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[국내논문] 광학 박막을 채용한 CMOS 이미지 센서 픽셀의 수광 효율
Enhancement of Light Guiding Efficiency in CMOS Image Sensor by Introducing an Optical Thin Film 원문보기

한국광학회지 = Korean journal of optics and photonics, v.20 no.1, 2009년, pp.57 - 60  

강명훈 (인제대학교 대학원 나노시스템공학과) ,  고은미 (인제대학교 대학원 나노시스템공학과) ,  이제원 (인제대학교 대학원 나노시스템공학과) ,  조관식 (인제대학교 대학원 나노시스템공학과)

초록
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CMOS 이미지 센서의 수광 효율을 높이기 위해서 픽셀의 광 통로 벽에 광학 박막의 도입을 제안하고자 한다. Essential Macleod를 이용하여 시뮬레이션해 본 결과, 전반사가 일어나는 범위가 현저히 증가하였다. 특히 공기 박막을 도입할 경우에, 그 효과가 가장 현저하여, 광 통로 벽에서의 전반사 임계각이 50도로까지 확대되었다.

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

We consider introducing an optical thin film to the light guiding wall of a pixel in order to enhance the light guiding efficiency of a CMOS image sensor. Simulating the reflectance as a function of the incidence angle using the Essential Macleod program, we find that the range of total internal ref...

주제어

AI 본문요약
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문제 정의

  • 본 논문에서는, 픽셀 크기와 간격의 축소에 따른 수광 효율 저하 현상을 최소화 하기 위한 방안으로서, 광통로 벽에 광학 박막이 채용된 픽셀 구조를 제안한다. 광통로 벽에 위치한 광학 박막에서의 다중간섭 현상에 의하여, 화소 분리막을 투과하는 빛을 현저하게 줄일 수 있을 것으로 예상된다.
  • 광학 박막은 두께 혹은 박막의 층수에 따라 반사율, 투과율 등을 조절할 수 있다. 여기서는 광통로 벽에 광학 박막을 형성하여 반사율을 높임으로써, 인접 픽셀로의 투과를 최소화하려고 한다.
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질의응답

핵심어 질문 논문에서 추출한 답변
가시광선 대역의 광 신호를 전기적 신호로 전환하는 이미지 센서로 흔히 어떤 센서가 사용되는가? 가시광선 대역의 광 신호를 전기적 신호로 전환하는 이미지 센서로는 흔히 CCD 이미지 센서와 CMOS 이미지 센서가 사용된다. CCD 이미지 센서는 우수한 영상 품질을 제공하지만 제조단가가 높은 편이다.
CCD 이미지 센서의 장단점은? 가시광선 대역의 광 신호를 전기적 신호로 전환하는 이미지 센서로는 흔히 CCD 이미지 센서와 CMOS 이미지 센서가 사용된다. CCD 이미지 센서는 우수한 영상 품질을 제공하지만 제조단가가 높은 편이다. 이에 비하여 CMOS 이미지 센서는 다양한 노이즈가 발생하여 영상 품질이 떨어진다.
CMOS 이미지 센서의 영상 품질 저하의 원인은 무엇인가? CMOS 이미지 센서의 영상 품질 저하의 원인은 대체로 두가지로 분류할 수 있다. 픽셀 내부 구조에서의 광학적인 손실과 내부 회로에서의 전기적인 손실이 그것이다.[1-6] 전기적인 손실은 CMOS 이미지 센서의 동작원리에 의해 발생하는 손실로서 꾸준히 그 해결책이 제안되고 있다.
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참고문헌 (13)

  1. E. R. Fossum, “CMOS Image Sensors: Electronic Camera-On-A-Chip,” IEEE transaction on electron devices, vol. 44, no.10, pp. 1689-1698, 1997 

  2. M. Bigas, E. Cabruja, J. Forest, and J. Salvi, “Review of CMOS image sensors,” Microelectronics Journal, vol. 37, pp. 433-451, 2006 

  3. H. Rhodes, G. Agranov, C. Hong, U. Boettiger, R. Mauritzson, J. Ladd, I. Karasev, J. McKee, E. Jenkins, W. Quinlin, I. Patrick, J. Li, X. Fan, R. Panicacci, S. Smith, C. Mouli, and J. Bruce, “CMOS Imager Technology Shrinks and Image Performance,” 2004 IEEE Workshop on Microelectronics and Electron Devices, pp. 7-18, 2004 

  4. Y. Chae, K. Choe, B. Kim, and G. Han, “Sensitivity Controllable CMOS Image Sensor Pixel Using Control Gate Overlaid on Photodiode,” Electron Device Letters. IEEE, vol. 28, Issue 6, pp. 495-498, 2007 

  5. C. H. Koo, H. K. Kim, K. H. Paik, D. C. Park, K. H. Lee, Y. K. Park, C. R. Moon, S. H. Lee, S. H. Hwang, D. H. Lee, and J. T. Kong, “Improvement of Crosstalk on 5M CMOS Image Sensor with $1.7{\times}1.7$ $um^2$ pixels,” Proc. of SPIE, vol. 6471, pp. 647115-1-5, 2007 

  6. G. Agranov, V. Berezin, and R. H. Tsai, “Crosstalk and Microlens Study in a Color CMOS Image Sensor,” IEEE transaction on electron devices, vol. 50, no. 1, pp. 4-11, 2003 

  7. T. H. Hsu, Y. K. Fang, C. Y. Lin, S. F. Chen, C. S. Lin, D. N. Yaung, S. G. Wuu, C. H. Tseng, J. S. Lin, and C. S. Wang, “Light Guide for Pixel Crosstalk Improvement in Deep Submicron CMOS Image Sensor,” IEEE electron device letters, vol. 25, no. 1, pp. 22-24, 2004 

  8. D. N. Yaung, S. G. Wuu, H. C. Chien, T. H. Hsu, C. H. Tseng, J. S. Lin, J. J. Chen, C. H. Lo, C. Y. Yu, C. S. Tssi, and C. S. Wang, “Air-Gap Guard Ring for Pixel Sensitivity and Crosstalk Improvement in Deep Sub-micron CMOS Image Sensor,” IEEE IEDM, vol. 401, pp. 16.5.1-16.5.4, 2003 

  9. T. H. Hsu, Y. K. Fang, D. N. Yaung, S. G. Wuu, H. C. Chien, C. S. Wang, J. S. Lin, C. H. Tseng, S. F. Chen, C. S. Lin, and C. Y. Lin, “Color Mixing Improvement of CMOS Image Sensor With Air-Gap-Guard Ring in Deep-Submicrometer CMOS Technology,” IEEE electron device letters, vol. 26, no. 5, pp. 301-303, 2005 

  10. T. H. Hsu, Y. K. Fang, D. N. Yaung, S. G. Wuu, H. C. Chien, C. H. Tseng, L. L. Yao, W. D. Wang, C. S. Wang, and S. F. Chen, “A High-Efficiency CMOS Image Sensor With Air Gap in situ MicroLens (AGML) Fabricated by 0.18- ${\mu}m$ CMOS Technology,” IEEE electron device letters, vol. 26, no. 9, pp. 634-636, 2005 

  11. 황보창권, 박막광학(테크 미디어, 서울, 2005) 

  12. 김은지, “광 집적도를 향상시킨 시모스 이미지센서의 제조방법,” 대한한국 특허 10-2004-0069224, 2004 

  13. 황충호, “금속막 마이크로렌즈를 구비한 이미지 센서,” 대한민국 특허 10-2003-0098504, 2003 

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