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NTIS 바로가기전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.23 no.8, 2010년, pp.587 - 592
김경민 (동의대학교 나노공학과) , 박성현 (동의대학교 전자세라믹스센터) , 이원재 (동의대학교 전자세라믹스센터) , 신병철 (동의대학교 전자세라믹스센터)
We have fabricated schottky barrier diode (SBDs) using polar (c-plane) and non polar (a-, m-plane) n-type 6H-SiC wafers. Ni/SiC ohmic contact was accomplished on the backside of the SiC wafers by thermal evaporation and annealed for 20minutes at 주제어
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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에너지소비의 고효율화가 매우 중요한 사회적 이슈로 대두되는 이유는? | 0 eV의 넓은 에너지 밴드 갭을 가지는 실리콘카바이드 (SiC)는 최근 아주 각광 받는 반도체 소재이다. 전 세계적인 유가급등, 자원고갈과 지구온난화의 위험 등으로 에너지소비의 고효율화가 매우 중용한 사회적 이슈로 대두되고 있다. 실리콘 카바이드 웨이퍼는 반도체 소자 제작에 일반적으로 사용되고 있는 실리콘 (Si) 웨이퍼와 비교하여 내열성 및 내전압성이 뛰어나 인버터 기기나 가정용 파워 모듈, 자동차용 파워 반도체 소자 등의 고성능화 및 저 소비 전력화의 실현이 가능하다. | |
실리콘카바이드의 에너지 밴드갭은? | 약 3.0 eV의 넓은 에너지 밴드 갭을 가지는 실리콘카바이드 (SiC)는 최근 아주 각광 받는 반도체 소재이다. 전 세계적인 유가급등, 자원고갈과 지구온난화의 위험 등으로 에너지소비의 고효율화가 매우 중용한 사회적 이슈로 대두되고 있다. | |
실리콘카바이드 웨이퍼의 장점은? | 전 세계적인 유가급등, 자원고갈과 지구온난화의 위험 등으로 에너지소비의 고효율화가 매우 중용한 사회적 이슈로 대두되고 있다. 실리콘 카바이드 웨이퍼는 반도체 소자 제작에 일반적으로 사용되고 있는 실리콘 (Si) 웨이퍼와 비교하여 내열성 및 내전압성이 뛰어나 인버터 기기나 가정용 파워 모듈, 자동차용 파워 반도체 소자 등의 고성능화 및 저 소비 전력화의 실현이 가능하다. 현재의 전력용 반도체 소자는 실리콘을 기반으로 하고 있다. |
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