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NTIS 바로가기대한치과기공학회지 = The Journal of Korean Academy of Dental Technology, v.32 no.4, 2010년, pp.337 - 340
Purpose: This study was performed to compare sintering conditions for fabrication of porous Ti implant. Methods: The porous Ti implant samples were fabricated by sintering of spherical Ti powders in vacuum and atmosphere conditions. Surface morphology, composition and phase were analyzed by FE-SEM, ...
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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임플란트 소재로써 티타늄 또는 티타늄 합금이 가지는 단점은 무엇인가? | 이러한 생체불활성 특징을 가지기 때문에 임플란트 소재로 가장 적합한 재료라 할 수 있다. 그러나 산소와의 친화성이 강하기 때문에 제조 분위기 조절과 가공을 위한 특수 장비 및 기술이 필요하게 되었다. 특히 800℃ 이상의 고온으로 가열을 할 경우 산소와의 반응속도는 매우 빨라진다(박노광 등, 2009). 단순히 기계가공에 의한 임플란트를 제작할 때는 고온의 가공 공정이 필요치 않지만 플라즈마 코팅 등의 2차 표면저리공정이 추가되거나 티타늄 분말 소결에 의해 임플란트를 제작할 경우 고온의 가공 공정을 거치게 된다. | |
어떤 경우에 임플란트 제작 중 고온의 가공 공정을 거치게 되는가? | 특히 800℃ 이상의 고온으로 가열을 할 경우 산소와의 반응속도는 매우 빨라진다(박노광 등, 2009). 단순히 기계가공에 의한 임플란트를 제작할 때는 고온의 가공 공정이 필요치 않지만 플라즈마 코팅 등의 2차 표면저리공정이 추가되거나 티타늄 분말 소결에 의해 임플란트를 제작할 경우 고온의 가공 공정을 거치게 된다. 이에따라 전기방전소결(Electro-Discharge Sintering, EDS) 등의 기술(현창용 등, 2005)이 사용되기도 하였다. | |
임플란트 소재로 티타늄 또는 티타늄 합금이 가장 적합한 이유는 무엇인가? | 골유착(osseointegration)의 개념이 확립된 이래 현재의 임플란트는 대부분 티타늄 또는 티타늄 합금으로 제조되고 있다. 이는 티타늄 표면에 자연적으로 생성되는 산화막이 부동태 피막으로 작용하면서 티타늄 내부의 금속이온이 밖으로 용출되는 것을 방지하고 외부의 산소 등이 더 이상 티타늄 기지와의 반응을 차단함에서 기인한다. 이러한 생체불활성 특징을 가지기 때문에 임플란트 소재로 가장 적합한 재료라 할 수 있다. |
박노광, 홍재근, 김정한, 염종택. 타이타늄 분말합금의 제조와 특징. 기계와재료, 136-145, 2009.
현창용, 허재근, 이원희. 전기방전소결에 의한 다공성 Ti 임플란트의 제조. 생체재료학회지, 9(3), 132-137, 2005.
Amigo V, Salvador MD, Romero F. Microstructural evolution of Ti-6Al-4V during the sintering of microspheres of Ti for orthopedic implants. Journal of materials processing technology, 141, 117-122, 2003.
Kim YH, Cho YJ, Lee CM, Kim SJ, Lee NS, Kim KB, Jeon EC, Sok JH, Park JS, Kwon H, Lee KB, Lee WH. Self-assembled microporous Ti-6Al-4V implant compacts induced by electro-discharge-sintering. Scripta Materialia, 56, 449-451, 2007.
Oh IH, Nomura N, Masahashi N, Hanada S. Mechanical properties of porous titanium compacts prepared by poeder sintering. Scripta Materialia, 49, 1197-1202, 2003.
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