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NTIS 바로가기韓國磁氣學會誌 = Journal of the Korean Magnetics Society, v.19 no.1, 2009년, pp.22 - 27
김도균 (고려대학교 공과대학 신소재공학부) , 조지웅 (고려대학교 공과대학 신소재공학부) , 노수정 (고려대학교 공과대학 신소재공학부) , 김영근 (고려대학교 공과대학 신소재공학부)
Reduction of the critical current density (
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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MRAM이란? | 이 가운데 MRAM은 자기저항(magnetoresistance)이라는 양자역학적 효과를 이용한 기억소자로서, 전원이 꺼져도 기록된 정보가 지워지지 않는 비휘발성(nonvolatile)의 특징과 적은 전력소모로 고속의 동작의 특징, 무한대에 가까운 기록 및 재생이 가능한 안정성을 갖는 소자로서 차세대 통합형 정보저장소자의 대표주자 중 하나이다. | |
스핀 의존 산란이란 무엇인가? | 강자성체에 외부에서 전류를 주입시키게 되면 내부에서 자화 방향에 따라 같은 방향의 스핀을 가진 전자는 쉽게 투과하고 반대 방향의 스핀을 가진 전자는 계면에서 반사된다. 이와 같은 현상을 스핀 의존 산란(spin dependent scattering)이라 한다. | |
STT를 이용한 소자로는 무엇이 있는가? | STT를 이용한 소자로는 자화반전(magnetic switching)을 이용한 STT-MRAM, 전류구동 자구벽 이동(current induced domain wall motion)을 메모리 소자에 적용한 Race Track Memory, 자화 세차 운동(magnetic precession)을 이용한 고주차 스핀소자(microwave device), 스핀 다이오드(spin diode) 소자 등이 있다[4-6]. |
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