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NTIS 바로가기전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.23 no.7, 2010년, pp.545 - 549
정광석 (충남대학교 전자공학과) , 김영수 (충남대학교 전자공학과) , 박정규 (충남대학교 전자공학과) , 양승동 (충남대학교 전자공학과) , 김유미 (충남대학교 전자공학과) , 윤호진 (충남대학교 전자공학과) , 한인식 (충남대학교 전자공학과) , 이희덕 (충남대학교 전자공학과) , 이가원 (충남대학교 전자공학과)
Low-frequency noise (1/f noise) has been measured in order to analyze the Vth instability of ZnO TFTs having two different active layer thicknesses of 40 nm and 80 nm. Under electrical stress, it was found that the TFTs with the active layer thickness of 80 nm shows smaller threshold voltage shift (...
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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a-Si:H TFT의 문제점은? | ZnO를 활성 층으로 하는 TFT (thin film transistor)는 plastic 기판에서 저온으로 제작 될 수 있어 낮은 생산 비용의 대 면적 display 혹은 flexible display 용으로 많은 관심을 받고 있다 [1,2]. 현재 LCD (liquid crystal display) 구동 소자로 광범위하게 사용되고 있는 a-Si:H TFT의 경우 이동도가 낮아 구동 주파수가 증가함에 따라 charging time이 길어 별도의 보상 회로를 구성해야 한다. Poly-Si 기반의 TFT는 이동 도는 좋지만 대 면적 display 적용 시 광원으로 line beam을 사용하는데 어려움이 있으며 별도의 도핑을 거쳐야 하므로 단가 상승 측면 등의 단점들이 예상되기 때문에 우수한 이동도를 갖는 ZnO 기반의 산화물 TFT는 더욱 각광을 받고 있다 [3,4]. | |
ZnO를 활성 층으로 하는 TFT가 Poly-Si 기반의 TFT보다 좋은 이유는? | 현재 LCD (liquid crystal display) 구동 소자로 광범위하게 사용되고 있는 a-Si:H TFT의 경우 이동도가 낮아 구동 주파수가 증가함에 따라 charging time이 길어 별도의 보상 회로를 구성해야 한다. Poly-Si 기반의 TFT는 이동 도는 좋지만 대 면적 display 적용 시 광원으로 line beam을 사용하는데 어려움이 있으며 별도의 도핑을 거쳐야 하므로 단가 상승 측면 등의 단점들이 예상되기 때문에 우수한 이동도를 갖는 ZnO 기반의 산화물 TFT는 더욱 각광을 받고 있다 [3,4]. | |
ZnO를 활성 층으로 하는 TFT의 장점은? | ZnO를 활성 층으로 하는 TFT (thin film transistor)는 plastic 기판에서 저온으로 제작 될 수 있어 낮은 생산 비용의 대 면적 display 혹은 flexible display 용으로 많은 관심을 받고 있다 [1,2]. 현재 LCD (liquid crystal display) 구동 소자로 광범위하게 사용되고 있는 a-Si:H TFT의 경우 이동도가 낮아 구동 주파수가 증가함에 따라 charging time이 길어 별도의 보상 회로를 구성해야 한다. |
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