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한국해양정보통신학회논문지 = The journal of the Korea Institute of Maritime Information & Communication Sciences, v.14 no.9, 2010년, pp.2065 - 2070
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The diluted PMMA treated
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| 핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
|---|---|---|
| OTFT의 특성은 무엇에 따라 결정되는가? | 기존의 트랜지스터는 무기물 반응을 기본으로 이루어져 있어서 유기물에 대한 연구는 거의 이루어져 있지 않았으며, 특히 박막에서의 유기화합물에 대한 연구는 나노기술을 요구하고 있다[6-10]. OTFT의 특성은 SiO2 산화막의 특성에 따라 결정되며, SiO2 산화막의 특성분석은 FTIR 분석방법, XPS 분석방법, Raman 분석 방법 등 여러 가지 방법이 있으며, 그 중에 한가지인 FTIR 분석기술은 유기물 박막에 있어서 유용한 분석법으로 알려져 있으며, 유기물 박막에 대한 많은 정보들을 제공해 준다[11-13]. 그리고 금속/절연체/반도체구조를 이용한 누설전류 측정법이 있다[14-15]. | |
| OTFT의 게이트 절연막으로 사용되는 SiO2의 단점을 보완하기 위해 무엇을 사용하는가? | 그런데OTFT를만들기위해서는게이트 절연막으로 SiO2를 사용하는데 누설전류의 발생으로특성이좋지않다. 그것을보완하기위해서 SiO2 게이트 절연막위에 보호막을만들어 사용하고있다. 이때주로 사용되고 있는 물질이 PMMA (poly-methylmethacrylate)와 OTS (n-octadecyltrichlorosilane) 유기물질이다. | |
| OTFT는 어떤 트랜지스터를 실현할 수 있는 대표적인 유기물 반도체인가? | 유기물 박막에대한 연구는 전도체, 절연체 등에 동시에 적용하여 사용될 수 있는 독특한 특성 때문에 디스플레이나, 통신시스템에 이용할 수 있어서 최근 많은 연구가 이루어지고 있는 분야이다. 대표적으로는 적은 비용으로 고속의 이동도를 갖는 유연한 트랜지스터를 실현할 수 있는 필수 요소인 OTFT (Organic Thin Film Transistor)가 대표적인 유기물 반도체로서 적용되고 있는실정이다[1-5]. 그런데OTFT를만들기위해서는게이트 절연막으로 SiO2를 사용하는데 누설전류의 발생으로특성이좋지않다. |
강만구, 김종대 "플렉시블 염료감응 대양전지 기술" 전기전자재료학회지, 제19권 7호, p. 39, 7월 2006.
Teresa Oh, H. B. Kim, "Pentacene thin film trasnsistors on PMMA treated SiO2," Transactions on Electrical and Electronic Materials, Vol. 7, No. 7, p. 639-645, December 2006.
P. W. May, S. Hohn, W. N, Wang and N. A. Fox, "Field emission conduction mechanisms in chemical vapor deposited diamond and diamondlike carbon films," Appl. Phys. Lett. vol.27, pp. 2182-2184, 1998.
Ioannis Kymissis, C. D. Dimitrakopoulos and Sampath Purushothaman, "High-Performance Bottom Electrode Organic Thin-Film Transistors," IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, Vol.48, pp.1060-1064, 2001.
D. J. Gundlach, Y. Y. Lin, T. N. Jackson, S. F. Nelson and D. G. Schlom, "Pentacene Organic Thin-Film Transistors-Molecular Ordering and Mobility, " IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 18, (1997) 87-89.
M. A. Tamor and C. H. Wu, "Graphitic network models of diamondlike carbon," J. Appl. Phys, Vol. 67, pp. 1007-1012, Jan. 1990.
J. Frenkel, "On pre-breakdown phenomena in insulators and electronic semiconductors," Phys. Rev. 54, pp. 647-648, 1938.
Jin Yong Kim, Moo Sung Hwang, Yoon-Hae Kim, and Hyeong Joon Kim, Young Lee, "Origin of low dielectric constant of carbon-incorporated silicon oxide film deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition," J. Appl. Phys. Vol. 90, pp. 2469-2473, 2001.
Jong-Ho YUN, Eun-Seok CHOI, Choel-Min JANG and Choon-Soo LEE, "Effect of post-treatments on atomic layer deposition of TiN thin films using tetrakis (dimethylamido) titanium and ammonia,"Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 41, pp. L418-L421, 2002.
J. R. Kalnin and E. Kotomin, "Modified Maxwell-Garnett equation for the effective transport coefficients in inhomogeneous media," J. Phys. A:Math. Gen. Vol. 31, pp.7227-7234, 1998.
P. R. Emtage and W. Tantraporn, "Schottky emission through thin inslulating films," Physical Review letters, Vol. 8, No. 7, pp. 267-268, 1962.
J. G. Simmons, "Pools-Frenkel Effect and Schottky in Metal-Insuloror-Metal Systems," Physial Review, vol. 155, pp. 657-660, 1967.
C. A. Mead, "Electron Transport Mechanism in Thin Insulating Films," Physical Review, vol. 128, pp. 2088-2093, 1962.
Giulia Galli and Richard M. Martin, "Structural and electronic properties of amorphous carbon," Phys. Rev. Lett. 62(5), pp. 555-558, 1989.
Teresa Oh, "Comparision between organic thin films deposited by using CCP-CVD and ICP-CVD," J. Korean Phys. Soc. Vol. 55, pp. 1950-1954, 2009.
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