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NTIS 바로가기韓國磁氣學會誌 = Journal of the Korean Magnetics Society, v.20 no.2, 2010년, pp.35 - 40
최종구 (상지대학교 대학원 동서의료공학과) , 곽태준 (상지대학교 보건과학대학 한방의료공학과) , 이상석 (상지대학교 대학원 동서의료공학과) , 심정택 (상지대학교 이공과대학 응용물리전자학과)
The GMR-SV (giant magnetoresistance-spin valve) device depending on the micro patterned features according to two easy directions of longitudinal and transversal axes has been studied. The GMR-SV multilayer structure was Ta(5 nm)/NiFe(8 nm)/Cu(2.3 nm)/NiFe(4 nm)/IrMn(8 nm)/Ta(2.5 nm). The applied an...
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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전형적인 바이오센서의 구성은? | GMR-SV 소자는 나노공학 및 생명공학의 기술과 의학 및 생물학의 학제간 융합연구가 발전하여 DNA(deoxy nuclei acid) 분자 칩(chip)이나 고감도 생체센서로 활용하기까지 이르렀다[1, 2]. 생체분자로부터 나오는 생체신호를 검출하기 위해 개발된 전형적인 바이오센서(biosensor)는 생물학적 인지시스템과 물리화학적 신호변환기(transducer)를 조합하여 특이한 분자 종을 선택적으로 반응하여 분석하는 핵심소자들로 구성되어 있다[3, 4]. | |
GMR-SV 박막 증착 시 자성 고정층의 용이축 방향을 어떻게 해야하는 것이 중요한가? | 일축 방향 자기장 하에서 자화 용이축에 의존하는 형상 자기이방성에 대해 실험한 결과로 알 수 있는 것은 자성 고정층의 용이축 방향을 GMR-SV 바이오센서의 폭 방향으로 정하고 자성 자유층은 형상 자기이방성에 의해 설정되는 길이 방향으로 용이축 방향을 정하는 것이 소자를 개발 하는데 가장 이상적인 요건이다. 즉, GMR-SV 다층박막을 증착할 때 형성된 일축 이방성인 자기장의 용이축과 수직으로 90°가 되도록 소자를 길이 방향으로 패턴닝하는 것이 중요하다. 본 연구에서 자장민감도를 감소시키면서 소자의 폭 방향을 고정층의 용이축 방향으로, 소자의 길이 방향을 자유층의 용이축 방향으로 유도하는 이유는 GMR-SV 다층박막 구조에서 자유층의 보자력이 최소화로 나타난 0 Oe 근방에서 외부에 따른 미세 자기장이 증감함에 따라 선형적으로 반응하는 최적 조건을 얻기 위함이었다. | |
GMR-SV 소자의 활용 현황은? | GMR-SV(Giant magnetoresistance-spin valve) 소자를 이용한 바이오센서는 분자수준 크기의 특이 종을 선택함에 있어서 자성신호를 측정하여 생물학적 또는 화학적 분자의 운동을 관찰하는데 용이할 수 있다. GMR-SV 소자는 나노공학 및 생명공학의 기술과 의학 및 생물학의 학제간 융합연구가 발전하여 DNA(deoxy nuclei acid) 분자 칩(chip)이나 고감도 생체센서로 활용하기까지 이르렀다[1, 2]. 생체분자로부터 나오는 생체신호를 검출하기 위해 개발된 전형적인 바이오센서(biosensor)는 생물학적 인지시스템과 물리화학적 신호변환기(transducer)를 조합하여 특이한 분자 종을 선택적으로 반응하여 분석하는 핵심소자들로 구성되어 있다[3, 4]. |
D. A. Baker, Nature 405, 39 (2000).
G. Li, S. Sun, R. J. Wilson, R. L. White, N. Pourmand, and S. X. Wang, Sens. Acut. A 126, 98 (2006).
D. L. Graham, H. A. Feliciano, P. P. Fretias, L. A. Clarke, and M. D. Amaral, Sens. Acut. B 107, 936 (2005).
S. S. Lee, D. G. Hwang, J. K. Kim, and K. Rhie, J. Korean Phys. Soc. 40, 484 (2002).
D. W. Kim, J. H. Lee, M. J. Kim, and S. S. Lee, J. Magnetics14, 80 (2009).
W. H. Lee, D. G. Hwang, and S. S. Lee, J. Magnetics 14, 18(2009).
S. H. Park, K. S. Soh, D. G. Hwang, J. R. Rhee, and S. S. Lee,J. Magnetics 13, 30 (2008).
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