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NTIS 바로가기韓國磁氣學會誌 = Journal of the Korean Magnetics Society, v.20 no.5, 2010년, pp.182 - 186
안성용 (삼성전기 LCR사업부) , 김익섭 (삼성전기 LCR사업부) , 손수환 (삼성전기 LCR사업부) , 송소연 (삼성전기 LCR사업부) , 한진우 (삼성전기 LCR사업부) , 최강룡 (POSTECH 물리학과)
Effect of cobalt substitution on the sintering behavior and magnetic properties of a NiZnCu ferrite was studied. 주제어
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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적층형 칩인덕터의 내부 전극으로 Ag를 사용하기 위해서는 어떤 조건을 만족해야 하는가? | 적층형 칩인덕터는 NiZnCu ferrite green sheet에 내부전극을 인쇄와 적층한 후 NiZnCu ferrite와 내부전극을 동시 소성하여 제조하기 때문에 NiZnCu ferrite 내부에 전극이 권선되어있는 구조를 갖는다. 적층형 칩인덕터에 사용되는 내부전극은Ag/Pd alloy에 비해 싼 가격으로 인하여 Ag 전극을 사용하고 있으며 Ag 전극을 내부 전극으로 사용하기 위해서 Ag의 용융 온도인 961 oC 보다 낮은 온도에서 소결이 가능해야 한다[3, 4]. 920 oC 이상의 높은 소결온도에서는 NiZnCu ferrite 내부로 Ag의 확산에 의하여 내부 전도체의 저항증가와 손실계수 Q값 저하 및 인덕턴스 값의 저하를 유발 할 수 있다. | |
적층형 칩인덕터는 고온에서 CuO 분해로 인하여 어떤 특성이 변할 수 있는가? | 920 oC 이상의 높은 소결온도에서는 NiZnCu ferrite 내부로 Ag의 확산에 의하여 내부 전도체의 저항증가와 손실계수 Q값 저하 및 인덕턴스 값의 저하를 유발 할 수 있다. 또한 고온에서의 CuO의 분해로 인하여 초투자율, 포화자화, 및 보자력 등의 자기적 특성이 감소할 수 있다. 그러므로 안정적인 칩인덕터 제조를 위해 NiZnCu ferrite의 소결온도를 900 oC 이하로 낮추는 저온소결 제조기술이 요구된다[5, 6]. | |
적층형 칩인덕터는 어떻게 제조하는가? | 적층형 칩인덕터(Multilayer chip inductors), 적층형 칩비드(Multilayer chip beads), 적층형 칩파워인덕터(Multilayer chip power inductors) 등의 적층형 칩부품에 전통적으로 NiZnCu ferrite 재료가 사용되고 있으며 상대적으로 낮은 소성온도와 높은 전기 비저항, 높은 투자율, 및 화학적 안정성을 갖는 특성으로 인해 고주파용 재료로 사용되어 왔다[1, 2].적층형 칩인덕터는 NiZnCu ferrite green sheet에 내부전극을 인쇄와 적층한 후 NiZnCu ferrite와 내부전극을 동시 소성하여 제조하기 때문에 NiZnCu ferrite 내부에 전극이 권선되어있는 구조를 갖는다. 적층형 칩인덕터에 사용되는 내부전극은Ag/Pd alloy에 비해 싼 가격으로 인하여 Ag 전극을 사용하고 있으며 Ag 전극을 내부 전극으로 사용하기 위해서 Ag의 용융 온도인 961 oC 보다 낮은 온도에서 소결이 가능해야 한다[3, 4]. |
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