열 증착 법으로 증착하였다.
  • 박막을 제작하였다. 본 연구에서는 위에 소개된 박막 제조 기술 중에서 화학당량론적 제어가 쉬우며 저렴한 장비 가격 등의 이점이 있는 sol*삲법으로 박막을 제조함에 있어 일반적으로 행하여 오던 가수 분해 과정을 생략하여 그 제조 공정을 단순화하였으며, Pb와 Zf의 혼합비에 따라 Pb가 박막형성에 미치는 영향을 초사하였다,
  • 시료의 유전성을 알아보기 위하여 하부전극은 백금(Pt)으로, 상부전극은 금(Au)으로 하여 평판형 축전기를 형성하고 있는 시료를 RT66A에 의해 인가된 전압에 따른 분극을 조사하였다.
  • 동안 후열처리 하였다. 이 과정을 매 도포 때마다 반복 실행하였고, 필요로 하는 두께의 박막을 얻기까지 5회 실시하였다. 박막의 평균두께는 1회 coating에 400 A이다, 이렇게 만들어진 박막의 반강유전성올 알아보기 위하여 전극으로써 금(Au)을 가열 증착 법으로 증착하였다.
  • 이렇게 만들어진 박막의 열처리 온도에 따라 결정화되는 과정을 XRD (Philips Xeert, Cu Ka, 입사각 1°) 측정을 통해 조사하였타.
  • 이렇게 제작된 PbZrO3 전구체를 기판 (Pt/Ti/ SiOs/Si, 1 ctf) 위에 spin coating법으로 증착하였으펴, 증착된 박막은 결정화를 위한 열처리를 하기 전에 200 'C에서 30분 동안 건조시켰으며, 설정 온도를 유지하고 있는 관상로에 건조된 박막을 넣고 1분 동안 후열처리 하였다. 이 과정을 매 도포 때마다 반복 실행하였고, 필요로 하는 두께의 박막을 얻기까지 5회 실시하였다.
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참고문헌 (13)

  1. E. Sawaguchi, H. Maniwa, and S. Hoshino, "Antiferroelectric structure of lead zirconate", Physical Review, Vol. 83, p. 1078, 1951 

  2. F. Jona, G. Shirane, F. Mazzi, and R. Pepinski, "X-ray and neutron diffraction study of antiferroelectric lead zirconate, $PbZrO_3$ ", Physical Review, Vol. 105, p. 849, 1957 

  3. V. J. Tennery, "High-temperature phase transitions in $PbZrO_3$ ", Journal of American Ceramic Society, Vol. 49, p. 483, 1966 

  4. 박창엽, "압전세라믹스", 김영출판사, p. 3, 1987 

  5. E. Sawaguchi, G. shirane, and Y. Tagaki, "Phase transition in lead zirconate", Journal of the Physical Society of Japan, Vol. 6, p. 333, 1951 

  6. H. Nakazawa, H. Yamane, and T. Hirai, "Metalorganic chemical vapor deposition of $BaTiO_3$ films on MgO(100)", Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 30, p. 2200, 1991 

  7. K. Abe, H. Tomita, H. Toyoda, M. Imai, and Y. Yokote, "PZT thin film preparation on Pt-Ti electrode by rf sputtering", Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 30, p. 2152, 1991 

  8. T. Imai, M. Okuyama, and Y. Hamakawa, " $PbTiO_3$ thin films deposited by laser ablation", Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 30, p. 2163, 1991 

  9. T. Tani, J.-F. Li, D. Viehland, and D. A. Payne, "Antiferroelectric switching and induced strains for sol-gel derived lead zirconate thin layers", Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 75, p. 3017, 1994 

  10. S. Yamamichi, T. Sakuma, K. Takemura, and Y. Miyasaka, " $SrTiO_3$ thin film preparation by ionbeam sputtering and its dielectric properties", Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 30, p. 2193, 1991 

  11. I. Taguchi, A. Pignolet, L. Wang, M. Proctor, F. Levy, and P. E. Schmid, "Raman scatterig study of lead zirconate thin films prepared on sillicon substrates by radio frequency magnetron sputtering", Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 74, p. 6625, 1993 

  12. H. Adachi, T. Mitsuyu, O. Yamazaki, and K. Wasa, "Ferroelectric $(Pb,La)(Zr,Ti)O_3$ epitaxial thin films on sapphire grown by rf-palanar magnetron sputtering", Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 60, p. 736, 1986 

  13. 김성대, 전기범, 박철우, "Sol-Gel법으로 제작된 $PbZrO_3$ 결정 박막의 열처리 효과" 한국통신학회논문지, 32권, 2T호, p. 55, 2007 

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