선택한 단어 수는 입니다.
최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
선택한 단어 수는 30입니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
제안 방법
- 4'' 직경을 갖는 p-type (100) 실리콘 웨이퍼 위에 2 µm 두께의 열산화막을 형성한 후 저온 화학 기상 증착법(Low Pressure Chemical Vapor Deposition, LPCVD)을 사용하여 0.25 µm 두께로 증착된 a-Si 박막을 형성하였다.
- 25 µm 두께로 증착된 a-Si 박막을 형성하였다. 결정화 거동을 조사하기 위하여 관상로(Tube furnace)를 사용하여 560~800℃의 각 온도에서 열처리 시간을 변수로 열처리를 실시하였다. 열처리 온도 및 시간에 따른 결정화 거동은 본 연구에서 새로이 제안된 Raman 분석법을 사용하여 결정하였다.
- 이는 본 Raman 분석 방법의 유효성을 보여주고 있다고 판단된다. 본 Raman 분석 방법의 유효성을 더욱 검증하기 위하여 LPCVD 비정질 실리콘 박막에 ISD 장비를 사용하여 15 kV의 가속전압으로 Phosphorous를 10분 동안 이온주입한 후 620℃에서 등온 열처리한 시편들의 시간에 따르는 Raman-crystallinity와 Hall-mobility를 상호 비교하였다. 그림 4에서 보면 620℃에서 본 연구에서 제시된 분석 방법으로 얻은 Raman-crystallinity의 변화와 Hall Mobility의 변화가 일치하는 것을 볼 수 있다.
- 본 연구에서는 단결정 실리콘의 Peak인 520 cm−1 Raman-shift의 강도를 모든 시편에 대하여 1.0으로 인위적으로 맞추어준 후 단결정 실리콘의 Raman Shift 470-495 cm−1 구간에서의 면적 즉 적분값을 각 온도 및 시간에서 열처리한 실리콘을 사용하여 측정한 Raman data에서 Raman Shift 470-495 cm−1구간에서의 면적으로 나눠준 값을 라만 결정화도(Raman Crystallinity)라고 정의하였다. Raman Crystallinity 와 Hall Mobility는 열처리 시간 및 온도의 변화에 따라 유사한 거동을 보여주고 있다.
- 이론적 Incubationtime은 600℃ 이하의 측정값을 사용하여 비정질 실리콘에서 결정질 상으로 상변태 시 비교적 잘 알려진 핵생성 활성화 에너지인 3.9 eV를 사용하여 구하였다.
- 이온 주입은 비 질량 분리 방식의 Ion Shower Doping (ISD) System을 사용하여 a-Si 박막에 PH3/H2 혼합 가스를 사용하여 Phosphorous를 이온 주입하였다. 이온 주입 공정 조건은 RF-Power 60 W, Gas 유량 30 sccm, 이온 주입 시간은 1 min와 10 min으로 각각 고정하였고 15 kV의 가속전압으로 Phosphorous 이온주입을 수행하였다.
- Raman 분석 결과의 타당성을 비교하기 위하여 동일한 시편을 사용하여 이온 주입 후 열처리 온도 및 시간에 따르는 Mobility의 변화를 Hall Measurement를 사용하여 분석한 후 상호 결과를 비교하였다. 이온 주입은 비 질량 분리 방식의 Ion Shower Doping (ISD) System을 사용하여 a-Si 박막에 PH3/H2 혼합 가스를 사용하여 Phosphorous를 이온 주입하였다. 이온 주입 공정 조건은 RF-Power 60 W, Gas 유량 30 sccm, 이온 주입 시간은 1 min와 10 min으로 각각 고정하였고 15 kV의 가속전압으로 Phosphorous 이온주입을 수행하였다.
대상 데이터
- 열처리 온도 및 시간에 따른 결정화 거동은 본 연구에서 새로이 제안된 Raman 분석법을 사용하여 결정하였다. 본 연구에서 사용된 Raman Spectrometer 장비는 Jasco사의 NR1100 모델로써 beam source는 514.5 nm의 파장을 갖는 Ar Laser를 사용하였다. Raman-shift의 측정범위는 350 cm−1~650 cm−1로 하였다.
데이터처리
- 이 crystalline peak으로 Si 박막의 결정화를 확인할 수 있고, peak의 강도를 비교하여 결정성을 측정할 수 있다11,12). Raman 분석 결과의 타당성을 비교하기 위하여 동일한 시편을 사용하여 이온 주입 후 열처리 온도 및 시간에 따르는 Mobility의 변화를 Hall Measurement를 사용하여 분석한 후 상호 결과를 비교하였다. 이온 주입은 비 질량 분리 방식의 Ion Shower Doping (ISD) System을 사용하여 a-Si 박막에 PH3/H2 혼합 가스를 사용하여 Phosphorous를 이온 주입하였다.
이론/모형
- 그러므로 그 동안 600℃ 이하의 온도에서 비정질 실리콘 박막의 상 변태에 관한 연구가 주로 수행되었지만 현재 고온 상변태에 관한 연구가 필요한 상태이다. 본 연구에서는 저온화학기상증착법(Low Pressure Chemical Vapor Deposition, LPCVD)으로 증착된 비정질 실리콘 박막의 고온 상변태에 관한 거동을 본 연구에서 새로이 제안한 Raman 분석법을 통하여 수행하였다.
- 결정화 거동을 조사하기 위하여 관상로(Tube furnace)를 사용하여 560~800℃의 각 온도에서 열처리 시간을 변수로 열처리를 실시하였다. 열처리 온도 및 시간에 따른 결정화 거동은 본 연구에서 새로이 제안된 Raman 분석법을 사용하여 결정하였다. 본 연구에서 사용된 Raman Spectrometer 장비는 Jasco사의 NR1100 모델로써 beam source는 514.
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.