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문제 정의
- 따라서 고온초전도체 (HTS)와 저 온 초전도체 (LTS)의 사이를 연결하는 중간 고리 역 할과 MgB2 초전도체의 산업적 응용제품 개발 및 시장 개척, 즉 HTS와 LTS의 틈새에서 MgB2 초전도체만이 가지는 특수영역 창조가 활발하게 이루어지고 있는 시점에서, 그동안 어떻게 우리나라에서 MgB2 PIT 선재 제조가 이루어지고 발전되어 왔는지를 기술함에 있어, 2001년 당시에 저자가 소속되어 있었던 한국전기연구원 초전도연구그룹 연구원들과 함께 각고의 노력 끝에 얻은 산물인 2001년 5월에 국내 최초로 MgB2 PIT 선재 제조에 성공한 결과를〔8〕시작으로, 초창기 다년간 MgB2 PIT 선재 제조 및 특성향상 등의 관련 연구 결과들을〔9-19〕국내에서 독보적으로 양산하였던 한국전기연구원 초전도 연구그룹 결과들을 중심으로 리뷰(review)형식을 임차해 기술하고자 한다.
- 따라서 그림 11에서 MgB2 PIT 선재를 이용하여 20 K, 0.5 T 자기장을 가지는 MRI용 MgB2 초전도자석을 개발한 것처럼〔24〕, MgB2 PIT 선재를 이용한 초전도응용기기 개발이 현재 세계적으로 활발히 진행되고 있는데, MgB2 초전도체의 임계전이 온도가 39 K이므로 액체 질소 온도에서 사용하는 초전도응용기기개발은 불가능하더라도, 20 K 온도 영역에서 가동되는 응용기기 개발을 함으로써 값비싼 액체헬륨을 사용하는 저온초전도 선재 시장을 목표로 하고 있다. 이와 같은 목표가 실현되기 위해서는, 먼저 MgB2 PIT 선재의 20 K 온도와 고-자기장 하에서 통전 특성 향상과 상대적으로 낮은 상부임계자기장 Hc2 의상 승이 요구되는데, 이에 대한 기초 연구 결과들이 이미 발표되어 현재 이를 응용 중에 있다.
가설 설정
- 그림 1. MgB2 PIT 선재 제조 과정.
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