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ITO/glass 기판위에 제작된 Cross linked PVA 유기 게이트 절연막의 전기적 특성
Electrical Properties of Organic PVA Gate Insulator Film on ITO/Glass Substrates 원문보기

반도체디스플레이기술학회지 = Journal of the semiconductor & display technology, v.9 no.4, 2010년, pp.1 - 5  

최진은 (단국대학교 전자전기공학과) ,  공수철 (단국대학교 전자전기공학과) ,  전형탁 (한양대학교 신소재공학과) ,  박형호 (연세대학교 세라믹공학과) ,  장호정 (단국대학교 전자전기공학과)

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

The PVA (poly-vinyl alcohol) insulators were spun coated onto ITO coated glass substrates with the capacitors of Glass/ITO/PVA/Al structure. The effects of PVA concentrations (3.0, 4.0 and 5.0 wt%) on the morphology and electrical properties of the films were investigated. As the concentration of PV...

주제어

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문제 정의

  • 는 임계전압을 나타낸다. 본 실험에서는 PVA 게이트 절연막의 정전용량 Co 값을 측정하여 유기 박막트랜지스터 소자에 적용 가능성을 조사하였다.
  • 본 연구에서는 투명 유기 박막트랜지스터 소자에 응용하기 위하여 ITO (indium thin oxide) 코팅된 유리기판위에 cross-linked PVA 절연막을 스핀코팅법으로 형성하였다. 제작된 MIM (metal-insulator-metal) 캐패시터 (capacitor) 소자에 대해 절연층 농도 및 두께에 따른 전기적 특성을 비교, 분석하였다.
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질의응답

핵심어 질문 논문에서 추출한 답변
유기 박막트랜지스터는 어디의 구동 소자로서 응용 가능성이 기대되고 있는가? 유기물을 이용한 유기 박막트랜지스터(organic thin film transistor, OTFT)는 차세대 디스플레이로서 주목을 받고 있는 TFT-LCD(thin film transistor liquid crystal display), OLED(organic light emitting diodes), E-paper 등의 구동소자로서 응용 가능성이 기대되고 있다. 동시에 스마트카드, RFID(radio frequency identification)tag, 바이오센서 등에 응용이 가능할 것으로 기대되며 현재 많은 연구가 진행되고 있다[1,2]. 유기 박막트랜지스터는 기존의 Si wafer를 이용한 반도체 소자에 비하여 저온에서 간단한 공정으로 형성이 가능하다[3].
유기 박막트랜지스터는 제조 측면에서 어떤 장점이 있는가? 동시에 스마트카드, RFID(radio frequency identification)tag, 바이오센서 등에 응용이 가능할 것으로 기대되며 현재 많은 연구가 진행되고 있다[1,2]. 유기 박막트랜지스터는 기존의 Si wafer를 이용한 반도체 소자에 비하여 저온에서 간단한 공정으로 형성이 가능하다[3]. 특히 최근에는 휨성(flexible) 디스플레이의 구현을 위해 플라스틱(plastic) 기판상에 게이트 유기 절연층을 형성하여 유기 박막트랜지스터를 제작하는 연구가 활발히 진행되고 있다.
유기 박막트랜지스터 제작에서 무기 절연막이 초래할 수 있는 문제점은? 유기 박막트랜지스터 제작시 게이트 절연막의 절연 특성 및 전기적 특성은 소자의 동작 특성에 영향을 미치는 중요한 요소이다. 기존의 SiO2, Si3N4, Al2O3 등의 무기 절연막은 유기 반도체 활성층 물질과 접촉시 계면특성이 좋지 않아 계면저항의 증가로 트랜지스터의 성능저하를 초래할 수 있다. 이러한 문제를 해결하기 위하여 최근 PVA(polyvinylalcohol), PVP(poly-4-vinylphenol), PMMA(polymethylmethacryate), PI(polyimide) 등의 고분자 물질을 절연막으로 이용하여 유기박막 트랜지스터를 제작하는 연구가 진행되고 있다[4-6].
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참고문헌 (12)

  1. B. K. Crone, A. Dodabalapur, R. Sarpeshkar, A. Gelperin, H. E. Katz, and Z, N. Bao, "Organic oscillator and adaptive amplifier circuits for chemical vapor sensing" J. Appl. Phys. Vol. 91, No. 12, pp. 10140-10146 (2002). 

  2. J. H. Lee, S. H. Kim, G. H. Kim, J. I. Lee, Y. S. Yang, H. Y. Chu, J. Y. Oh, L. M. Do and T. Zyung, "Organic transistors using polymeric gate dielectrics" J. of the Kor. Phys. Soc.,Vol. 42, pp. S614-S617, (2003). 

  3. R. BAJPAI, V. MISHRA, PRAGYESH AGRAWAL and S. C. DATT, "Surface modification on PMMA : PVDF polyblend: hardening under chemical environment", Indian Academy of Sci., Vol. 25, No. 1, pp. 21-23, (2002). 

  4. S. H. Jin, J. S. Yu, C. A. Lee, J. W. Kim, B. G. Park and J. D. Lee, "Pentacene OTFTs with PVA Gate Insulators on a Flexible Substrate", J. Kor. Phy. Soc, Vol. 44, No. 1, pp. 181-184 (2004). 

  5. S. Y. Kim, T. Ahn, S. M Pyo and M. H. Yi, "Surface modified polymeric gate insulators for pentacene organic thin-film transistors", Curr. Appl. Phys., Vol. 9, No. 5, pp. 913-918, (2009). 

  6. T. Ahn, Y. J. Choi, H. M. Jung and M. H. Yi, "Fully aromatic polyimide gate insulators with low temperature processability for pentacene organic thin-film transistors" Organic Electronics, Vol. 10, No. 1, pp. 12-17, (2009). 

  7. M. G. Kane, J. Campi, M. S. Hammond, F. P. Cuomo, "Analog and Digital circuit using organic thin-film transistors on polyester substrates" IEEE Electron Device Lett., Vol. 21, No. 11, pp. 534-536, (2000). 

  8. J. H. Shon, "On the stability of organic field-effect transistor materials" Appl. Phys. Lett., Vol. 79, No. 25, pp. 4163-4164, (2001). 

  9. D. H. Nam, K. D. Park, J. H Park, and K. Y. Han, "Simultaneous Patterning and Passivation of P3HT-OTFTs with Photosensitive Poly Vinyl-alcohol(PVA) Layer" J. of KIEEME (in Korean), Vol. 21, No. 5, pp. 426, (2008). 

  10. I. J. Baek, J. H. Yoo, H. S. Lim, H. J. Chang, and H. Y. Park, "Preparation and properties of PVP gate insulation film for organic thin film transistor" J. Microelectron. Packag. Soc. (in Korean), Vol. 12, No. 4, pp. 359-363, (2005). 

  11. S. C. Bae, S. T. Oh and S. Y. Choi, "Fabrication of thin film transistor on plastic substrate for application to flexible display" J. of IEEK (in Korean), Vol. 40, No. 7, pp. 481-485 (2003). 

  12. B. C. Yoo, S. C. Gong, I. S. Shin, S. B. Shin, H. M. Lee, H. H. Park, H. T. Jeon, Y. C. Jang and H. J. Chang, "Properties of Organic PMMA Gate Insulator Film at Various Concentration and Film Thickness" J. of KSDET (in Korean), Vol. 6, No. 4, pp. 69-73, (2007). 

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