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Sm을 첨가한 BaTiO3계의 재산화 온도 및 시간에 따른 PTC 특성 변화
Effects of the Re-oxidation Temperature and Time on the PTC Properties of Sm-doped BaTiO3 원문보기

한국세라믹학회지 = Journal of the Korean Ceramic Society, v.46 no.3 = no.322, 2009년, pp.330 - 335  

정용근 (한양대학교 신소재공학과) ,  최성철 (한양대학교 신소재공학과)

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

We investigated the effects of the re-oxidation temperature and time on the positive temperature coefficient (PTC) of resistivity characteristics of Sm-doped $BaTiO_3$ sintered at $1200{\sim}1260^{\circ}C$ for 2 h in a reducing atmosphere (3% $H_2/N_2$), followed by ...

주제어

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문제 정의

  • 본 연구에서는 Sm 함량(0.5, 0.7, 1.0 at%)을 달리한 (Ba0.9Ca0.1)1.015TiO3(Si,Mn)계에 대한 환원 소결 및 재산화와 그 시간에 따른 PTC 특성 변화에 대하여 고찰하였다. Sm 함량을 달리하여 환원 분위기에서 소결하고 재산화 처리한 시편의 미세구조와 PTC 특성과의 상관관계를 관찰한 결과, 소결온도는 1200℃로 낮고 다소 기공율이 있는 시편에서 PTC 특성이 좋았으며, 상온 비저항과 저항 변화율(ρmax25°C)은 Sm 함량이 높아질수록 낮아졌다.
  • 본 연구에서는 Sm 함량을 달리한 (Ba,Ca)TiO3 조성을 이용하여 SiO2와 Mn3O4를 소정량 첨가하여 환원 분위기 소결 및 재산화 온도와 시간이 PTC 특성에 어떠한 영향을 미치는지에 대하여 연구하였다.
  • 2의 자료들을 정리하여 상온 비저항과 저항 변화율을 도표화한 것이다. 재산화 처리하기 전 1200℃에서 환원 소결한 시편에 대한 자료는 비교를 목적으로 함께 나타내었다.

가설 설정

  • Fig. 5는 1200℃에서 환원 소결된 시편과 재산화 온도를 달리한 시편에 대한 (a) 복소 임피던스와 (b) 입계 및 입내 비저항의 변화를 나타낸 것이다. Fig.
  • 7,8) 보다 높은 열처리 온도, 보다 긴 열처리 시간이 적용될 경우 상온 저항의 증가를 수반하여 입계 저항은 높아진다.9) 환원 소결된 BaTiO3를 1150℃에서 재산화 시간에 따른 입계 억셉터 상태밀도의 변화를 관찰한 결과 계의 고유 입계 억셉터 상태밀도는 4.
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질의응답

핵심어 질문 논문에서 추출한 답변
도너(donor)를 도핑한 BaTiO3를 기본조성으로 하는 PTC 써미스터(thermistor)란? 도너(donor)를 도핑한 BaTiO3를 기본조성으로 하는 PTC 써미스터(thermistor)는 Curie 온도이상에서 저항이 급격히 상승하는 산화물 반도체 세라믹스이다.1-3) PTC 특성의 발현과 관련하여 Heywang은 입계의 이중 쇼트키 장벽(double Schottky barrier) 모델을 이용하여 설명하였으며,1) 이러한 전위 장벽의 높이는 전체 비저항을 결정하게 된다.
PTC 특성은 어떤 조건에서 근본적으로 억제되는가? 한편 PTC 특성은 환원 분위기에서 소결할 경우 입계에서 흡착된 산소의 탈착으로 말미암아 근본적으로 억제된다.7,8) 보다 높은 열처리 온도, 보다 긴 열처리 시간이 적용될 경우 상온 저항의 증가를 수반하여 입계 저항은 높아진다.
BaTiO3에 Ca 원자를 과잉 첨가하면 어떤 작용에 의해 PTC 특성이 개선되는가? 7,10) BaTiO3에 Sm2O3을 첨가하면 Sm3+ 이온은 Ba2+ 자리에 치환하여 일반적인 도너로 작용하지만 그 함량이 증가할수록 소량의 Sm3+ 이온은 Ti4+와 치환하여 억셉터 이온으로 작용하여 PTC 특성을 향상시킨다.7,11) 또한 Ca 원자는 계에 과잉으로 첨가되었을 때 극소량의 Ca2+ 이온은 Ti4+ 자리로 치환되어 억셉터 이온으로 작용함에 따라 PTC 특성을 개선시킨다.8) SiO2는 BaTiO3와 1260°C에서 공정액상을 형성하여 보다 낮은 온도에서 소결을 가능할 뿐 아니라 도너의 첨가량을 충분히 넓혀주며 BaTiO3의 상온 비저항을 함께 낮추는 역할을 한다.
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참고문헌 (17)

  1. W. Heywang, 'Resistivity Anomaly in Doped Barium Titanate,' J. Am. Ceram. Soc., 47 [10] 484-90 (1964) 

  2. G. H. Jonker, 'Some Aspects of Semiconducting Barium Titanate,' Solid-State Electron., 7 [12] 895-903 (1964) 

  3. L. Hozer, 'Semiconductor Ceramics-Grain Boundary Effects,' pp. 108-47, Ellis Horwood, New York, 1994 

  4. M. Kuwabara, 'Determination of the Potential Barrier Height in Barium Titanate Ceramics,' Solid State Electron., 27 [11] 929-35 (1984) 

  5. I. C. Ho and S. L. Fu, 'Effect of Reoxidation on the Grain-Boundary Acceptor-State Density of Reduced $BaTiO_3$ Ceramics,' J. Am. Ceram. Soc., 75 [3] 728-30 (1992) 

  6. S. K. Jo and Y. H. Han, 'Effects of Reoxidation Process on Positive Temperature Coefficient of Resistance Properties of Sm-doped $Ba_{0.85}Ca_{0.15}TiO_3$ ,' Jpn. J. Appl. Phys., 46 [3A] 1076-80 (2007) 

  7. H. Niimi, T. Ishikawa, K. Mihara, Y. Sakabe, and M. Kuwabara, 'Effects of Ba/Ti Ratio on Positive Temperature Coefficient of Resistivity Characteristics of Donor-Doped $BaTiO_3$ Fired in Reducing Atmosphere,' Jpn. J. Appl. Phys., 46 [2] 675-80 (2007) 

  8. H. Niimi, K. Mihara, Y. Sakabe, and M. Kuwabara, 'Influence of Ba/Ti Ratio on the Positive Temperature Coefficient of Resistivity Characteristics of Ca-doped Semiconducting $BaTiO_3$ Fired in Reducing Atmosphere and Reoxidized in Air,' J. Am. Ceram. Soc., 90 [6] 1817-21 (2007) 

  9. H. M. Al-Allak, G. J. Russell, and J. Woods, 'The Effect of Annealing on the Characteristics of Semiconducting $BaTiO_3$ Positive Temperature Coefficient of Resistance Devices,' J. Phys. D: Appl. Phys., 20 [12] 1645-51 (1987) 

  10. N.-H. Chan and D. M. Smyth, 'Defect Chemistry of Donor-Doped BaTiO3,' J. Am. Ceram. Soc., 67 [4] 285-88 (1984) 

  11. T. Murakami, T. Miyashita, M. Nakahara, and E. Sekine, 'Effect of Rare-Earth Ions on Electrical Conductivity of $BaTiO_3$ Ceramics,' J. Am. Ceram. Soc., 56 [6] 294-97 (1973) 

  12. D. E. Rase and R. Roy, 'Phase Equilibria in the System $BaTiO_3-SiO_2$ ,' J. Am. Ceram. Soc., 38 [11] 389-95 (1955) 

  13. P. Blanchart, J. F. Baumard, and P. Abelard, 'Effects of Yttrium Doping on the Grain and Grain-Boundary Resistivities of $BaTiO_3$ for Positive Temperature Coefficient Thermistors,' J. Am. Ceram. Soc., 75 [5] 1068-72 (1992) 

  14. H. Ueoka, 'The Doping Effects of Transition Elements on the PTC Anomaly of Semiconductive Ferroelectric Ceramics,' Ferroelectrics, 7 [1] 351-53 (1974) 

  15. P. Bomlai, N. Sirikulrat, A. Brown, E. Condliffe, and S. J. Milne, 'Compositional Analysis and Electrical Properties of Sb, Mn-doped Barium Strontium Titanate PTCR Ceramics with $TiO_2 and SiO_2$ Sintering Additives,' J. Mater. Sci., 42 [6] 2175-80 (2007) 

  16. J. C. Wurst and J. A. Nelson, 'Lineal Intercept Technique for Measuring Grain Size in Two-Phase Polycrystalline Ceramics,' J. Am. Ceram. Soc., 55 [2] 109 (1972) 

  17. C. J. Peng and H. Y. Lu, 'Compensation Effect in Semiconducting Barium Titanate,' J. Am. Ceram. Soc., 71 [1] C44-C46 (1988) 

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