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DBR 다공성 실리콘과 Host 다공성 실리콘으로 이루어진 이중 다공성 실리콘의 제조와 광학적 특성
Preparation and Optical Characterization of DBR/Host Dual Porous Silicon Containing DBR and Host Structures 원문보기

조선자연과학논문집 = Journal of the chosun natural science, v.3 no.2, 2010년, pp.78 - 83  

최태은 (조선대학교 화학과) ,  양진석 (조선대학교 화학과) ,  엄성용 (조선대학교 화학과) ,  진성훈 (조선대학교 화학과) ,  조보민 (조선대학교 화학과) ,  조성동 (조선대학교 화학과) ,  손홍래 (조선대학교 화학과)

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DBR/Host dual porous silicons containing DBR and host structure were prepared and their optical properties were characterized using Ocean Optics spectrometer. In this dual porous silicon, single porous silicon layer was used as host layer for possible biomolecule and drug materials and DBR porous si...

주제어

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문제 정의

  • 최근에 두 개의 단층 다공성 실리콘으로 이루어진 이중 다공성 실리콘이 제작되어 약물전달이나 바이오센서로 응용되어 보고된 바 있다.[15] 본 연구에서는 다층 다공성 실리콘의 한 종류인 네모파 전류를 이용하여 얻은 DBR(Distributed Bragg Reflectors) 다층 다공성 실리콘이 약물전달이나 바이오센서로 응용될 수 있도록 DBR층은 광학신호용으로 단층 다공성 실리콘층은 생물분자의 host 층으로 역할을 할 수 있도록 두 가지 서로 다른 종류의 다공성 실리콘 층을 한번에 갖는 이중 다공성 실리콘을 제작하고 그 광학적 특성을 조사하고자 하였다.
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질의응답

핵심어 질문 논문에서 추출한 답변
실리콘 웨이퍼는 어떻게 나뉘고, 어떤 광학적 특성을 지니는가? [1-6] 다공성 실리콘이 형성되는 원리는 실리콘이 HF (hydrofluoric acid) 하에서 전류를 흘려주었을 때 실리콘에 있는 홀의 도움을 받아 H2SiF6와 H2(g)를 생성 하므로 실리콘 고체가 식각되어 실리콘 웨이퍼 표면에 다공성 기공(pore)을 형성하게 된다[7]. 실리콘 웨이퍼는 첨가된 불순물에 따라 n-type과 p-type으로 나누어지는데 이런 실리콘 웨이퍼를 식각하여 형성된 다공성 실리콘 칩은 광 발광성(photoluminescence)[8]과 광 반사성 (optical reflectivity)[9]의 독특한 두 가지 광학적 특성을 지닌다. p-type 실리콘 웨이퍼 통해 합성된 다공성 실리콘은 백색광원을 이용해 반사스펙트럼을 측정하면 다공성 실리콘 층으로 인하여 반사된 파장들이 보강 또는 상쇄 간섭을 하여 Fabry-Pérot fringe pattern을 준다.
본 연구에서 제작된 DBR/host 이중 다공성 실리콘의 특징과 그 장점은 무엇인가? 화학 물질이나 약물을 함유할 수 있는 host 다공성 실리콘 층과 광학 신호를 보내줄 수 있는 DBR 다공성 실리콘 층을 동시에 갖는 DBR/host 이중 다공성 실리콘을 제작하는데 성공하였다. DBR 층과 host 층을 동시에 갖는 이중 다공성 실리콘은 Fabry-Perot 프린지 패턴의 광학적 특성이 나타나지 않았으며 DBR 반사공명만 나타났다. 반치폭이 21 nm이고, 680 nm에서 반사파장을 갖는 DBR 다공성 실리콘에 host 층을 더하면 host 층의 식각 시간에 따라 DBR 반사공명이 단파장 쪽으로 이정하게 이동하는 것을 볼 수 있었으며 이는 DBR 반사공명이 원하는 파장에 일어날 수 있도록 제작하는데 중요한 정보를 줄 수 있다는 것을 확인하였다. 따라서 기존의 반사파장을 쉽게 단파장으로 이동할 수 있게 만들어 원하는 파장을 기존의 방법보다 쉽게 만들 수 있다는 장점을 찾았다.
다공성 실리콘이 형성되는 원리는 무엇인가? 나노과학의 한 분야인 다공성 실리콘은 반도체 재료인 실리콘 웨이퍼를 전기화학적인 식각을 통하여 실리콘웨이퍼 표면을 나노 및 마이크로 크기의 기공과 나노 입자를 갖게 하는 것이다.[1-6] 다공성 실리콘이 형성되는 원리는 실리콘이 HF (hydrofluoric acid) 하에서 전류를 흘려주었을 때 실리콘에 있는 홀의 도움을 받아 H2SiF6와 H2(g)를 생성 하므로 실리콘 고체가 식각되어 실리콘 웨이퍼 표면에 다공성 기공(pore)을 형성하게 된다[7]. 실리콘 웨이퍼는 첨가된 불순물에 따라 n-type과 p-type으로 나누어지는데 이런 실리콘 웨이퍼를 식각하여 형성된 다공성 실리콘 칩은 광 발광성(photoluminescence)[8]과 광 반사성 (optical reflectivity)[9]의 독특한 두 가지 광학적 특성을 지닌다.
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참고문헌 (16)

  1. H. Diesinger, A. Affiliation Bsiesy and R. Heino, "Nano-structuring of silicon and porous silicon by photo-etching using near field optics", Phys. Stat. Sol. Vol. 197, p. 561, 2003. 

  2. Sohn, H. S. Letant, M. J. Sailor and W. C. Trogler, "Detection of fluorophosphonate chemical warfare agent by catalytic hydrolysis with a porous silicon interferometer", J. Am. Chem. Soc., Vol. 122, p. 5399, 2000. 

  3. A. Bsiesy, J. C. Vial, F. Gaspard, R. Herino, M, Ligeon, F. Muller, R. Romestain, A. Wasiela, A. Halimaoui and G. Bomchil, "Photoluminescence of high porosity and of electrochemically oxidized porous silicon layers", Surf. Sci., Vol. 254, p. 195, 1991. 

  4. L. T. Canham, "Silicon quantum array fabrication by electrochemical and chemical dissolution as wafers", Appl. Phys. Lett., Vol. 57, p. 1046, 1990. 

  5. A. G. Cullis and L. T. Canham, "Visible light emission due to quantum size effects in highly porous crystalline silicon", Nature, vol. 353, p. 335, 1991. 

  6. F. Gaspard, A. Bsiesy, M. Ligeon, F. Muller and R. J. Herino, "Exchange mechanism responsible for p-type silicon dissolution during porous silicon formation", Electrochem. Soc., Vol. 136, p. 3043, 1989. 

  7. K.Skorupska, M. Lublow, M. Kanis, H. Jungblut and H. J. Lewerenz, "On the surface chemistry of silicon under reducing conditions: An SRPES investigation", Electrochem. Commun. Vol. 7, p. 10, 2005. 

  8. K. S. Dancil, D. P. Greiner and M. J. Sailor, "A Porous Silicon Optical Biosensor: Detection of Reversible Binding of IgG to a Protein A-Modified Surface", J. Am. Chem. Soc, Vol. 121, p. 7925, 1999 

  9. R. Guerrero-Lemus, F. A. Ben-Hander,J. L. G. Fierro and C. Hernadez-Rodriuez, "Compositional and photoluminescent properties of anodically and stain etched porous silicon", Phys. Stat. Sol., Vol. 197, p. 137, 2003 

  10. P. C. Searsonm, J. M. Macaulay and F. M. Ross, "Pore morphology and the mechanism of pore formation in in n-type silicon", J. Appl. Phys. Vol. 72, p. 253, 1992. 

  11. J. Park, S. Cho, Y. C. Ko and H. Sohn, "Multiple bit encodings of multilayer porous silicon", J. Korean Phys. Soc. Vol. 50, p. 695, 2007. 

  12. S. Jang, J. Kim, Y. Koh, Y. C. Ko, H.-G. Woo, and H. Sohn, "Multi-Encoded Rugate Porous Silicon as Nerve Agents Sensors", J. Nanosci. Nanotechnol. Vol. 7, p. 4049, 2007. 

  13. B. J. Lee, S. Jang, and H. Sohn "Detection of Toxic Organophosphate Nerve Agents Using DBR Porous Silicon Chip", Solid State Phenom. Vol. 491, p. 124, 2007. 

  14. J. Kim, Y. Koh, S. Jang, Y. C. Ko, H-G. Woo and H. Sohn, "Photonic Polymer Replicas from Distributed Bragg Reflectors Structured Porous Silicon", J. Nanosci. Nanotechnol. Vol. 7, p. 4165, 2007. 

  15. C. Pacholski, M. Sartor, M. J. Sailor, F. Cunin and G. M. Miskelly, "Biosensing Using Porous Silicon Double-Layer Interferometers: Reflective Interferometric Fourier Transform Spectroscopy", J. Am. Chem. Soc., Vol 127, p. 11636, 2005. 

  16. Claudia Pacholski and Michael J. $Sailor^{*}$ "Sensing with porous silicon double layers: A general approach for background suppression" Phys. Stat. Sol. Vol. 6, p. 2088, 2007. 

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