[논문]정공주입층에 따른 OLED 소자의 발광 특성

이봉섭; 고신위; 박종억; 백용구; 양재웅; 백경갑; 주성후

doi:10.4313/jkem.2008.21.6.562

정공주입층에 따른 OLED 소자의 발광 특성
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전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.21 no.6, 2008년, pp.562 - 568

이봉섭 (대진대학교 신소재공학과) , 고신위 (대진대학교 신소재공학과) , 박종억 ((주)이엘엠 중앙연구소) , 백용구 ((주)이엘엠 중앙연구소) , 양재웅 (대진대학교 신소재공학과) , 백경갑 (대진대학교 전자공학과) , 주성후 (대진대학교 신소재공학과)

Abstract ▼ AI-Helper

In this paper, the hole injection layer(HIL) materials have been synthesized and analyzed. Their HOMO levels are $4.93{\sim}5.22\;eV$, and their energy band gaps are $2.74{\sim}3.19\;eV$. Their glass transition temperatures($T_g$) are all above $114^{\circ}C$, which implies that they are highly thermal-stable. The green OLED devices with a structure of ITO(150 nm)/NEW_HIL(50 nm)/NPB(30 nm)/$Alq_3$(50 nm)/Al:Li(100 nm) were fabricated and tested, incorporating these newly synthesized HIL materials. According to the test results of OLED devices, the I-V-L performances of these devices increase in the following sequence: ELM307 > ELM200 > ELM321 > ELM327 > ELM325. In addition, the OLED device with ELM307 as a HIL has the highest brightness and efficiency at the same driving voltage. These experimental results have shown that ELM307 can be used as one of the most promising candidates for HIL materials.

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