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NTIS 바로가기한국표면공학회지 = Journal of the Korean institute of surface engineering, v.43 no.3, 2010년, pp.154 - 158
Numerical analysis is done to investigate the effects of pulse bias on the plasma processing characteristics like ion doping and ion nitriding by using fluid dynamic code with a 2D axi-symmetric model. For 10 mTorr of Ar plasma, -1 kV of pulse bias was simulated. Maximum sheath thickness was around ...
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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유도 결합 플라즈마가 반도체 식각, 증착, 도핑, 표면 처리 등의 분야에 널리 사용되고 있는 이유는? | 유도 결합 플라즈마는 저압에서 고밀도의 플라즈마 상태를 만들 수 있는 점 때문에 반도체 식각, 증착, 도핑, 표면 처리 등의 분야에 널리 사용되고 있다1). 안테나가 챔버 내부에 있는 경우의 전력 전달 효율은 외부에 있는 경우보다 좋다. | |
ICP가 CCP대비 증착, 식각 속도 면에서 유리한 이유는? | 대면적에서 균일도를 확보하기 위하여 다양한 플라즈마 발생원이 시도되고 있으며 가장 널리 사용되어 온 평판형 용량 결합 플라즈마원이 정상파 효과 때문에 문제가 되고 있어서 LCD(liquid crystal display)기준 8세대 이후에는 ICP와 CCP의 대면적 균일도의 경쟁이 다시 시작되고 있다. 이점에서 ICP는 CCP 대비 플라즈마 밀도를 최대 100배까지 증가시킬 수 있으므로 증착, 식각 속도 면에서 유리하므로 7세대급 이전의 장비 개발에서 상대적으로 불리한 위치에 있었던 ICP가 다시 많은 관심을 끌고 있다. 식각의 경우 라디칼에 의한 식각과 이온에 의한 식각으로 나눌 수 있으며 실리콘 산화막의 경우 후자에 해당한다. | |
안테나가 챔버 내부에 있는 경우의 전력 전달 효율은 외부에 있는 경우보다 좋다라는 점을 적극 이용한 시스템들이 어디에 쓰이고 있는가? | 안테나가 챔버 내부에 있는 경우의 전력 전달 효율은 외부에 있는 경우보다 좋다. 이 점을 적극 이용한 시스템들이 금속 박막의 스퍼터링 증착, 화학 기상 증착, 질화 등에 이용되고 있다. 안테나의 형상이 플라즈마의 균일도에 미치는 영향이 가장크므로 다양한 형태가 시도되고 있다. |
J. J. Lee, J. H. Joo, Surf. Coat. Technol., 169-170, (2003) 353.
L. Godet, Z. Fang, S. Radovanov, S. Walther, E Arevalo, F. Lallement, J. T. Scheuer, T. Miller, D. Lenoble, G. Cartry, C. Cardinaud, J. Vac. Sci. Technol. B, 24 (2006) 2391.
CFD-ACE+ User Manual, ESI Group, 2009.
B.-W. Koo, Ziwei Fang, Ludovic Godet, Svetlana B. Radovanov, Christophe Cardinaud, Gilles Cartry, Andre Grouillet, and Damien Lenoble, IEEE Trans Plasma Sci. 32 (2004) 456.
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