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NTIS 바로가기광학과 기술 = Optical science and technology, v.14 no.3, 2010년, pp.20 - 25
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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우리나라 LED 중소·벤처 기업은 시장 경쟁 치열화에 따라 어떤 어려움을 겪게 될 것으로 예상하는가? | LED산업이 활황이고 향후 계속 성장을 지속해 나갈 전망임에도 불구하고 대기업의 LED 주력시장 진출, 업체 난립으로 인한 시장 경쟁 치열화에 따라 중소·벤처 기업에게는 기회와 위기가 동시에 나타나며, 성장 속에서도 경쟁력이 취약한 기업은 퇴출되게 될 전망이다. LED 중소·벤처 기업은 시장 따라잡기 위한 설비투자 압박, LED제품의 고성화와 동시 저가화 압박, 수요자의 LED제품에 대한 고신뢰성 압박, 전문인력과 산업현장 인력 부족, 적절한 부품소재의 수급 부재, 독자생존할 수 있는 틈새시장 발견의 어려움, 대기업과 협업 관계 설정 어려움, 아직 충분히 열리지 않은 시장을 위한 선기술 개발 압박 등의 어려움을 겪게 될 것이다. | |
180 lm/W 이상의 성능을 가지는 LED를 얻기 위한 향후 기술 개발 방향은? | 우리나라도 하루 빨리 180 lm/W 이상의 광소자 성능개발이 필수적이다. LED의 성능을 향상을 위한 향후 기술 개발 방향은 광소자의 각 구조별 기술이 모두 최적화하여 고방열, 고신뢰성, 고양자효율, 고추출효율의 특성을 확보하는 것이다. 그림3은 기술적으로 검토해야하는 과제들을 요약하였다. | |
니치아는 LED 특허 중 어떤 부분의 강력한 원천특허를 보유하고 있는가? | 성능수준 격차가 좀처럼 메워지지 않는 원인은 개발역사가 짧아 LED에 대한 기술적 기반이 부족한 상태에서 약 2만개로 추산되는 해외 LED특허를 회피하면서 제품의 상용화에 급급한 성능향상에 개발의 주력을 두어 왔기 때문에 기초원천기술의 확보와 우수한 전문 인력 양성에 미흡했던 때문이라고 생각된다. 그 반면에 니치아는 30여년의 연구개발 역사와 약 4천건에 이르는 LED 특허를 보유하고 있으면서 (1) 표면요철 구조라는 PSS 원천기술, (2) 저온 GaN 버퍼, (3) 고 ESD 에피, 클래드층 성장, (4) 저 저항 p-GaN, (5) 대각선 전극구조, (6) Droop 최소화되는 활성층 에피, (7) 고 양자·추출의 고효율 에피, (8) 고 신뢰성 에피, 칩 공정, (9) Ce:YAG 형광체, (10) 독자적 MOCVD 장비 기술 등 강력한 원천특허를 보유하고 있어 후발주자의 추격을 어렵게 하며 선구적 연구로 새로운 신기술을 계속 창출하고 있다. 특히 실험실적 연구결과는 이미 2006년에 150 lm/W를, 2009년에는 250 lm/W를 초과하는 효율을 실현했다고 발표한 바 있다. |
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