최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기인포메이션 디스플레이 = Information display, v.10 no.4, 2009년, pp.12 - 21
전순옥 (단국대학교 공과대학 고분자시스템공학과) , 육경수 (단국대학교 공과대학 고분자시스템공학과) , 이준엽 (단국대학교 공과대학 고분자시스템공학과)
초록이 없습니다.
* AI 자동 식별 결과로 적합하지 않은 문장이 있을 수 있으니, 이용에 유의하시기 바랍니다.
핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
---|---|---|
일반적인 OLED 소자의 구조는? | OLED 소자는 크게 양극(anode), 정공전달층(hole transport layer), 발광층(emission layer), 전자전달층(electron transport layer) 및 음극(cathode)의 다층 박막구조로 이루어져 있으며 효율적인 전하의 주입을 위하여 정공전달층과 전자 전달층을 2개 또는 3개의 박막층으로 다양화하기도 한다. 발광층의 유기발광 메커니즘은 형광 발광과 인광 발광으로 구분 되며 형광 발광은 최대 25%의 내부 양자 효율을 나타내고 있는 반면 인광 발광은 최대 100% 의 내부 양자 효율을 구현 할 수 있다. | |
인광은 이론적으로 형광 대비 몇 배의 효율 달성이 가능한가? | 현재 녹색, 적색 및 하늘색 계열의 청색 인광 전기발광소자의 경우 내부양자 효율이 100 %에 가까운 높은 효율이 보고되고 있지만, 진한 청색 인광 전기발광소자의 경우 현재까지 높은 효율이 구현되지 못하고 있는 상황이다. 인광은 이론적으로 형광 대비 4배의 효율 달성이 가능하다. 일반적으로 여기 상태에 서의 일중항 상태와 삼중항 상태의 비율은 1:3으로 형성 되게 되며, 형광재료의 경우 일중항 상태만 발광에 이용 하고, 인광 재료의 경우 일중항 상태와 삼중항 상태를 모두 발광에 이용할 수 있기 때문에 이론적인 발광 효율의 비율은 형광 재료와 인광 재료가 1:4의 비율이 된다. | |
인광 소자에 사용되는 전하수송물질은 삼중한 엑시톤의 소광을 막기 위하여 높은 삼중항 에너지를 요구하는 이유는? | 형광 소자와는 달리 인광소자는 삼중항 상태에서 발광을 하게 되며, 발광층 주변의 전하수송층의 삼중항 에너지가 낮을 경우 발광층의 삼중항 엑시톤이 전하수송층으로 전달되어 엑시톤이 소멸되는 현상이 나타나게 되므로 효율이 감소하게 된다. 특히 삼중항 엑시톤의 여기상태의 lifetime이 0.1 ~ 100 μs로서 길기 때문에 엑시톤의 확산 거리가 최대 100 nm 로 알려져 있다. 따라서 인광 소자에 사용되는 전하수송물질은 삼중항 엑시톤의 소광을 막기 위하여 형광소자에 사용되는 전하수송물질에 비하여 높은 삼중항 에너지를 요구하며, 전하수송의 역할과 엑시톤 방지의 두가지 역할을 동시에 하게 된다. |
M. Pope, H. Kallmann, P. Magante, J. Chem.Phys 38, 2032 (1963)
M. Pfeiffer,K. Leo, X. Zhou, J. S. Huang, M. Hofmann, A. Werner, J. Blochwitz, Org. Electronics, 4, 89 (2003)
M. Pfeiffer, S. R. Forrest, K. Leo, M. E. Thompson, Adv. Mater. 14, 1633 (2002)
J. Blochwitz, M. Pfeiffer, T. Fritz, K. Leo, Appl. Phys. Lett. 73, 729 (1998)
M. Pfeiffer, A. Beyer, T. Fritz, K. Leo, Appl. Phys. Lett. 73, 3202 (1998)
D. M. Kang, J. W. Kang, S. K. Kwon, Adv. Mater. 20, 2003 (2008)
S-.O. Jeon, K. S. Yook, C. W. Joo, J. Y. Lee, K-.Y. Ko, J-.Y. Park, and Y. G. Baek Appl. Phys. Lett. 93, 063306 (2008)
J. Blochwitz, T. Fritz, M. Pfeiffer, K. Leo, D. M. Alloway, P. A. Lee, N. R. Armstrong, Org. Electronics, 2, 97 (2001)
K. S. Yook, J. Y. Lee. Synthetic Metals. 159, 69 (2009)
J. Y. Lee, Appl. Phys. Lett. 89, 253501 (2006)
J. Meyer, S. Hamwi, T. B $\ddot{u}$ low, H.-H. Johannes, T. Riedl, and W. Kowalsky, Appl. Phys. Lett. 91, 113506 (2007)
L. S. Hung, C. W. Tang, and M. G. Manson, Appl. Phys. Lett. 70, 152 (1997)
S. Shi, and D. Ma, Appl. Surf. Sci. 252, 6337 (2006)
H. Heil, J. Steiger, S. Karg, M. Gastel, H. Ortner, H. von Seggern, M. Sto $\beta$ el, J. Appl. Phys. 89, 420 (2001)
M. G. Mason, C. W. Tang, L.-S. Hung, P. Raychaudhuri, J. Madathil, D. J. Giesen, L. Yan, Q. T. Le, Y. Gao, S.-T. Lee, L. S. Liao, L. F. Cheng, W. R. Salaneck, D. A. dos Santos, J. L. Bre'das, J. Appl. Phys. 89, 1756 (2001)
Y. Park, J. Lee, S. K. Lee, D. Y. Kim, Appl. Phys. Lett. 79, 105 (2001)
J. Lee, Y. Park, S. K. Lee,E.-J. Cho, D. Y. Kim, H. Y. Chu, H. Lee, L. M. Do, T. Zyung, Appl. Phys. Lett. 80, 3123 (2002)
C-.I. Wu, G-.R. Lee, T-.W. Pi, Appl. Phys. Lett. 87, 212108 (2005)
S-.H. Eom, Y. Z. Zheng, E. Wrzesniewski, J. Lee, N. Chopra, F. So, J. Xue, Org. Electronics 10, 686 (2009)
*원문 PDF 파일 및 링크정보가 존재하지 않을 경우 KISTI DDS 시스템에서 제공하는 원문복사서비스를 사용할 수 있습니다.
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.