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NTIS 바로가기센서학회지 = Journal of the Korean Sensors Society, v.18 no.1, 2009년, pp.48 - 53
김세기 (요업기술원 전자소재팀)
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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본 연구에서 Eu2+ 도핑 SrAl2O4의 광여기 광전류 특성에 미치는 Dy3+의 co-doping 효과를 명확히 하기 위하여 Eu2+ 도핑량을 1 at.%로 고정하고 Dy3+의 co-doping량을 5 at.%로 하여 광여기 중과 광여기 정지 후의 광전류의 감쇄특성을 비교 평가하였고, 광센서로서 의 활용 가능성을 검토하기 위하여 자외선 광원을 이 용한 광 여기 중과 광 여기 정지후의 광전류의 절대량 및 광량과의 직선성 등의 특성을 비교 분석한 결과는? | 광전류 특성 평가의 결과, Dy3+ co-doping한 조성이 광자극에 의한 광전류 값이 약 25 %의 낮은 값을 나타내었고, 광자극이 정지된 이후의 잔광(after glow)에 의 한 광전류 값에서는 약 700 % 만큼 큰 것으로 나타나, Dy3+ co-doping에 의한 정공 포획준위가 형성되어 장 잔광(long-lasting after glow) 발현 메커니즘과 같은 메 커니즘으로 광전류가 발현됨을 확인할 수 있었고, 광센 서로서는 Eu2+만 도핑된 (Sr0.99Eu0.01)Al2O4 조성이 유 리할 것으로 판단되었다. 또한 광량에 따른 광전류 값 의 직선성을 평가한 결과, 양 조성에 있어서 직선성을 나타내는 R-값이 0.999 정도의 양호한 직선성을 나타 냈으며, 신뢰성을 나타내는 P-값이 0.0001 이하의 높은 신뢰성을 나타내어 광센서로서의 응용 가능성을 확인 할 수 있었다. | |
Eu2+ 도핑 SrAl2O4 휘도의 감쇄속도는? | Eu2+ 도핑 SrAl2O4는 520 nm(녹색)에서 발광피크를 가지는 형광체로서 그 휘도의 감쇄속도(최초 휘도의 10 % 휘도를 나타내는데 걸리는 시간)가 10 마이크로초로서 Palilla 등에 의하여 1968년 보고[1]되었고, Abbruscato는 1971년 Eu2+ 도핑 rAl2O4의 형광 특성 이 조성에 민감하며 알루미나 과잉의 조성에서 형광과 광 여기 광전류를 담당하는 전하종이 같은 정공(hole) 으로서 형광의 감쇄 거동과 가시광 여기 광전류의 감 쇄 거동이 유사하다는 것과 결정 결함이 정공포획센터 (hole trap center)로 작용한다는 것을 밝힌 바 있다[2]. | |
Eu2+ 도핑 SrAl2O4는 어디에서 발광 피크를 가지는가? | Eu2+ 도핑 SrAl2O4는 520 nm(녹색)에서 발광피크를 가지는 형광체로서 그 휘도의 감쇄속도(최초 휘도의 10 % 휘도를 나타내는데 걸리는 시간)가 10 마이크로초로서 Palilla 등에 의하여 1968년 보고[1]되었고, Abbruscato는 1971년 Eu2+ 도핑 rAl2O4의 형광 특성 이 조성에 민감하며 알루미나 과잉의 조성에서 형광과 광 여기 광전류를 담당하는 전하종이 같은 정공(hole) 으로서 형광의 감쇄 거동과 가시광 여기 광전류의 감 쇄 거동이 유사하다는 것과 결정 결함이 정공포획센터 (hole trap center)로 작용한다는 것을 밝힌 바 있다[2]. |
F .C. Palilla, A. K. Levine, and M. R. Tomkus, J. Electrochem. Soc., vol. 115, p. 643, 1968
V. Abbruscato, 'Optical and electrical properties of $SrAl_{2}O_{4}:Eu^{2+}$ ', J. Electrochem., vol. 118, p. 930, 1971
T. Matsuzawa, Y. Aoki, N. Takeuchi, and Y. Murayama, 'A new long phosphorescent phosphor with high brightness, $SrAl_{2}O_{4}:Eu^{2+}$ , $Dy^{3+}$ ', J. Electrochem. Soc., vol. 143, pp. 2670-2673, 1996
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