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졸겔 법으로 제조한 압전 센서용 PZT 박막의 결정 배향 및 전기적 특성 연구
A study on the crystalline orientation and electric properties of sol-gel PZT thin film for piezoelectric sensors 원문보기

센서학회지 = Journal of the Korean Sensors Society, v.19 no.3, 2010년, pp.202 - 208  

변진무 (한국산업기술대학교 신소재공학과) ,  이호년 (한국생산기술연구원 열.표면기술지원센터) ,  이홍기 (한국생산기술연구원 열.표면기술지원센터) ,  이성의 (한국산업기술대학교 신소재공학과) ,  이희철 (한국산업기술대학교 신소재공학과)

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

This study examined the dependency of crystalline orientation and electric properties of sol-gel PZT film on hydrolysis, a $PbTiO_3$ seed layer and a concentration of sol-gel solution. The PZT thin films were prepared by using 2-Methoxyethanol-based sol-gel method and spin-coating on Pt/T...

주제어

AI 본문요약
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문제 정의

  • 그리고 (111) 배향을 가진 PZT 박막은 높은 강유전성, 잔류 분극 값, 압전계수 등 우수한 전기적 특성을 갖는 것으로 알려져 있다[13]. 따라서, 본 실험에서는 10 % Pb 과잉된 PbTiO3 씨앗 층 졸겔용액을 이용하여 높은 온도에서 열처리 함으로써 (100) 및 (110) 배향의 페로브스카이트 상이 거의 없는 (111) 주 배향을 가진 PZT 박막을 얻고자 하였다.
  • ) 분위기 글러브 박스(glove box) 안에서 증착 공정을 실시 하였으며, 열처리 시 Pb 휘발로 인한 파이로클로로(pyrochlore) 상 형성을 억제하기 위해 Pb가 과잉 첨가 된 PZT 졸겔 용액을 제조 하였으며, 다층 코팅(multi-coating) 법을 이용하여 압전 센서로 널리 사용되는 약 1 µm 두께의 PZT 박막을 코팅 하였다. 페로브스카이트 상의 결정화 배향에 따라 전기적 특성을 분석하였으며, 압전 재료로서 적합한 PZT 박막을 제조하기 위해 연구하였다.
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질의응답

핵심어 질문 논문에서 추출한 답변
졸겔 법의 단점은 무엇인가? 또한 대 면적에 균일한 증착이 가능하여 대량생산에 장점을 갖고 있으며, 스퍼터링법(sputtering)이나 화학 기상 증착법(chemical vapor deposition)에 비해 생산 효율도 높다[7]. 반면 졸겔 법은 습도에 민감하여 재현성이 떨어지며 다층 코팅으로 인한 불순물과 응력(stress)의 증가로 균열(crack)이 발생하기 쉬운 단점을 갖고 있다.
Pb1(Zrx, Ti1-x)O3(PZT)의 특징은 무엇인가? Pb1(Zrx, Ti1-x)O3(PZT)는 대표적인 압전 재료로서, 페로브스카이트(perovskite) 상의 구조를 가지고 있다. 위 재료의 결정학적 특징에서 나오는 압전 효과는 많은 잠재적 응용성을 가지고 있으며, 박막화 함으로서 초소형, 초고감도 압전 센서 소자, MEMS 액추에이터 소자 등 다방면에 적용이 가능하다[1-4].
PZT 졸겔 용액의 농도가 증가할수록 (111) 방향으로 우선 배향성이 증가하는 이유는 무엇인가? PZT 졸겔 용액의 농도가 증가 할수록 (111) 방향으로 우선 배향성이 뚜렷이 증가하는 것을 확인 할수 있었다. 높은 농도의 용액에서는 PZT 박막을 구성할 물질 간의 상대적 거리가 짧기 때문에 상호 반응이 촉진되어 격자정합성 및 표면 에너지 측면에서 유리한 (111) 방향으로의 배향성이 증가하는 것으로 보인다.
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참고문헌 (14)

  1. B. Morten, G. D. Cicco, and M. Prudenziati, “Resonant pressure sensor based on piezo-electric properties”, Sensor and Actuators A, vol. 31, pp. 153-158, 1992. 

  2. K. Yao and W. Zhu, “Improved preparation procedure and properties for a multilayer piezoelectric thick-film actuator”, Sensors and Actuators A, vol. 71, pp. 139-143, 1998. 

  3. G.-S Chung, J.-M. Kim, S.-J. Yoon, S.-J. Jeong, and J.-S. Song, “MEMS & sensor systems; Design, fabrication and characteristics of a MCA valve”, J. Kor. Sensors. Soc., pp. 230-235, 2004. 

  4. J.-H Lee and S,-Y Choi, “Bonding technology for PZT and connection board using a high frequency heating machine”, J. Kor. Sensors. Soc., pp. 89-94, 1998. 

  5. G. A. Smolenskii and A. T. Agranovskaya, “Dielectric polarization of a number of complex compounds”, Soviet Phys. Solid state, vol. 1, no. 10, pp. 1429-1437, 1999. 

  6. Y.-J Kim, Y,-C Lee, D,-H Kwon, and B,-K Shon, “Fabrication and characteristics of FET-type pressure sensor using piezoelectric PZT thin film”, J. Kor. Sensors. Soc., pp. 26-32, 2001. 

  7. W.-J. Yoon, M.-Y. Lim, and K.-W. Koo, “Sensor materials & processes : the characteristics thin film made by sol - gel method”, J. Kor. Sensors. Soc., pp. 75-80, 1995. 

  8. Piekarz, R. “Lead zirconate titanate(PZT) sol-gel thin film preparation, deposition and testing”, MD, ARL-02-02, 2002. 

  9. P. Muralt, “Ferroelectric thin films for micro-sensors and actuators: a review”, J. Micromech. Micrieng, vol. 10, pp. 136-146, 2000. 

  10. J. Zeng, M. Zhang, L. Wang, and C. Lin, “Influence of lead titanate seed layer on orientation behaviour and ferroelectric characteristics of sol-gel detrived PZT thin films”, J. Phys.: Condens. Matter, vol. 11, pp. 1139-1146, 1999. 

  11. K. Ishikawa, K. Sakura, D. Fu, S. Yamada, H. Suzuki, and T. Hayashi, “Effect of $PbTiO_3$ seeding layer on the growth of sol-gel-derived $Pb(Zr_{0.53}Ti_{0.47})O_3$ thin film”, Jpn. J. Appl. Phys., vol. 37, pp. 5128-5131, 1998. 

  12. L. Wang, J. Yu, and Y. Wang, “Effect of excess Pb in $PbTiO_3$ precursors on ferroelectric and fatigue property of sol-gel derived $PbTiO_3/PbZr_{0.3}Ti_{0.7}O_3/PbTiO_3$ thin films”, J. Mater. Sci.: Mater Electron, vol. 19, pp. 1191-1196, 2008. 

  13. G. Wen, J,-F. Li, X. Chu, Z. Gui, and L. Li, “Preparation of (100)- and (111)- Textured $Pb(Zr,Ti)O_3$ piezoelectric films and direct measurement of their piezoelectric constants”, Jpn. J. Appl. Phys. vol. 42, pp. 1459-1461, 2003. 

  14. H.-C. Lee and W.-J. Lee, “Preparation and chracterization of $Pb(Zr,Ti)O_3$ films deposited on $Pt/RuO_2$ hybrid electrode for ferroelectric randon access memory devices”, Jpn. J. Appl. Phys. vol. 40, pp. 6566-6573, 2001. 

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