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X선 회절법에 의한 할로겐화 은 유제입자의 크리스탈라이트 크기 측정과 결정결함 평가에 관한 연구
Measurement of Crystallite Size of Method and Evaluation of Crystal Defects 원문보기

한국재료학회지 = Korean journal of materials research, v.19 no.6, 2009년, pp.330 - 336  

배창환 (호서대학교 혁신기술경영융합대학원 메카트로닉스공학과) ,  이주희 (호서대학교 혁신기술경영융합대학원 메카트로닉스공학과) ,  한창석 (호서대학교 국방과학기술학과)

Abstract ▼ AI-Helper 아이콘AI-Helper

The size of crystallites in mono-dispersed cubic silver bromide grains was measured by applying a powder X-ray diffraction method and Scherrer's equation to grains that were suspended in swollen gelatin layers. In order to evaluate the existence of defects, the measured crystallite size was compared...

주제어

#powder X-ray diffraction   #fine grain   #silver halide   #crystallite   #crystal defect  

AI 본문요약
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* AI 자동 식별 결과로 적합하지 않은 문장이 있을 수 있으니, 이용에 유의하시기 바랍니다.

문제 정의

  • 본 연구에서는 무결함인 여러 가지 크기의 브롬화 은 유제입자에 대하여 전자현미경을 이용하여 측정한 입자 크기와 X선 회절을 이용하여 구한 크리스탈라이트 크기의 일치도를 검토하여 X선 회절법의 타당성에 대한 조사 및 결함을 포함하는 입자를 제작하여 입자크기와 크리스탈라이트 크기를 비교하여 불일치도에 따른 결함의 존재를 평가하였다.

가설 설정

  • (b)와 같이 회절 X선의 합성파 강도는 위상차(∆Φ)가 크고, 회절파 수가 많을수록 서로 상쇄되어 약해진다.
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질의응답

핵심어 질문 논문에서 추출한 답변
무결함인 할로겐화 은 유제입자에서 감도가 낮은 이유는 무엇인가? 2) Farnell et al.은 무결함인 할로겐화 은 유제입자에서는 잠상이 분해하여 생성되기 때문에 감도가 낮지만, 결함이 존재하는 입자에서는 잠상이 형성될 수 있는 사이트를 제공하여 잠상분산이 제어되기 때문에 고감도를 실현할 수 있다고 보고하였다.3)
할로겐화 은 유제결정결함의 검출수단으로 이용되는 것은 무엇인가? 할로겐화 은 유제입자에 대한 결정결함의 검출수단으로서는 전자현미경과 X선 회절시험이 널리 이용되고 있으며, 투과전자현미경을 이용하면 전위선 등을 직접 관찰할 수 있다. 즉, 전위선 근방에서는 격자정수가 연속적으로 변화하는 영역에서 입사전자선이 Bragg조건을 만족하기 때문에 명확한 전위선을 관찰할 수 있다.
사진 감광과정에서 무엇이 중요한 역할을 하는가? 사진 감광과정에서 할로겐화 은 유제입자의 결함이 중요한 역할을 하는 것은 잘 알려져 있다.1) Mitchell은 할로겐화 은 유제결정의 전위를 따라 광 분해된 은의 생성을 관찰하여 사진 감광과정에서 결정결함이 중요한 역할을 한다고 보고하였다.
질의응답 정보가 도움이 되었나요?

참고문헌 (14)

  1. T. Tadaki, Photographic Sensitivity, p.184, Oxford Univ. press, Oxford, UK (1995) 

  2. J. W. Mitchell, J. Imag. Sci. Tech., 41, 1 (1997) 

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  3. G. C. Farnell, R. L. Jenkins and L. R. Solman, J. Phot. Sci., 24, 1 (1976) 

  4. C. G. Goessens, D. Schryvers, J. Van. Landuyt, S. Amelinckx, A. Verbeeck and R. De Keyzer, J. Crystal Growth, 110, 930 (1991) 

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  5. C. R. Berry, Photographic Sci. and Eng., 17, 394 (1973) 

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  6. R. Herz, H. Kronmueller and H. P. Chang, Appl. phys., 22, 155 (1980) 

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  7. F. W. Willets, J. H. W. Cramp and G. C. Terry, Photographic Sci. and Eng., 18, 85 (1974) 

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  8. P. Scherrer, S. Crevoiserat and T. Lehnert, Inter. Conf. on Solid-State Phase Trans., 1064 (1999) 

  9. K. Moras, T. Taut and C. Taut, Crystallographic, 304 (1994) 

  10. T. B. Ghosh and M. Sreemany, Thin Solid Films, 280, 167 (1996) 

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  11. A. P. Oreshko, V. E. Dmitrienko and Y. Joly, X-ray Optics, 655 (2005) 

  12. C. R. Berry, Photographic Sci. and Eng., 17, 394 (1973) 

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  13. T. Heki and N. Inoue, Forma, 4, 55 (1989) 

  14. M. Ihama, K. Miyake and T. Tani, J. Imaging Sci. Tech., 42, 499 (1998) 

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