선택한 단어 수는 입니다.
최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
선택한 단어 수는 30입니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
문제 정의
- 본 연구에서 MgO + x ppm Fe2O3 조성에서 Fe2O3 첨가량(x) 에 따른 소결체의 특성과 MgO 박막의 광학적, 전기적 특성을 조사하여 다음과 같은 결론을 얻었다.
제안 방법
- 1700℃에서 5시간 소결한 MgO 소결체를 전자선 증착기 (E-beam evaporator, Kwangwoon University PDP Research Center) 를 사용하여 MgO 박막을 제작하였다. 이때 사용한 기판은 glass(PD-200)를 사용하였으며 증착속도 0.
- MgO 박막의 제작방법은 스퍼터링 [8, 9], 전자선증착[10, 11], 이온플레이팅⑼, 화학 기상 증착[12]의 방법이 있으며 본 실험에서는 전자선 증착 방법으로 MgO 박막을 제작하였다. 이에 본연구에서는 방전전압을 낮추기위해 이차전자 방출계수를 높이기 위해 FezCfe를 0, 50, 100, 200 ppm 첨가하여 소결체의 특성과 소결체를 타켓으로 만든 박막의 광학적 전기적 특성을 관찰하였다.
대상 데이터
- 이때 사용한 기판은 glass(PD-200)를 사용하였으며 증착속도 0.5 nm/sec 로 약 426 nm 증착하였다.
- 조성식 MgO + X. ppm FezCfe으로 시료는 정제한 순수 MgO (99.96 %, (주)씨앤켐)에 Fe2O3 (99.9 %, Aldrich)를 ppm 단위로 첨가량(x=0, 50, 100, 200)을 달리하여 혼합한 후, 압축하여 disk 형태로 제작하여 pellet을 만들었다.
이론/모형
- MgO 박막의 가속전압에 따른 이차전자 방출계수는 x-FIB System (Gamma-Focused Ion Beam System, Kwangwoon University PDP Research Center)[13, 14]로 측정하였고 증착된 MgO 박막의 형상과 두께를 관찰하기 위해 FE-SEM (Field EmissicBi Scanning Electron Microscope, JEDL JSM- 6700F)을 이용하였다. 표면거칠기는 AFM (Atomic Force Microscopy ; JSPM-5200)으로 측정하였으며, 가시광선영역에서의 투과율을 보기위해 자외선/ 가시광선 분광광도계(UV/VIS Spectrophotometer, Mecasys Co.
- Ltd)을 이용하였다. 경도측정을 위해 미소 경도측정기 (Hardness Testing Machine HM-124, AkashiX 이용하였으며 소결체의 밀도측정은 아르키메데스 방법을 사용하여 측정(Density Kit, Toledo)하였다.
- 얻었다. 소결체의 파단면 형상을 관찰하기 위해 SEM( Scanning Electronic Microscope, Topcon sm~300)을 이용하였고, 미세구조를 관찰하기 위해 XRD(X-Ray Diffraction, MAC Science Co. Ltd)을 이용하였다. 경도측정을 위해 미소 경도측정기 (Hardness Testing Machine HM-124, AkashiX 이용하였으며 소결체의 밀도측정은 아르키메데스 방법을 사용하여 측정(Density Kit, Toledo)하였다.
- 이용하였다. 표면거칠기는 AFM (Atomic Force Microscopy ; JSPM-5200)으로 측정하였으며, 가시광선영역에서의 투과율을 보기위해 자외선/ 가시광선 분광광도계(UV/VIS Spectrophotometer, Mecasys Co.Ltd)를 사용하였다. 각 MgO pellet과 MgO 박막은 수분과의 반응을 최소화하기위해 진공포장하여 시료를 보관하였다.
성능/효과
- 1. FeQj 를 50, 100, 200 ppm 첨가하여 1700℃ 에서 5시간 소결한 소결체로 e-beam 증착하여 제작한 MgO 박막의 이차전자 방출계수는 Fe2O3 를 첨가하지 않은 순수 MgO에 비해 모두 높게 측정되었으며 이로써 Fe2O3 첨가에 의해 이차전자 방출계수를 높일 수 있었다.
- 3. MgO에 Fe2O3룰 100 ppm 첨가하여 얻은 소결체로 입힌 MgO 박막은 다른 첨가량의 박막에 비해 표면거칠기가 가장 높았으며 단면적의 크기가 증가함에 의해 높은 이차전자방출계수값을 얻을 수 있었다.
- 4. 증착된 모든 박막의 가시광선 영역에서의 투과도는 90% 이상으로 우수한 특성을 나타내었다.
- Fe2O3 첨가에 따라 비커스 경도값은 증가하였으며, x=0, 50, 100, 200 일때 각각 723, 692, 716, 736 의 비커스 경도값을 얻었다. 파괴인성 값은 x=0, 50, 100, 200 일때 각각 2.
- 사진이다. Glass 기판 위에 증착된 MgO 박막의 두께는 x=0 일때 445 nm, x=50 일때 420 nm, x늬00 일때 432 nm, x=200 일때 408 nm 이었으며, 전체적으로 상당히 균일하고 고른 박막면이 형성되었음을 알 수 있었다. 그림 8과 9는 FeOs 의 첨가량에 따른 MgO 박막의 표면거칠기를 측정한 AFM 사진과 결과값으로, 각 시편당 10 ㎛ X io 网의 면적에서 측정하였다.
- x=0 ppm인 pure MgO XRD pattern (그림 4(a))과 50, 100, 150, 200 ppm FezQs 가 첨가된 소결체의 XRD pattern을 비교했을 때 전체적으로 MgO 이외의 새로운 피크나 상(phase)은 나타나지 않았으며, 전체적으로 잘 합성되었음을 알 수 있었다.
- MgO를 패턴화하여 박막을 입힌 것과 일반적인 방법으로 만든 박막의 2차전자방출계수를 비교한 연구결과 [15]를 보면 패턴화하여 표면거칠기를 크게 증가시킨 박막의 이차전자방출계수가 일반적인 방법보다 더 높게 나타났으며 이는 표면거칠기 증가에 따른 work function(일함수)의 감소에 의해 2차 전자 방출계수가 증가하는 것으로 설명하였다. 본 실험 결과에서도 표면거칠기가 큰 박막에서 2차 전자 방출계수가 크게 나타났으며 이는 표면거칠기 증가에 따른 work function의 감소가 2차전자방출계수를 증가시키는 것으로 판단된다.
- FcaQ?의 첨가량이 200 ppm일때 93, 73%의 최소값을 나타내었으며 가시광선 영역에서 90% 이상의 투과도를 보였으며 Fe2O3를 첨가하여 AC- PDP의 보호막으로 사용할 경우 가시광선 영역의 투과도에 문제가 없음을 확인하였다.
- 3 A의 표면거 칠기 를 나타내었다. 표면거 칠기 와 2차 전자 방출계수를 비교해보면 FezCfe가 100 ppm 첨가된 박막의 표면 거칠기가 가장 컸으며, 2차전자방출계수도 100 ppm 첨가된 박막이 가장 크게 나타났다. MgO를 패턴화하여 박막을 입힌 것과 일반적인 방법으로 만든 박막의 2차전자방출계수를 비교한 연구결과 [15]를 보면 패턴화하여 표면거칠기를 크게 증가시킨 박막의 이차전자방출계수가 일반적인 방법보다 더 높게 나타났으며 이는 표면거칠기 증가에 따른 work function(일함수)의 감소에 의해 2차 전자 방출계수가 증가하는 것으로 설명하였다.
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.