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인포메이션 디스플레이 = Information display, v.11 no.5, 2010년, pp.23 - 32
윤선진 (한국전자통신연구원 차세대태양광연구부) , 김준관 (한국전자통신연구원 차세대태양광연구부) , 임정욱 (한국전자통신연구원 차세대태양광연구부)
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| 핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
|---|---|---|
| ZnO이란? | ZnO(산화아연)는 wide bandgap(Eg = 3.3 eV) 물질로서 1930년대 이래로 가장 많은 연구가 수행된 광전자 및 전자재료 중의 하나이다. ZnO는 고유한 발광 특성, 투명하면서 고온 전자소자에 유리한 특성 들을 가진다. | |
| ZnO의 특성은? | 3 eV) 물질로서 1930년대 이래로 가장 많은 연구가 수행된 광전자 및 전자재료 중의 하나이다. ZnO는 고유한 발광 특성, 투명하면서 고온 전자소자에 유리한 특성 들을 가진다. 단결정상태의 ZnO는 UV 레이저, 청색 레이저 응용 목적으로 많은 연구가 수행되고 있으며, 그 외 다결정 상태로 형광체, 자성체, 필터, 그리고 바리스터, 박막 트랜지스터 등과 같은 전자소자에 이용되고 있다. | |
| ZnO은 산소가 결핍된 상태에서 어떤 특성을 보이는가? | 3 eV로 크기 때문에 고저항 특성을 가진다. 하지만 산소가 결핍된 상태에서는 n-형 반도체 특성을 가지게 되어 저항이 감소하는데 vacancy 등 결함을 포함하여 불완전한 결합을 가지는 만큼 불안정한 특성을 보인다. 여기에 Al, Ga, B, In 등의 3족에 속하는 적절한 불순물을 첨가할 경우 안정적인 전도성을 나타내며 동시에 가시광선 투과도가 커서 투명전극으로 활용하기에 매우 적합한 물질이 된다. |
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J. I. Owen, J. Hupkes, E. Bunte, S. E. Pust, A. Gordijn, 25th European Photovoltaic Solar Energy Conf. 2010 (Valencia, Spain) Abstract No.3AV.1.24.
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