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초록
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본 논문에서는 새로운 고조파 차단 부하 회로를 제안하고, 이 회로를 이용한 고효율 F급 전력 증폭기를 설계하였다. 제안된 부하 회로는 F급 전력 증폭기의 효율을 향상에 있어서 큰 기여도를 갖는 2차와 3차 고조파에서 종단 임피던스를 제어한다. 제안된 부하 회로의 2차와 3차 고조파 입력 임피던스는 각각 단락 및 개방 임피던스를 보인다. 제작된 구조의 부하 회로는 F급 전력 증폭기의 고조파를 억압하기에 충분한 24 dB 이상의 감쇠 특성도 보인다. 부하 회로를 이용한 F급 전력 증폭기의 측정 결과는 최대 출력($P_{1dB}$) 35.17 dBm에서 드레인 효율 75.7%, 전력 부가 효율 71.3 %를 보였다.

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

In this paper, we proposed a novel harmonic load circuit to design a high efficiency class-F amplifier. The proposed load circuit controls termination impedances to enhance the efficiency of class-F power amplifier. The termination impedances at the 2nd and the 3rd harmonics are showed short and ope...

주제어

AI 본문요약
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문제 정의

  • 본 연구에서는 F급 전력 증폭기를 설계하기 위한 새로운 고조파 차단 부하 회로를 제안하였다. 제안된 고조파 차단 부하 회로를 WCDMA 기지국 하향 링크 주파수 대역인 2.
  • 본 연구에서는 효율 향상에 있어서 가장 큰 기여도를 갖는 2차와 3차 고조파 성분만을 제거하는 새로운 고조파 차단 부하 회로를 제안하여 2.14 GHz 대역에서 동작하는 F급 전력 증폭기를 설계하였다.
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질의응답

핵심어 질문 논문에서 추출한 답변
전력 증폭기의 효율 증가로 인한 이점은? 전력 증폭기는 송신기 단에 가장 핵심적인 부분으로서, 전체 시스템 효율에 가장 큰 영향을 미치는 요소이다. 전력 증폭기의 효율이 증가하게 되면 기지국 및 중계기 측면에서 냉각 시스템의 사용으로 인한 추가 비용을 감소시킬 수 있고, 또한 단말기 측면에서는 배터리의 수명을 증가시킬 수 있다. 전력증폭기의 효율 증대를 위한 방법 중 가장 대표적인 증폭기로 E급 전력 증폭기와 F급 전력 증폭기가 있다.
E급 전력 증폭기와 F급 전력 증폭기의 특징은? 전력증폭기의 효율 증대를 위한 방법 중 가장 대표적인 증폭기로 E급 전력 증폭기와 F급 전력 증폭기가 있다. E급 전력 증폭기의 경우, 스위칭 증폭기의 대표적인 형태로 회로는 비교적 간단한 반면, 출력 전력이 캐패시턴스에 따라 변하기 때문에, 민감도가 높아 GHz 대역에서 대전력 증폭기를 구현하기에 어려움이 따른다. F급 전력 증폭기의 경우에는 전류와 전압의 출력 파형이 서로 겹치는 것을 없애기 위해 증폭기가 최대 출력이 되었을 때 고조파 성분을 제어하는 방식을 선택한다. 또한, 전력 밀도가 높고 외부 회로만으로 고조파 성분을 조율하여 효율을 높이기 때문에 쉽게 접근할 수 있는 장점을 갖는다. 하지만, 모든 고조파 성분을 제거하는 회로를 만들기 위해서는 회로가 복잡해지기 때문에, 현실적으로 모든 고조파 성분을 제어하는 것은 불가능하다. 이론적으로 F급 전력 증폭기는 모든 고조파 성분을 제거하면 100 %의 효율을 얻을 수 있다[1]~[3].
전력증폭기의 효율 증대를 위한 방법으로 대표적인 종류는? 전력 증폭기의 효율이 증가하게 되면 기지국 및 중계기 측면에서 냉각 시스템의 사용으로 인한 추가 비용을 감소시킬 수 있고, 또한 단말기 측면에서는 배터리의 수명을 증가시킬 수 있다. 전력증폭기의 효율 증대를 위한 방법 중 가장 대표적인 증폭기로 E급 전력 증폭기와 F급 전력 증폭기가 있다. E급 전력 증폭기의 경우, 스위칭 증폭기의 대표적인 형태로 회로는 비교적 간단한 반면, 출력 전력이 캐패시턴스에 따라 변하기 때문에, 민감도가 높아 GHz 대역에서 대전력 증폭기를 구현하기에 어려움이 따른다.
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참고문헌 (8)

  1. Steve C. Cripps, RF Power Amplifiers for Wireless Communications, Artech House, 2006. 

  2. Andrey V. Grebennikov, "Circuit design technique for high efficiency class F amplifier", IEEE MTT-S Digest, vol. 2, pp. 771-774, Jun. 2000. 

  3. 김정준, 문정환, 김장헌, 김일두, 전명수, 김범만, "2.14-GHz 대역 고효율 Class-F 전력 증폭기 개발", 한국전자파학회논문지, 18(8), pp. 873-879, 2007 년 8월. 

  4. Frederick H. Raab, "Class-F power amplifier with maximally flat waveforms", IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, vol. 45, no. 11, pp. 2007-2012, Nov. 1997. 

  5. Chanmin Lee, Youngcheol Park, "Design of compact-sized class-F PA for wireless handset applications", IEEE International Microwave Symposium Proceedings, pp. 405-408, Jun. 2009. 

  6. Youngwoo Yang, Youngyun Woo, Jaehyok Yi, and Bumman Kim, "A new empirical large-signal model of Si LDMOSFETs for high-power amplifier de sign", IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, vol. 49, no. 9, pp. 1626-1633, Sep. 2001. 

  7. Youngyun Woo, Youngoo Yang, and Bumman Kim, "Analysis and experiments for high-efficiency class-F and inverse class-F power amplifiers", IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, vol. 54, no. 5, pp. 1969-1974, May 2006. 

  8. Yongchae Jeong, Si-gyun Jeong, Jongsick Lim, and Sangwook Nam, "A new method to suppress harmonics using ${\lambda}/4$ bias line combined by defected ground structure in power amplifiers", IEEE Microwave and Wireliess Components Letters, vol. 13, no. 12, pp. 538-540, Dec. 2003. 

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